Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 71В124СА15ИГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v124sa15yg8-datasheets-0452.pdf | 20,9 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,2 мм | 1 | Нет | 1 | 100 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА12БФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa12bfi8-datasheets-0437.pdf | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 48 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1,4 мм | 1 | Нет | 1 | 160 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 16б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7007С25Г | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007s25g-datasheets-0436.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 256 КБ | 3,68 мм | 2 | Нет | 305 мА | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 30б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В26Л35Г | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v26l35g-datasheets-0432.pdf | 27,94 мм | 27,94 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,6 В | 3В | 84 | Параллельно | 256 КБ | 3,68 мм | 2 | Нет | 120 мА | ОЗУ, СРАМ | 35 нс | 28б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA15PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa15ph8-datasheets-0404.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,015А | 15 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т653МС10ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/integrateddevicetechnology-70t653ms10bc8-datasheets-0395.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 18 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 810мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 19б | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB041D-ССУ | Микрочип | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 66 МГц | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchip-at45db041dssu-datasheets-0388.pdf | 8 | 512 КБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В05Л25Ж | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v05l25j-datasheets-0377.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 68 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 0,165 мА | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ8 | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA15SO | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa15so-datasheets-0374.pdf | СОИК | 5В | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | 1 | EAR99 | не_совместимо | 1 | 105 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 11б | 2КХ8 | 8 | 0,002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3569С4ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3569s4bc8-datasheets-0345.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫВОДА, ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХРОНИРОВАНИЕМ | Нет | 1 | 460 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 28б | 16КХ36 | 0,015А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70В37Л15ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v37l15pfg8-datasheets-0342.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 576 КБ | да | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 72кБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 30б | 0,003А | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В416С20ПХГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416s20phg-datasheets-0321.pdf | ТСОП | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX29LV040CTI-90G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | ТФСОП | 18,4 мм | 8 мм | Без свинца | 32 | 32 | Параллельно | да | EAR99 | 1 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | ФЛЭШ, НО | 3В | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,000005А | 90 нс | ДА | ДА | 8 | 64К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3569С4БФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3569s4bfg8-datasheets-0301.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Без свинца | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 576 КБ | да | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫВОДА, ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХРОНИРОВАНИЕМ | Нет | 1 | 460 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 28б | 16КХ36 | 0,015А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416YS10Y8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416ys10y8-datasheets-0287.pdf | 28 575 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | Параллельно | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 3,3 В | 1,27 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA15PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa15ph-datasheets-0288.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,015А | 15 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7026С25Г | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7026s25g-datasheets-0232.pdf | 27,94 мм | 27,94 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 256 КБ | нет | 3,68 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 305 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 240 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 14б | 16КХ16 | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В416С10ПХ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416s10ph8-datasheets-0211.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,2 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,02 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V35761S200BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v35761s200bqg-datasheets-0208.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 3,1 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В25С55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/integrateddevicetechnology-70v25s55pf8-datasheets-0201.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 26б | 8КХ16 | 0,005А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA15BFI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,34 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa15bfi-datasheets-0179.pdf | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 0,015А | 15 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В25761С166БГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 166 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v25761s166bgi8-datasheets-0137.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 330 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 17б | 0,035А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA15BF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,34 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa15bf8-datasheets-0093.pdf | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 0,015А | 15 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В3578С150ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3578s150pf-datasheets-0075.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,295 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,03 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577С80БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s80bg-datasheets-0022.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67602S150BGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s150bgi-datasheets-0011.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,53,3 В | 0,325 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В34Л20ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v34l20pf-datasheets-9985.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 72 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 0,175 мА | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 24б | 4КХ18 | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA15BF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,34 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa15bf-datasheets-9974.pdf | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 0,015А | 15 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3599С133BCI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3599s133bci8-datasheets-9935.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 480 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V35761SA166BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761sa166bqg8-datasheets-9922.pdf | ФБГА | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,2 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 320 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ |
