Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7133LA25PFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133la25pfgi-datasheets-5012.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 32 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 300 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | 4 КБ | СДР | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,004А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256T-I/СМГ | Микрочип | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 400 кГц | 2,03 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchip-24lc256tismg-datasheets-4995.pdf | СОИК | 5,26 мм | 5,25 мм | Без свинца | 8 | 2 недели | 5,5 В | 2,5 В | 8 | I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,27 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 40 | 3/5 В | 32 КБ | ЭСППЗУ | 400 кГц | 900 нс | 8 | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V424YL10PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424yl10ph-datasheets-4963.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | да | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,165 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,01 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7024Л15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024l15pf8-datasheets-4947.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 64 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 260 мА | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 15 нс | 24б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА150БГГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa150bgg-datasheets-4939.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 2,15 мм | 1 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 260 | 119 | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 17б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7008С15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008s15pf8-datasheets-4928.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 365 мА | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 15 нс | 32б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В639С12ПРФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s12prfi-datasheets-4912.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 128 | Параллельно | 2,3 МБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 515 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 17б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА133БГГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa133bggi8-datasheets-4883.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 2,15 мм | 1 | Нет | 1 | 310 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В3558С100ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3558s100pfi-datasheets-4839.pdf | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | 1 | не_совместимо | 1 | 255 мА | е0 | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 18б | 18 | 0,045А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7052S20PQF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7052s20pqf-datasheets-4823.pdf | ПКФП | 24,13 мм | 24,13 мм | 5В | Содержит свинец | 132 | 5,5 В | 4,5 В | 132 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,55 мм | 4 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,635 мм | 132 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 11б | 2КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577С85БКГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s85bqg8-datasheets-4786.pdf | ФБГА | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 11 недель | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,2 мм | 1 | ПОТОК ЧЕРЕЗ АРХИТЕКТУРУ | Нет | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 17б | 0,03 А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В321Л25ТФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v321l25tfg8-datasheets-4787.pdf | ЛКФП | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 16 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 0,1 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,0015А | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В639С12БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s12bf-datasheets-4785.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 МБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 465 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 17б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В631С12БФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s12bfgi8-datasheets-4772.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Без свинца | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 515 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71421LA25PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71421la25pf8-datasheets-4767.pdf | TQFP | 14 мм | 1,4 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 110 мА | 64 | 7 недель | 360,605934мг | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 16 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 170 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65603С133ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65603s133pf-datasheets-4753.pdf | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | 1 | СЧЕТЧИК ВСПЛЕСКОВ | 1 | 300 мА | е0 | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 18б | 256КХ36 | 36 | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256L20Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256l20y-datasheets-4742.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | нет | 1 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,135 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 0,00012А | 20 нс | ОБЩИЙ | 2В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416L15YI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416l15yi-datasheets-4735.pdf | 28 575 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В3556С100ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s100pfi8-datasheets-4731.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,255 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,045А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA25PZ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa25pz-datasheets-4727.pdf | ЦСОП | 11,8 мм | 8 мм | 28 | Параллельно | 1 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,55 мм | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 20 | СРАМ | 5В | 0,145 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G28 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 0,015А | 25 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В547С75ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v547s75pfg8-datasheets-4724.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 260 | 100 | ОЗУ, СРАМ | 17б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7054С25ПРФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7054s25prf-datasheets-4721.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 128 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,4 мм | 4 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | ПЛОСКИЙ | 225 | 5В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 12б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА133БГГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | $10,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa133bggi-datasheets-4701.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 2,15 мм | 1 | Нет | 1 | 310 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7024S20J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024s20j8-datasheets-4650.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 24б | 4КХ16 | 0,015А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005L15J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l15j8-datasheets-4643.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 260 мА | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 15 нс | 26б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25V2006EZNI-13G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 75 МГц | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 6 мм | 5 мм | 8 | СПИ, серийный | неизвестный | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,35 В | 40 | Флэш-памяти | 2,5/3,3 В | 0,012 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | ФЛЭШ, НО | 2,7 В | 1MX2 | 2 | 2097152 бит | 1 | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7024С20ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024s20pf-datasheets-4628.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 290 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 24б | 4КХ16 | 0,005А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V424L15YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424l15yi8-datasheets-4621.pdf | 23 495 мм | 10,16 мм | 36 | 36 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 36 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,145 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V424S12YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424s12yi8-datasheets-4619.pdf | 23 495 мм | 10,16 мм | 36 | 36 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 36 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,17 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,02 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА133БГГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/integrateddevicetechnology-71v3556sa133bgg8-datasheets-4567.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 2,15 мм | 1 | Нет | 1 | 300 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 17б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ |
