Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 71V3558SA133BQGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3558sa133bqgi8-datasheets-1190.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 11 недель | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,2 мм | 1 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | ОЗУ, СРАМ | 18б | 4,2 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416VL12BE8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl12be8-datasheets-1174.pdf | ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б48 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA20BFI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,34 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa20bfi-datasheets-1167.pdf | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,12 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 0,015А | 20 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133LA20JG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133la20jg-datasheets-1139.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Без свинца | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 280 мА | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 22б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709099L9PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | 66,6 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709099l9pfi8-datasheets-1104.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 1 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | 430 мА | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 9 нс | 34б | 8б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В416ВЛ12БЕ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl12be-datasheets-1099.pdf | ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 48 | Параллельно | да | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,17 мА | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б48 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577С80БК | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s80bq-datasheets-1089.pdf | ФБГА | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67703S75PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67703s75pf8-datasheets-1088.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,265 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 117 МГц | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05А | 7,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA20BF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,34 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa20bf8-datasheets-1081.pdf | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,12 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 0,015А | 20 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65803С150БКИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65803s150bqi-datasheets-1076.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | Нет | 1 | 345 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 19б | 0,06А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В416Л10ПХ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416l10ph8-datasheets-1063.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,01 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70914S25PFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | ЛКФП | 14 мм | 5В | 80 | 80 | Параллельно | 36 КБ | да | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 80 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | ОЗУ, СРАМ | 24б | 4KX9 | 9 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132LA55CB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132la55cb-datasheets-1058.pdf | ОКУНАТЬ | 61,72 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | 3,3 мм | 2 | Нет | 140 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 22б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71024S15TYG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,759 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71024s15tyg-datasheets-1054.pdf | 21,95 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 32 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,67 мм | 1 | Нет | 1 | 155 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т659С12ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 355 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 17б | 0,01 А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 71В3559С80БКИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | $9,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 95 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3559s80bqi-datasheets-1016.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | Нет | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 18б | 0,045А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 709269S9PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709269s9pf8-datasheets-0999.pdf | ЛКФП | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 100 | Параллельно | 256 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | ОЗУ, СРАМ | 28б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71124S12YGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71124s12ygi8-datasheets-0991.pdf | 20,955 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | Параллельно | 3A991.B.2.B | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 1,27 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,16 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V424L10YI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424l10yi-datasheets-0984.pdf | 36 | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67602S150PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s150pfi8-datasheets-0974.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,325 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||
| 71Т75802С100БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | $35,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75802s100bg-datasheets-0910.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 119 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 175 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 20б | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||
| 7006L17PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006l17pf-datasheets-0896.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17 нс | 28б | 16КХ8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||
| 709079С12ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 33,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709079s12pf8-datasheets-0893.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 345 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 15б | 0,015А | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| IDT71T016SA20BF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,34 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t016sa20bf-datasheets-0877.pdf | 7 мм | 7 мм | 48 | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,12 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 0,015А | 20 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 7015С25ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7015s25pf8-datasheets-0882.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 72 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 265 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ9 | 0,015А | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| IDT71V416VL10PHG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl10phg8-datasheets-0873.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | да | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577С85БГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 87 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s85bg8-datasheets-0866.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 87 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,5 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 709349L9PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709349l9pf8-datasheets-0864.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 72 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 0,36 мА | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 9 нс | 24б | 4КХ18 | 0,003А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 7134SA20J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7134sa20j8-datasheets-0856.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 24б | 4KX8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| IDT71V016SA15PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016sa15ph-datasheets-0854.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ ОТ 3 В ДО 3,6 В. | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3,15 В | ДА |
