Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Тип памяти микросхем |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7140LA35PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la35pf-datasheets-9920.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 120 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 35 нс | 20б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В631С12ПРФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s12prf8-datasheets-9907.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 465 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71016S12PHGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71016s12phgi8-datasheets-9906.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | Параллельно | да | 3A991.B.2.B | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,21 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9179Л7ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 45,45 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9179l7pf-datasheets-9890.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 288 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 36КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7 нс | 15б | 0,003А | 9б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||
| 70В5388С166БГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v5388s166bgi8-datasheets-9885.pdf | БГА | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 272 | 3,45 В | 3,15 В | 272 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 2 мм | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 400 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 272 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,2 нс | 16б | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| THGBMHG6C1LBAWL | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-thgbmhg6c1lbawl-datasheets-9866.pdf | 153 | да | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | Р-ПБГА-Б153 | 8GX8 | 8 | 68719476736 бит | ЦЕПЬ ПАМЯТИ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7024S55JI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024s55ji-datasheets-9854.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 24б | 4КХ16 | 0,03 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA12PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa12ph8-datasheets-9826.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,015А | 12 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3559SA80BG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3559sa80bg8-datasheets-9790.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7140SA25J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140sa25j-datasheets-9770.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 20б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 70В9089Л15ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 28,5 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9089l15pf-datasheets-9721.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 185 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | ОЗУ, СРАМ | 30 нс | 32б | 64КХ8 | 8б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA12PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa12ph-datasheets-9697.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,015А | 12 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА15БФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa15bfg8-datasheets-9645.pdf | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Без свинца | 12 недель | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 1 Мб | 1,4 мм | 1 | Нет | 130 мА | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 15 нс | 16б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т633С12BCI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t633s12bci8-datasheets-9643.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 395 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 38б | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 6116SA15SOG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116sa15sog8-datasheets-9637.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 24 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | да | 2,34 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 105 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | 2 КБ | CMOS, RAM, SRAM — асинхронные | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 11б | 2КХ8 | 0,002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 70В06Л15ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06l15pf-datasheets-9592.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 185 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 28б | 16КХ8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||
| 71В35761С200БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761s200bg-datasheets-9585.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 360 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 200 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3558S166BG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3558s166bg8-datasheets-9587.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 3,3 В | 0,35 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA12BFI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,34 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa12bfi-datasheets-9589.pdf | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,16 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 0,015А | 12 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709279S9PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 40 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709279s9pf-datasheets-9529.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 390 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 9 нс | 30б | 0,015А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| 70В3379С6БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 83,3 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3379s6bf8-datasheets-9525.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХР. | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 72кБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6 нс | 15б | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 7016L15PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7016l15pf-datasheets-9509.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР; ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 28б | 16КХ9 | 0,005А | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 71В3578С150ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3578s150pfgi8-datasheets-9495.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 305 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 18б | 0,035А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 7008L35J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008l35j-datasheets-9496.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 512 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 255 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 32б | 64КХ8 | 0,005А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA12BF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,34 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa12bf8-datasheets-9491.pdf | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,15 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 0,015А | 12 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130ЛА55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la55pf8-datasheets-9488.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 110 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 20б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3557SA85BGG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3557sa85bgg-datasheets-9468.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,225 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 7027С15ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7027s15pf-datasheets-9417.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 365 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 30б | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S267BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 267 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s267bq8-datasheets-9389.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3578С133ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3578s133pfg8-datasheets-9340.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 250 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 18б | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ |
