Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RMLV0408EGSP-4S2#CA0 | Ренесас | $424,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | СОИК | Без свинца | 32 | Параллельно | да | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Г32 | 512 КБ | ОЗУ, СРАМ | 45 нс | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3579С6БКИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3579s6bci-datasheets-5774.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 0,36 мА | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 83 МГц | 30б | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S12YI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s12yi-datasheets-5745.pdf | 20,96 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,16 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7006С25ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006s25pf8-datasheets-5737.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 28б | 16КХ8 | 0,015А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В3559С75ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3559s75pf-datasheets-5728.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,275 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04 А | 7,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133SA90ГБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133sa90gb-datasheets-5700.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,68 мм | 2 | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 240 | 5В | 68 | ВОЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | MIL-PRF-38535 | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 нс | 22б | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В35761СА183БГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 183 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761sa183bgi-datasheets-5677.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 350 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 183 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,3 нс | 17б | 0,035А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА15БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa15bf8-datasheets-5673.pdf | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 12 недель | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 1 Мб | 1,4 мм | 1 | Нет | 130 мА | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 15 нс | 16б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В7519С133ДР | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v7519s133dr-datasheets-5628.pdf | ПКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 9 Мб | нет | 3,5 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 645 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 36б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132SA55CB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/integrateddevicetechnology-7132sa55cb-datasheets-5626.pdf | ОКУНАТЬ | 61,72 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | 3,3 мм | 2 | Нет | 190 мА | ОЗУ, СРАМ | 55 нс | 22б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70261L20PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70261l20pfi8-datasheets-5624.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 315 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 28б | 16КХ16 | 0,01 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 70В631С12ПРФГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s12prfgi-datasheets-5623.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 515 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 36б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V016SA10PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016sa10ph8-datasheets-5619.pdf | ТСОП | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3,15 В | 44 | Параллельно | 1 Мб | 1 | не_совместимо | 1 | 160 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 16б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S12Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s12y-datasheets-5612.pdf | 20,96 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,16 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709269Л15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709269l15pf8-datasheets-5611.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 40 МГц | 28б | 16КХ16 | 0,005А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3589С166ДРГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3589s166drg8-datasheets-5542.pdf | ПКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | Без свинца | 208 | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 МБ | да | 3,5 мм | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОЧНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 0,5 мА | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 32б | 64КХ36 | 0,03 А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S12TY | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,759 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s12ty-datasheets-5540.pdf | 20,96 мм | 7,62 мм | 32 | 32 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,16 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7008L20JI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008l20ji8-datasheets-5532.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 512 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 335 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 32б | 64КХ8 | 0,01 А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА150БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa150bg-datasheets-5520.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 225 | 119 | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 17б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V35761SA200BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761sa200bqg-datasheets-5511.pdf | ФБГА | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,2 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 360 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 200 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 7034Л20ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7034l20pfi-datasheets-5487.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 72 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 320 мА | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 12б | 18б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005Л17ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l17pf8-datasheets-5416.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17 нс | 26б | 8КХ8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||
| 70В3589С166ДРГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3589s166drg-datasheets-5417.pdf | ПКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | Без свинца | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 МБ | да | 3,5 мм | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОЧНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 0,5 мА | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 32б | 64КХ36 | 0,03 А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70261С20ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70261s20pf-datasheets-5406.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 315 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 28б | 16КХ16 | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 709269С15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 28,5 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709269s15pf8-datasheets-5405.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 325 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 14б | 16КХ16 | 0,015А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 70Т633С10БФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t633s10bfi8-datasheets-5404.pdf | 15 мм | 15 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 445 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 38б | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т653МС12ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t653ms12bc-datasheets-5402.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 18 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 710 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 38б | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25U3235FZNI-10G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 104 МГц | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 6 мм | 5 мм | Без свинца | 8 | СПИ, серийный | МОЖЕТ ОРГАНИЗОВАТЬСЯ КАК 32 МБИТ X 1 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2В | 1,65 В | 40 | Флэш-памяти | 1,8 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 4 МБ | ФЛЭШ, НО | 1,8 В | 8MX4 | 4 | 33554432 бит | 2 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 10 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70T3539MS166BCG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3539ms166bcg-datasheets-5347.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 18 Мб | да | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 900 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,6 нс | 38б | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В24Л35ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24l35pfg-datasheets-5339.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 64 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 155 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 24б | 4КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В |
