Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 70В18Л15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v18l15pf8-datasheets-4007.pdf | TQFP | 14 мм | 1,4 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 235 мА | 100 | 7 недель | 657,000198мг | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 235 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 72кБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 16б | 64КХ9 | 0,003А | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133LA35J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133la35j-datasheets-3996.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 22б | 0,0015А | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256-I/СТГ | Микрочип | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 400 кГц | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchip-24lc256istg-datasheets-3939.pdf | ЦСОП | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 8 | I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 40 | 3/5 В | 32 КБ | ЭСППЗУ | 400 кГц | 900 нс | 8 | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L512EMI-10G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 104 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует RoHS | СОИК | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | СПИ, серийный | 512 КБ | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | ФЛЭШ, НО | 104 МГц | 2,7 В | 256КХ2 | 2 | 1 | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71Т75802С150БГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75802s150bg8-datasheets-3920.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 119 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 215 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 20б | 0,04А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V424L12YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424l12yi8-datasheets-3883.pdf | 23 495 мм | 10,16 мм | 36 | 36 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 36 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,155 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В25Л25ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v25l25pfi8-datasheets-3878.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005L17G | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l17g-datasheets-3831.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | 3,68 мм | 2 | Нет | 260 мА | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 17 нс | 26б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7052L35G | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 5,207 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7052l35g-datasheets-3795.pdf | 30,48 мм | 30,48 мм | 5В | Содержит свинец | 108 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 108 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,68 мм | 4 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 240 | 5В | 108 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 11б | 2КХ8 | 0,0006А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В07Л25ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v07l25pfi8-datasheets-3671.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 80 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | 1 | 140 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 80 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицированный | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 15б | 0,003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA15Y8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa15y8-datasheets-3670.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | нет | 1 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 15 нс | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7007L25G | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007l25g-datasheets-3621.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 256 КБ | 3,68 мм | 2 | Нет | 265 мА | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 30б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В2556С100ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v2556s100pf8-datasheets-3616.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,25 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7132ЛА35ФБ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132la35fb-datasheets-3594.pdf | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 48 | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 16 КБ | нет | 2,2 мм | 2 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 170 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | ПЛОСКИЙ | 240 | 5В | 48 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-PRF-38535 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 11б | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71Т75802С166ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75802s166pfg-datasheets-3533.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 2625 В | 2,375 В | 100 | Параллельно | 18 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 245 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 20б | 0,04А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577С75ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 117 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s75pfg8-datasheets-3519.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 255 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 117 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В3556С166ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s166pf-datasheets-3498.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,35 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7052L25PQF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7052l25pqf-datasheets-3500.pdf | ПКФП | 24,13 мм | 24,13 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 132 | Параллельно | 16 КБ | 3,55 мм | 4 | Нет | 250 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 11б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005S55JI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s55ji8-datasheets-3484.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 26б | 8КХ8 | 0,03 А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256-И/ПГ | Микрочип | 0,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 85°С | -40°С | КМОП | 400 кГц | 5,334 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchip-24lc256ipg-datasheets-3452.pdf | ПДИП | 9,271 мм | 7,62 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 5,5 В | 2,5 В | 8 | I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | ДВОЙНОЙ | 2,54 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3/5 В | 32 КБ | ЭСППЗУ | 400 кГц | 900 нс | 8 | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА100БКИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa100bqi-datasheets-3417.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | Нет | 1 | 255 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА20БФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa20bfi8-datasheets-3368.pdf | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 48 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1,4 мм | 1 | Нет | 1 | 120 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 16б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005L20PFGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l20pfgi8-datasheets-3367.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 64 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 320 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,8 мм | 64 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 26б | 8КХ8 | 0,004А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130SA55CB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa55cb-datasheets-3363.pdf | ОКУНАТЬ | 61,72 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 8 КБ | 3,3 мм | 2 | Нет | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 20б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7008С20ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008s20pf-datasheets-3356.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 325 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 32б | 64КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7016L35J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7016l35j8-datasheets-3355.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 144 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 210 мА | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 35 нс | 28б | 9б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75802S150PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75802s150pfi8-datasheets-3350.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,235 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,045А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA100CB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la100cb-datasheets-3318.pdf | ОКУНАТЬ | 61,72 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 8 КБ | 3,3 мм | 2 | Нет | 140 мА | ОЗУ, СРАМ | 100 нс | 20б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА15ЙГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa15ygi-datasheets-3298.pdf | 28,6 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,9 мм | 1 | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 16б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3556СА100БК | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3556sa100bq-datasheets-3297.pdf | 15 мм | 1,2 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 250 мА | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 17б | 0,04А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ |
