Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDT71T75602S100PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75602s100pfi8-datasheets-2910.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,195 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||
| IDT71V416YS15PHI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416ys15phi-datasheets-2891.pdf | ТСОП | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1 | не_совместимо | 1 | 170 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 18б | 16 | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71804S200BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71804s200bq8-datasheets-2887.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 20 | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,55 мА | Не квалифицированный | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,3 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||
| 70В9099Л6ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9099l6pf8-datasheets-2879.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 34б | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||
| 71Т75602С150БГГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s150bggi-datasheets-2833.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Без свинца | 119 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | да | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 235 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 19б | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||
| 7038Л20ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7038l20pfi8-datasheets-2816.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 1,1 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | 360 мА | ОЗУ, СРАМ | 20 нс | 16б | 18б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71Т75602С100ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75602s100pfi-datasheets-2817.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,195 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||
| 7140ЛА55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la55pf8-datasheets-2819.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 110 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 20б | 1КХ8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||
| 70В24Л35ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24l35pf8-datasheets-2798.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 24б | 4КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||
| 70Т659С10ДР | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t659s10dr-datasheets-2795.pdf | ПКФП | 28 мм | 28 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 3,5 мм | 2 | Нет | 1 | 405 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 2,5 В | 0,5 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 34б | 0,01 А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416VL15BEGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl15begi-datasheets-2783.pdf | ТФБГА | 9 мм | 3,3 В | 48 | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 4 Мб | 1 | 1 | 160 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 18б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71604S200BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 200 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71604s200bq8-datasheets-2782.pdf | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 165 | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71Т75602С150БГГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s150bgg8-datasheets-2746.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Без свинца | 119 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | да | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 215 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 19б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||
| TH58NVG3S0HTA00 | Тошиба | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-th58nvg3s0hta00-datasheets-2743.pdf | ТФСОП | Параллельный, последовательный | ЭППЗУ, НАНД | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9089Л12ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9089l12pfi-datasheets-2722.pdf | ЛКФП | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 100 | ОЗУ, СРАМ | 32б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67602S150BG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s150bg-datasheets-2713.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,53,3 В | 0,325 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416VL15BEG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl15beg8-datasheets-2707.pdf | ТФБГА | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75602S100PFGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75602s100pfgi8-datasheets-2694.pdf | ЛКФП | 100 | Параллельно | неизвестный | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | 0,635 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 2,5 В | 0,195 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В24Л25ДЖ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24l25j8-datasheets-2629.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 84 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 165 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||
| 71Т75602С150БГГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/integrateddevicetechnology-71t75602s150bgg-datasheets-2621.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Без свинца | 119 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | да | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 215 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 19б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||
| IDT71T75602S100PFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75602s100pfgi-datasheets-2609.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 30 | СРАМ | 2,5 В | 0,195 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA10PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa10ph-datasheets-2606.pdf | СОИК | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,145 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г32 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3,15 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416YS12PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416ys12ph-datasheets-2603.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,02 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В416ВЛ15БЕГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl15beg-datasheets-2604.pdf | ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.A | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б48 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| 7130ЛА55Л48Б | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la55l48b-datasheets-2596.pdf | БКФН | 14,2 мм | 14,22 мм | 5В | Содержит свинец | 10 недель | 48 | Параллельно | 8 КБ | 1,78 мм | 2 | Нет | ОЗУ, СРАМ | 20б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В30Л25ТФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v30l25tfg-datasheets-2577.pdf | TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 8 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 120 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 10б | 1КХ8 | 0,003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||
| 71В2546С133БГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2546s133bgi-datasheets-2541.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ДРУГОЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||
| 71T75602S133PFGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s133pfgi8-datasheets-2540.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 100 | Параллельно | 18 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 215 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 19б | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||
| IDT71V416VL15BE8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl15be8-datasheets-2530.pdf | ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 48 | Параллельно | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б48 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7015S17J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7015s17j8-datasheets-2522.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 72 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17 нс | 26б | 8КХ9 | 0,015А | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ |
