Память – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Память(55331)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Толщина Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Уровень скрининга Размер Тип Частота (макс.) Выходные характеристики Время доступа Ширина адресной Организация Ширина памяти Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Тип ввода/вывода Напряжение в режиме ожидания-мин.
IDT71V67602S166BG IDT71V67602S166BG Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц СИНХРОННЫЙ 2,36 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s166bg-datasheets-2112.pdf БГА 22 мм 14 мм 119 Параллельно 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 3,3 В 1,27 мм 119 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 3,135 В НЕ УКАЗАН СРАМ 2,53,3 В 0,34 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 256КХ36 36 9437184 бит 0,05 А 3,5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
IDT71V3556S100BGI IDT71V3556S100BGI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц СИНХРОННЫЙ 2,36 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s100bgi-datasheets-2113.pdf БГА 22 мм 14 мм 119 Параллельно 3A991.B.2.A не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 3,3 В 1,27 мм 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В НЕ УКАЗАН СРАМ 3,3 В 0,255 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,045А 5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
70V35L20PFI8 70В35Л20ПФИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v35l20pfi8-datasheets-2109.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 100 7 недель 3,6 В 3В 100 Параллельно 144 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 195 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,5 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ 18КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 26б 8КХ18 0,005А 18б Асинхронный ОБЩИЙ 3В
7133SA35PF 7133SA35PF Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133sa35pf-datasheets-2101.pdf TQFP 14 мм 14 мм 5В Содержит свинец 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 32 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 1 295мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 5В 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 5В Не квалифицированный 4 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 22б 0,015А 16б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
IDT71V416L12YI IDT71V416L12YI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 3,683 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416l12yi-datasheets-2098.pdf 28 575 мм 10,16 мм 44 44 Параллельно нет 3A991.B.2.A не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 3,3 В 1,27 мм 44 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,6 В 3В 30 СРАМ 3,3 В 0,17 мА Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 256КХ16 16 4194304 бит 0,01 А 12 нс ОБЩИЙ 3В
7024S15J 7024S15J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024s15j-datasheets-2087.pdf ПЛКК 29,21 мм 29,21 мм 5В Содержит свинец 84 7 недель 5,5 В 4,5 В 84 Параллельно 64 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 310 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 84 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 8 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15 нс 24б 4КХ16 0,015А 16б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V416VL12PHI8 IDT71V416VL12PHI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl12phi8-datasheets-1999.pdf ТСОП Параллельно ОЗУ, SRAM — асинхронное
IDT71V2556S100PF ИДТ71В2556С100ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2556s100pf-datasheets-1984.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 2,53,3 В 0,25 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,04 А 5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
71421LA55J8 71421LA55J8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71421la55j8-datasheets-1970.pdf ПЛКК 19 мм 19 мм 5В Содержит свинец 52 7 недель 5,5 В 4,5 В 52 Параллельно 16 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ Нет 1 110 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 52 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 2 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 22б 0,0015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
IDT71T75602S150PF IDT71T75602S150PF Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 150 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75602s150pf-datasheets-1962.pdf TQFP 20 мм 2,5 В 100 2625 В 2,375 В 100 Параллельно 18 Мб 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 1 215 мА е0 КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 2,5 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,8 нс 19б 36 0,04 А 36б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
7134SA70J 7134SA70J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7134sa70j-datasheets-1947.pdf ПЛКК 19 мм 19 мм 5В Содержит свинец 52 7 недель 5,5 В 4,5 В 52 Параллельно 32 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 240 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 52 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 4 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 70 нс 24б 4KX8 0,015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
7006S35G 7006С35Г Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006s35g-datasheets-1924.pdf 29,46 мм 29,46 мм 5В Содержит свинец 68 7 недель 5,5 В 4,5 В 68 Параллельно 128 КБ нет 3,68 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ПЕРПЕНДИКУЛЯР ПИН/ПЭГ 240 5В 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 28б 16КХ8 0,015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
71T75602S100BGGI8 71Т75602С100БГГИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s100bggi8-datasheets-1923.pdf БГА 14 мм 22 мм 2,5 В Без свинца 119 8 недель 2625 В 2,375 В 119 Параллельно 18 Мб да 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 195 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 2,5 В 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 2,3 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 100 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 19б 0,06А 36б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
IDT71V416VL12PHI ИДТ71В416ВЛ12ФИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl12phi-datasheets-1898.pdf ТСОП Параллельно ОЗУ, SRAM — асинхронное
7140SA20PF 7140SA20PF Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140sa20pf-datasheets-1875.pdf TQFP 14 мм 14 мм 5В Содержит свинец 64 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 8 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 5В 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 5В 1 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 20б 1КХ8 0,015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
71V416S12YG8 71В416С12ИГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,683 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416s12yg8-datasheets-1858.pdf 28,6 мм 10,2 мм 3,3 В Без свинца 44 12 недель 3,6 В 3В 44 Параллельно 4 Мб да 2,9 мм 1 Нет 1 180 мА е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 260 3,3 В 44 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 512 КБ Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 18б 0,02 А 16б Асинхронный ОБЩИЙ 3В
7142LA100CB 7142LA100CB Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 125°С -55°С Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142la100cb-datasheets-1834.pdf ОКУНАТЬ 61,72 мм 15,24 мм 5В Содержит свинец 5,5 В 4,5 В 48 Параллельно 16 КБ 3,3 мм 2 Нет 140 мА ОЗУ, СРАМ 100 нс 22б 8б Асинхронный
71321LA20TFG8 71321LA20TFG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321la20tfg8-datasheets-1829.pdf ЛКФП 10 мм 10 мм 5В Без свинца 64 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 16 КБ да 1,4 мм 2 EAR99 РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ Нет 1 е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 5В 0,5 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 5В 2 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 22б 0,004А ОБЩИЙ 2В
71T75602S100BGGI 71Т75602С100БГГИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2012 год /files/integrateddevicetechnology-71t75602s100bggi-datasheets-1817.pdf БГА 14 мм 22 мм 2,5 В Без свинца 119 8 недель 2625 В 2,375 В 119 Параллельно 18 Мб да 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 195 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 2,5 В 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 2,3 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 100 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 19б 0,06А 36б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
71256L25TDB 71256L25TDB Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С КМОП 5,08 мм Соответствует RoHS 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71256l25tdb-datasheets-1810.pdf КРИС 37,72 мм 7,62 мм 5В Содержит свинец 28 5,5 В 4,5 В 28 Параллельно 256 КБ нет 3,56 мм 1 Нет 1 130 мА е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДВОЙНОЙ 240 5В 2,54 мм 28 ВОЕННЫЙ СРАМ 5В MIL-STD-883 Класс B ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 15б 32КХ8 0,0005А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
70V9269S6PRF 70В9269С6ПРФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 52,6 МГц Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9269s6prf-datasheets-1802.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 128 7 недель 3,6 В 3В 128 Параллельно 256 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 395 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 0,5 мм 128 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 32КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 6 нс 14б 16КХ16 0,005А 16б синхронный ОБЩИЙ 3В
IDT71V416VL12PHG8 IDT71V416VL12PHG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,2 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl12phg8-datasheets-1783.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 44 Параллельно да 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,8 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3В 30 Не квалифицированный Р-ПДСО-Г44 ОЗУ, SRAM — асинхронное 256КХ16 16 4194304 бит 12 нс
70V06S55J 70В06С55Ж Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06s55j-datasheets-1760.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм 3,3 В Содержит свинец 68 7 недель 3,6 В 3В 68 Параллельно 128 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 180 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 3,3 В 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 28б 16КХ8 0,005А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
71256S100DB 71256S100DB Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С КМОП 5,08 мм Соответствует RoHS 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71256s100db-datasheets-1755.pdf КРИС 37,2 мм 15,24 мм 5В Содержит свинец 28 10 недель 5,5 В 4,5 В 28 Параллельно 256 КБ нет 1,65 мм 1 Нет 1 135 мА е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) ДВОЙНОЙ 240 5В 2,54 мм 28 ВОЕННЫЙ СРАМ 5В MIL-STD-883 Класс B ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 100 нс 15б 32КХ8 0,02 А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
71256SA20YGI 71256SA20YGI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 3,556 мм Соответствует RoHS 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71256sa20ygi-datasheets-1749.pdf 17,9 мм 7,6 мм 5В Без свинца 28 12 недель 5,5 В 4,5 В 28 Параллельно 256 КБ да 2,67 мм 1 EAR99 Нет 1 145 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 260 5В 28 ПРОМЫШЛЕННЫЙ СРАМ 5В 32КБ Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 15б 32КХ8 8б Асинхронный ОБЩИЙ
7143SA20J 7143SA20J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 70°С 0°С Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7143sa20j-datasheets-1741.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм 5В Содержит свинец 7 недель 5,5 В 4,5 В 68 Параллельно 32 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 Нет 310 мА 68 4 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 20 нс 22б 16б Асинхронный
71V67603S150BG 71В67603С150БГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 150 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67603s150bg-datasheets-1728.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Содержит свинец 119 7 недель 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 9 Мб да 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 305 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 1,1 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 150 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,8 нс 18б 256КХ36 0,07А 36б синхронный ОБЩИЙ
71V3556SA100BG8 71В3556СА100БГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa100bg8-datasheets-1719.pdf БГА 14 мм 2,15 мм 22 мм 3,3 В Содержит свинец 250 мА 119 7 недель 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб нет 2,15 мм 1 Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 119 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 100 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 17б 0,04 А 36б синхронный ОБЩИЙ
71T75602S100BGG8 71Т75602С100БГГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s100bgg8-datasheets-1714.pdf БГА 14 мм 22 мм 2,5 В Без свинца 119 8 недель 2625 В 2,375 В 119 Параллельно 18 Мб да 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 175 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 2,5 В 119 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 2,3 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 100 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 19б 0,04 А 36б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
70V639S12BFI8 70В639С12БФИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s12bfi8-datasheets-1702.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Содержит свинец 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 2,3 МБ нет 1,4 мм 2 Нет 1 515 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 0,8 мм 208 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 34б 0,015А 18б Асинхронный ОБЩИЙ
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)