Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7133SA25PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133sa25pf8-datasheets-6355.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3579YS85PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3579ys85pf-datasheets-6340.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,03 А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116LA35TPG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | КМОП | 4,191 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116la35tpg-datasheets-6342.pdf | ОКУНАТЬ | 31,75 мм | 7,62 мм | 24 | Параллельно | 1 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 5В | 2,54 мм | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,095 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,00002А | 35 нс | ОБЩИЙ | 2В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В67603С150ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67603s150pfi-datasheets-6338.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,325 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,07А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P72804S167BQI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | 167 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p72804s167bqi-datasheets-6328.pdf | 165 | Параллельно | КДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В06Л15ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06l15pfg-datasheets-6300.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 128 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 185 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 28б | 16КХ8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132SA20J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132sa20j-datasheets-6288.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 250 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 22б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7008С55ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008s55pfi-datasheets-6285.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 310 мА | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 32б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116LA35SOGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116la35sogi8-datasheets-6272.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,5 мм | 24 | Параллельно | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,095 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г24 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,00002А | 35 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P72804S167BQGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 167 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p72804s167bqgi8-datasheets-6238.pdf | 165 | Параллельно | КДР, ОЗУ, СОЗУ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3579YS65PFG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3579ys65pfg-datasheets-6234.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,3 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 133 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,03 А | 6,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В321Л25ТФГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v321l25tfgi-datasheets-6196.pdf | TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 16 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 64 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132SA55C | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132sa55c-datasheets-6190.pdf | ОКУНАТЬ | 61,72 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 48 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,3 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 22б | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71Т75602С150ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s150pfg-datasheets-6188.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 100 | Параллельно | 18 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 215 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 19б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3379С5БФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3379s5bfi8-datasheets-6179.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХР. | Нет | 1 | 415 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 30б | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P72604S167BQGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | 167 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p72604s167bqgi-datasheets-6148.pdf | 1,8 В | 1,9 В | 1,7 В | 165 | Параллельно | 18 Мб | 2 | 900 мА | 165 | КДР, ОЗУ, СОЗУ | 500 пс | 18б | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132SA100P | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132sa100p-datasheets-6136.pdf | ПДИП | 61,7 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | 3,8 мм | 2 | Нет | 155 мА | 2 КБ | СДР | 100 нс | 22б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116LA35SOGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116la35sogi-datasheets-6131.pdf | СОИК | 5В | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | 1 | EAR99 | неизвестный | 1 | 95 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 11б | 2КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3579S85PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3579s85pfi8-datasheets-6134.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,19 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,035А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В321С35ДЖ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v321s35j8-datasheets-6135.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 52 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 125 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 22б | 0,005А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7009L15PFG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7009l15pfg-datasheets-6101.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 1 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | 340 мА | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 15 нс | 34б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132LA55PDGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132la55pdgi-datasheets-6091.pdf | ОКУНАТЬ | 61,7 мм | 15,24 мм | 5В | Без свинца | 48 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | да | 3,8 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 140 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 22б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65603С133БГГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65603s133bgg8-datasheets-6086.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 119 | 7 недель | 119 | Параллельно | 9 Мб | да | 2,15 мм | 1 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 30 | СРАМ | 0,3 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | 256КХ36 | 0,04 А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В25Л25Дж | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v25l25j-datasheets-6045.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 165 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71804S250BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | 250 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71804s250bqg-datasheets-6043.pdf | 165 | Параллельно | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX68GL1G0FUXFI-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует RoHS | 13 мм | 11 мм | 64 | Параллельно | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицированный | Р-ПБГА-Б64 | ФЛЭШ, НО | 3В | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | 8 | 0,00012А | 120 нс | ДА | ДА | 1К | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65703С85БГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 91 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65703s85bgi-datasheets-6036.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 60 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,5 нс | 18б | 256КХ36 | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V016SA20Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016sa20y-datasheets-6029.pdf | 28 575 мм | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1 | 1 | 120 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 16б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В25С35ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v25s35pf-datasheets-6021.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 26б | 8КХ16 | 0,005А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71016S20PHI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71016s20phi-datasheets-5992.pdf | ТСОП | 5В | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1 | не_совместимо | 1 | 170 мА | е0 | 5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 16б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ |
