Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 70Т631С10БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t631s10bf-datasheets-9325.pdf | 15 мм | 15 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 405 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 36б | 0,01 А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA35C | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la35c-datasheets-9313.pdf | ОКУНАТЬ | 61,72 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 8 КБ | 3,3 мм | 2 | Нет | 120 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 35 нс | 20б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S267BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 267 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s267bq-datasheets-9273.pdf | ФБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 20 | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,95 мА | Не квалифицированный | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,42 А | 0,45 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65903С80ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 95 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65903s80pfg8-datasheets-9208.pdf | TQFP | 20 мм | 1,4 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 250 мА | 100 | 8 недель | 657,000198мг | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПРОТОКОВЫЙ | Нет | 1 | 250 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 8 нс | 19б | 18б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S15Y8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s15y8-datasheets-9186.pdf | 20,955 мм | 5В | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | не_совместимо | 1 | 155 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В416С10ФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416s10phi8-datasheets-9176.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 20 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65803С133БГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65803s133bgi8-datasheets-9168.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 320 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 19б | 0,06А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S250BQI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 250 МГц | СИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s250bqi8-datasheets-9170.pdf | 165 | 165 | Параллельно | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 мм | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,9 мА | Не квалифицированный | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,41 А | 0,45 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7007С55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007s55pf8-datasheets-9163.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 270 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 32КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 30б | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| 7142LA55J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142la55j-datasheets-9148.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 110 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 22б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S250BQI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 250 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s250bqi-datasheets-9072.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1,9 В | 1,7 В | 20 | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,9 мА | Не квалифицированный | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,41 А | 0,45 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 7142LA20JG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142la20jg8-datasheets-9061.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 200 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 22б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В261С35ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v261s35pf-datasheets-9043.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 256 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 140 мА | 32КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 35 нс | 28б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В124СА12ИГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v124sa12yg8-datasheets-9030.pdf | 20,9 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,2 мм | 1 | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 7142LA20JG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142la20jg-datasheets-9023.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Без свинца | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 200 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 22б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА20ПХГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa20phgi-datasheets-9009.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 1 Мб | да | 1 мм | 1 | Нет | 1 | 120 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 16б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71Т75602С133ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s133pfg-datasheets-8998.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 100 | Параллельно | 18 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 195 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 19б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||
| 70В3319С133ПРФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3319s133prfi8-datasheets-8969.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОЧНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 480 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 18б | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 7024Л20ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024l20pf8-datasheets-8954.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 12б | 4КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S250BQGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 250 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s250bqgi8-datasheets-8941.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416S10BEI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416s10bei8-datasheets-8939.pdf | ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б48 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,02 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В321Л25ТФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v321l25tf-datasheets-8936.pdf | TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 100 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 64 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||
| 7035С15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7035s15pf8-datasheets-8937.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 13б | 8КХ8 | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| IDT71P79804S250BQGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | 250 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p79804s250bqgi-datasheets-8866.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9279С6ПРФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 52,6 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9279s6prf-datasheets-8843.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 128 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 395 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6 нс | 30б | 0,005А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| 7142LA100P | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/integrateddevicetechnology-7142la100p-datasheets-8837.pdf | ПДИП | 61,7 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | 3,8 мм | 2 | Нет | 110 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 нс | 22б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71321LA20PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321la20pf8-datasheets-8829.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 11б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||
| 70В631С12БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s12bf8-datasheets-8776.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 465 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71В632С5ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v632s5pfgi8-datasheets-8777.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 7 недель | 3,63 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 2 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ 3.3VI/O. | Нет | 1 | 200 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 16б | 64КХ32 | 32б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 71В3578ИС133ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3578ys133pfg-datasheets-8750.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3А991 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-F100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,03 А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В |
