Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Выходные характеристики | Время доступа | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 71В3577С80БГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s80bg8-datasheets-8744.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA25SO | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa25so-datasheets-8700.pdf | СОИК | 5В | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | 1 | EAR99 | 1 | 100 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 11б | 2КХ8 | 8 | 0,002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||
| 71421LA20JG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71421la20jg8-datasheets-8681.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 200 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA20SOI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa20soi-datasheets-8668.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,5 мм | 24 | Параллельно | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,13 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г24 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,002А | 20 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S250BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 250 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s250bqg8-datasheets-8648.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416L15YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416l15yi8-datasheets-8618.pdf | 28 575 мм | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1 | не_совместимо | 1 | 160 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 18б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 71421LA20JG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71421la20jg-datasheets-8608.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 200 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||
| 70В38Л20ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v38l20pf-datasheets-8556.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 205 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 32б | 64КХ18 | 0,003А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S250BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | 250 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s250bqg-datasheets-8525.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В321Л25ТФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v321l25tfg-datasheets-8514.pdf | ЛКФП | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 16 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 100 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 22б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||
| 7140SA100J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140sa100j-datasheets-8490.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 нс | 20б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S167BQI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 167 МГц | СИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s167bqi8-datasheets-8445.pdf | 165 | 165 | Параллельно | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 мм | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,7 мА | Не квалифицированный | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,335А | 0,5 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9089С12ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 33,3 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9089s12pf-datasheets-8426.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 240 мА | 100 | ОЗУ, СРАМ | 25 нс | 32б | 8б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA25J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la25j8-datasheets-8416.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 170 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 20б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7140LA20JG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la20jg8-datasheets-8402.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | да | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 200 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 20б | 1КХ8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||
| X28HC256JIZ-12T1 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-x28hc256jiz12t1-datasheets-8347.pdf | ПЛКК | 5В | 21 неделя | 32 | Параллельно | 256 КБ | Нет | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130SA25J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa25j8-datasheets-8321.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 20б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S167BQI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 167 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s167bqi-datasheets-8322.pdf | ФБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1,9 В | 1,7 В | 20 | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,7 мА | Не квалифицированный | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,335А | 0,5 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 7015L12J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7015l12j8-datasheets-8306.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 72 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | 275 мА | 68 | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 12 нс | 26б | 9б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TH58NVG2S3HTAI0 | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-th58nvg2s3htai0-datasheets-8275.pdf | ТФСОП | 12 недель | Параллельный, последовательный | да | неизвестный | ЭППЗУ, НАНД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7140LA20JG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la20jg-datasheets-8276.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 200 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 20б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P74804S250BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 250 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p74804s250bqg8-datasheets-8242.pdf | 165 | Параллельно | КДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В24С55Дж8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24s55j8-datasheets-8229.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 84 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 24б | 4КХ16 | 0,005А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||
| IDT71016S12PHGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71016s12phgi-datasheets-8222.pdf | ТСОП | 5В | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 1 Мб | да | 1 | неизвестный | 1 | 210 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 16б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416L15Y8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416l15y8-datasheets-8215.pdf | 28 575 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||
| 71В30Л55ТФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v30l55tf8-datasheets-8209.pdf | ЛКФП | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 8 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 105 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 10б | 1КХ8 | 0,003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||
| IDT6116SA45TPGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Рельс/Труба | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa45tpgi-datasheets-8206.pdf | ПДИП | 5В | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | 1 | EAR99 | 1 | 100 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 45 нс | 11б | 2КХ8 | 8 | 0,002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65603С133БГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65603s133bgi8-datasheets-8159.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 320 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 18б | 256КХ36 | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| 71321LA20PFG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321la20pfg8-datasheets-8158.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 16 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 22б | 0,0015А | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||
| 71V67803S133BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67803s133bqg8-datasheets-8139.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 7 недель | 165 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,2 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 30 | СРАМ | 0,26 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | 0,05А | 4,2 нс | ОБЩИЙ |
