| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MX29F400CBTI-90G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | ТФСОП | 18,4 мм | 12 мм | 48 | Параллельно | да | EAR99 | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 40 | Флэш-памяти | 5В | 0,05 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г48 | ФЛЭШ, НО | 5В | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 8 | 0,000005А | 100000 циклов записи/стирания | 90 мс | 90 нс | ДА | ДА | 1217 | 16К8К32К64К | ДА | НИЖНИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA25PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la25pfi8-datasheets-6821.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 220 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 20б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709359L6PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 52,6 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709359l6pf8-datasheets-6819.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 144 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 430 мА | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 6,5 нс | 26б | 18б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В657С10БФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v657s10bfg-datasheets-6807.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Без свинца | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 1,1 Мб | да | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 30б | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA20Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa20y-datasheets-6808.pdf | ТАК | 5В | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1 | EAR99 | 1 | 145 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 15б | 32КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7143SA90J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7143sa90j8-datasheets-6741.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 280 мА | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 90 нс | 22б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S20Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s20y-datasheets-6653.pdf | 20,96 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 20 | СРАМ | 5В | 0,14 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 20 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA35J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la35j8-datasheets-6641.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 24б | 4KX8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133SA70J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133sa70j8-datasheets-6629.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 70 нс | 22б | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В3577С80ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3577s80pfi-datasheets-6626.pdf | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 1 | 210 мА | е0 | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 17б | 36 | 0,035А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В639С10ПРФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s10prfg8-datasheets-6619.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 2,3 МБ | да | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 34б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71016S20Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71016s20y-datasheets-6616.pdf | 28 575 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,17 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,01 А | 20 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005С25ГБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s25gb-datasheets-6605.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 10 недель | 68 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,68 мм | 2 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 240 | 5В | 68 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 0,34 мА | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 26б | 8КХ8 | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В06С15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06s15pf8-datasheets-6603.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 215 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 28б | 16КХ8 | 0,005А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В124СА15ПХГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v124sa15phgi-datasheets-6559.pdf | СОИК | 20,95 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 1 мм | 1 | Нет | 1 | 120 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В639С10ПРФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s10prfg-datasheets-6553.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 2,3 МБ | да | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 17б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В416Л12ПХГ/3247 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416l12phg3247-datasheets-6528.pdf | ТСОП | 3,3 В | 12 недель | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 18б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA35FB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la35fb-datasheets-6527.pdf | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 48 | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 8 КБ | нет | 2,2 мм | 2 | Нет | 1 | 170 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | ПЛОСКИЙ | 240 | 5В | 48 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-PRF-38535 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 20б | 1КХ8 | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т3599С200ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3599s200bc8-datasheets-6511.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | 525 мА | ОЗУ, СРАМ | 10 нс | 34б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА133БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa133bg-datasheets-6512.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | Нет | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 17б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S20TYI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,759 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s20tyi-datasheets-6508.pdf | 20,96 мм | 5В | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1 | не_совместимо | 1 | 140 мА | е0 | 5В | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005С35ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s35pf-datasheets-6489.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 26б | 8КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025С17ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025s17pf8-datasheets-6488.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17 нс | 26б | 8КХ16 | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S20TY | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,759 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s20ty-datasheets-6468.pdf | ТАК | 20,96 мм | 5В | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1 | 1 | 140 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В06Л35ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06l35pf-datasheets-6415.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 155 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 28б | 16КХ8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В5388С200БЦГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v5388s200bcg-datasheets-6393.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 1,1 Мб | да | 1,4 мм | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 470 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3 нс | 16б | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В546С133ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v546s133pfi-datasheets-6386.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,31 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,045А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130SA20J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa20j-datasheets-6368.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 20б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3599С166ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3599s166bc-datasheets-6347.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 34б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA20TF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la20tf8-datasheets-6283.pdf | ЛКФП | 10 мм | 10 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 8 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 200 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 10б | 8б | Асинхронный |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.