Память – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Толщина Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Напряжение Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Уровень скрининга Размер Тип Частота (макс.) Выходные характеристики Время доступа Программирование напряжения Ширина адресной Организация Ширина памяти Плотность памяти Альтернативная ширина памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Выносливость Максимальное время записи цикла (tWC) Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Опрос данных Переключить бит Количество секторов/размер Размер сектора Готов/Занят Загрузочный блок Тип ввода/вывода Напряжение в режиме ожидания-мин. Включение выхода
MX29F400CBTI-90G MX29F400CBTI-90G Макроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП АСИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS ТФСОП 18,4 мм 12 мм 48 Параллельно да EAR99 НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ 8542.32.00.51 1 е3 Матовый олово (Sn) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 0,5 мм 48 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 5,5 В 4,5 В 40 Флэш-памяти 0,05 мА Не квалифицированный Р-ПДСО-Г48 ФЛЭШ, НО 256КХ16 16 4194304 бит 8 0,000005А 100000 циклов записи/стирания 90 мс 90 нс ДА ДА 1217 16К8К32К64К ДА НИЖНИЙ
7130LA25PFI8 7130LA25PFI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la25pfi8-datasheets-6821.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 8 КБ 1,4 мм 2 Нет 220 мА 1 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 25 нс 20б Асинхронный
709359L6PF8 709359L6PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 70°С 0°С 52,6 МГц Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709359l6pf8-datasheets-6819.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 144 КБ 1,4 мм 2 Нет 430 мА 18КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 6,5 нс 26б 18б синхронный
70V657S10BFG 70В657С10БФГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v657s10bfg-datasheets-6807.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Без свинца 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 1,1 Мб да 1,4 мм 2 Нет 1 500 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 0,8 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 128 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 10 нс 30б 0,015А 36б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71256SA20Y IDT71256SA20Y Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,556 мм Соответствует RoHS 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa20y-datasheets-6808.pdf ТАК 28 5,5 В 4,5 В 28 Параллельно 256 КБ нет 1 EAR99 1 145 мА е0 ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 28 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 15б 32КХ8 8 Асинхронный ОБЩИЙ ДА
7143SA90J8 7143SA90J8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 70°С 0°С Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7143sa90j8-datasheets-6741.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм Содержит свинец 7 недель 5,5 В 4,5 В 68 Параллельно 32 КБ 3,63 мм 2 Нет 280 мА 4 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 90 нс 22б 16б Асинхронный
IDT71024S20Y IDT71024S20Y Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,683 мм Не соответствует требованиям RoHS 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s20y-datasheets-6653.pdf 20,96 мм 10,16 мм 32 32 Параллельно нет 1 3A991.B.2.B не_совместимо 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 1,27 мм 32 КОММЕРЧЕСКИЙ 5,5 В 4,5 В 20 СРАМ 0,14 мА Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ8 8 1048576 бит 0,01 А 20 нс ОБЩИЙ 4,5 В ДА
71342LA35J8 71342LA35J8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la35j8-datasheets-6641.pdf ПЛКК 19 мм 19 мм Содержит свинец 52 7 недель 5,5 В 4,5 В 52 Параллельно 32 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ Нет 1 200 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 52 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 4 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 24б 4KX8 0,0015А Асинхронный ОБЩИЙ
7133SA70J8 7133SA70J8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133sa70j8-datasheets-6629.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм Содержит свинец 68 7 недель 5,5 В 4,5 В 68 Параллельно 32 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 280 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 4 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 70 нс 22б 0,0015А 16б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V3577S80PFI ИДТ71В3577С80ПФИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577s80pfi-datasheets-6626.pdf TQFP 20 мм 3,3 В 100 3,465 В 3,135 В 100 Параллельно 4,5 Мб 1 ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 1 210 мА е0 КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 8 нс 17б 36 0,035А 36б синхронный ОБЩИЙ
70V639S10PRFG8 70В639С10ПРФГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s10prfg8-datasheets-6619.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 128 7 недель 3,45 В 3,15 В 128 Параллельно 2,3 МБ да 1,4 мм 2 Нет 1 500 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,5 мм 128 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 10 нс 34б 0,015А 18б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71016S20Y IDT71016S20Y Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,683 мм Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71016s20y-datasheets-6616.pdf 28 575 мм 10,16 мм 44 44 Параллельно нет 1 3A991.B.2.B не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 1,27 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 5,5 В 4,5 В 30 СРАМ 0,17 мА Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 64КХ16 16 1048576 бит 0,01 А 20 нс ОБЩИЙ 4,5 В ДА
7005S25GB 7005С25ГБ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С КМОП Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s25gb-datasheets-6605.pdf 29,46 мм 29,46 мм Содержит свинец 68 10 недель 68 Параллельно 64 КБ нет 3,68 мм 2 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) НЕТ ПЕРПЕНДИКУЛЯР ПИН/ПЭГ 240 68 ВОЕННЫЙ СРАМ 0,34 мА ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 26б 8КХ8 ОБЩИЙ
70V06S15PF8 70В06С15ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06s15pf8-datasheets-6603.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 64 7 недель 3,6 В 64 Параллельно 128 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 215 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15 нс 28б 16КХ8 0,005А Асинхронный ОБЩИЙ
71V124SA15PHGI 71В124СА15ПХГИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v124sa15phgi-datasheets-6559.pdf СОИК 20,95 мм 10,16 мм 3,3 В Без свинца 32 7 недель 3,6 В 32 Параллельно 1 Мб да 1 мм 1 Нет 1 120 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 32 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 128 КБ Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15 нс 17б Асинхронный ОБЩИЙ
70V639S10PRFG 70В639С10ПРФГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s10prfg-datasheets-6553.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 128 7 недель 3,45 В 3,15 В 128 Параллельно 2,3 МБ да 1,4 мм 2 Нет 1 500 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,5 мм 128 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 256 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 10 нс 17б 0,015А 18б Асинхронный ОБЩИЙ
71V416L12PHG/3247 71В416Л12ПХГ/3247 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Масса 70°С 0°С Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416l12phg3247-datasheets-6528.pdf ТСОП 3,3 В 12 недель 44 Параллельно 4 Мб 1 Нет ОЗУ, SRAM — асинхронное 18б
7130LA35FB 7130LA35FB Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 1 (без блокировки) 125°С -55°С КМОП Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la35fb-datasheets-6527.pdf 19 мм 19 мм Содержит свинец 48 5,5 В 4,5 В 48 Параллельно 8 КБ нет 2,2 мм 2 Нет 1 170 мА е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) КВАД ПЛОСКИЙ 240 48 ВОЕННЫЙ СРАМ MIL-PRF-38535 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 20б 1КХ8 0,004А Асинхронный ОБЩИЙ
70T3599S200BC8 70Т3599С200ВС8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 70°С 0°С 200 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3599s200bc8-datasheets-6511.pdf 17 мм 17 мм 2,5 В Содержит свинец 7 недель 2,6 В 2,4 В 256 Параллельно 4,5 Мб 1,4 мм 2 Нет 525 мА ОЗУ, СРАМ 10 нс 34б 36б синхронный
71V3556SA133BG 71В3556СА133БГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa133bg-datasheets-6512.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Содержит свинец 119 7 недель 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб нет 2,15 мм 1 Нет 1 300 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 119 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 133 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 4,2 нс 17б 0,04 А 36б синхронный ОБЩИЙ
IDT71024S20TYI IDT71024S20TYI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Поверхностный монтаж Рельс/Труба 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 3,759 мм Не соответствует требованиям RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s20tyi-datasheets-6508.pdf 20,96 мм 32 5,5 В 4,5 В 32 Параллельно 1 Мб нет 1 не_совместимо 1 140 мА е0 ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 32 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 17б 8 Асинхронный ОБЩИЙ
7005S35PF 7005С35ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s35pf-datasheets-6489.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 64 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 64 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 8КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 26б 8КХ8 0,015А Асинхронный ОБЩИЙ
7025S17PF8 7025С17ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025s17pf8-datasheets-6488.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 128 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР Нет 1 310 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 17 нс 26б 8КХ16 0,015А 16б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71024S20TY IDT71024S20TY Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Поверхностный монтаж Рельс/Труба 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,759 мм Соответствует RoHS 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s20ty-datasheets-6468.pdf ТАК 20,96 мм 32 5,5 В 4,5 В 32 Параллельно 1 Мб нет 1 1 140 мА е0 ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 32 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 17б 8 Асинхронный ОБЩИЙ ДА
70V06L35PF 70В06Л35ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06l35pf-datasheets-6415.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 64 7 недель 3,6 В 64 Параллельно 128 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 155 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 28б 16КХ8 Асинхронный ОБЩИЙ
70V5388S200BCG 70В5388С200БЦГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 200 МГц 1,7 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v5388s200bcg-datasheets-6393.pdf 17 мм 17 мм 3,3 В Без свинца 256 3,45 В 3,15 В 256 Параллельно 1,1 Мб да 1,4 мм 4 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 470 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3 нс 16б 0,015А 18б синхронный ОБЩИЙ
IDT71V546S133PFI ИДТ71В546С133ПФИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 133 МГц СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v546s133pfi-datasheets-6386.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,31 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,045А 4,2 нс ОБЩИЙ 3,14 В
7130SA20J 7130SA20J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa20j-datasheets-6368.pdf ПЛКК 19 мм 19 мм Содержит свинец 52 7 недель 5,5 В 4,5 В 52 Параллельно 8 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 52 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 1 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 20б 1КХ8 0,015А Асинхронный ОБЩИЙ
70V3599S166BC 70В3599С166ВС Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3599s166bc-datasheets-6347.pdf 17 мм 17 мм 3,3 В Содержит свинец 256 7 недель 3,45 В 3,15 В 256 Параллельно 4,5 Мб нет 1,4 мм 2 Нет 1 500 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 3,3 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 34б 0,03 А 36б синхронный ОБЩИЙ
7130LA20TF8 7130LA20TF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 70°С 0°С Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la20tf8-datasheets-6283.pdf ЛКФП 10 мм 10 мм Содержит свинец 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 8 КБ 1,4 мм 2 Нет 200 мА 1 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 20 нс 10б Асинхронный

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.