Микропроцессоры - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Микропра

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен Плетня PBFREE CODE ТИПРЕМА КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe yproчneneenee HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Raзmerpmayti Колист ТИП ПАМАТИ О. А.А. Raзmer operativnoй papmayti ШIrIna шinыdannnых ASTOTA (MMAKS) Скороп UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Р.А. МЕР ИБИТА Колист. Каналов Уарт Graoniцa kkanirowanee Унигир Формат Ингрированан Вернее Адреса иирин Колист
MC8640DVU1250HC MC8640DVU1250HC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 1,25 -е ROHS COMPRINT 33 ММ 1,05 5.177388G 3A991 E2 Олово/Секребро (Sn/Ag) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М Nukahan 1,05 1 ММ Drugoй 1,1 В. Nukahan Н.Квалисирована 32B 1,25 -е МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 2
CT80618003201ABSLH5L CT80618003201ABSLH5L Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 1,3 -е ROHS COMPRINT FCBGA 676 1,1 В. 750 м 676 8542.31.00.01 Униджин М 0,8 мм Микропра 0,75/1,15. 3500 май Н.Квалисирована 1300 мг MykroproцeSsOr, Risc 32
CT80618003201AASLH54 CT80618003201AASLH54 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 1,3 -е ROHS COMPRINT FCBGA 676 1,15 В. 750 м 676 Не 8542.31.00.01 Униджин М 0,8 мм Микропра 3500 май 32B 1,3 -е 1,3 мг MykroproцeSsOr, Risc 32
MC68HC001CEI10 MC68HC001CEI10 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 85 ° С -40 ° С 10 мг ROHS COMPRINT LCC СОУДНО ПРИОН Верна 1
PPC8313CVRAGDC PPC8313CVRAGDC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 105 ° С -40 ° С 400 мг ROHS COMPRINT 5.500006G Рис 1
RJ80530KZ800512SL6HC RJ80530KZ800512SL6HC Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА CMOS 800 мг В 1,15 В. 479 479 8542.31.00.01 Униджин М 1,27 ММ Микропра 1.151.25V Н.Квалисирована MykroproцeSsOr, Risc 32 800 мкс
KMC8358ECVVAGDGA KMC8358ECVVAGDGA Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 105 ° С -40 ° С 400 мг ROHS COMPRINT 10.630703G 740 БЕЗОПАСНЫЙ 32B 1
FF8062700837005SR02Y FF8062700837005SR02Y Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT
CM80616004593AESLBTG CM80616004593AESLBTG Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 72,6 ° С. CMOS 2,8 -е ROHS COMPRINT LGA 1,4 В. 650 м 1156 PCIE, USB Униджин NeT -lederStva 0,75 мм Микропра 75000 май Н.Квалисирована 16 гр DDR3 64b 2,8 -е МИККРОПРЕССОР 64 2
MPC8347ECVVAJFB MPC8347ECVVAJFB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 105 ° С -40 ° С 533 мг ROHS COMPRINT 1,2 В. 672 Не 672 32B 533 мг 1
RK80532KE056512SL6GD RK80532KE056512SL6GD Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА CMOS 2,4 -е В 3,3 В. 603 3.465V 1344 604 1,5 В. Петенкюр PIN/PEG 1,27 ММ Микропра Н.Квалисирована R-XPGA-P603 64b 2,4 -е 2400 мг MykroproцeSsOr, Risc 32
CP80617003981AHSLBTQ CP80617003981AHSLBTQ Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С CMOS 2,66 г ROHS COMPRINT BGA 988 988 Не Петенкюр PIN/PEG 1 ММ Микропра 0,75/1,35 48000 мая 8 gb DDR3 64b 2,66 г MykroproцeSsOr, Risc 64 2
CM80616003177ACSLBTK CM80616003177ACSLBTK Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 72,6 ° С. CMOS ROHS COMPRINT 1,4 В. 1156 PCIE, USB 3A001.A.3 В дар Униджин Приклад 1,1 В. Промлэнно 1,15 В. Н.Квалисирована 16 гр DDR3 64b 3,33 ГОГ 133 мг МИККРОПРЕССОР 64 В дар В дар Плава В дар 2
101-1055 101-1055 Poluprovodonykkrolyka (Digi)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 70 ° С 0 ° С 44,2 мг В 2006 /files/rabbitsemiconductor-1011055-datasheets-3921.pdf Модул 3,3 В. СОДЕРИТС Серриал 4 марта IDC 1 март
RJ80535GC0251MSL6F7 RJ80535GC0251MSL6F7 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 100 ° С 0 ° С CMOS 1,6 -е ROHS COMPRINT СОДЕРИТС 479 1,8 В. 695 м 479 8542.31.00.01 Униджин М 1,27 ММ Микропра Н.Квалисирована 1600 мг MykroproцeSsOr, Risc 64
CN80617004458ACSLBXJ CN80617004458ACSLBXJ Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 105 ° С ROHS COMPRINT FCBGA 12 8 gb DDR3 64b 1,06 ГОГ 2
101-0961 101-0961 Poluprovodonykkrolyka (Digi)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 70 ° С -40 ° С 22,1 мг В 2008 /files/rabbitsemiconductor-1010961-datasheets-3890.pdf Модул 5,25 В. СОДЕРИТС 4 марта IDC 256 кб
RH80535GC0251MSL6FA RH80535GC0251MSL6FA Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 100 ° С CMOS 1,6 -е ROHS COMPRINT 1.484V СОДЕРИТС 478 478 в дар Не Петенкюр PIN/PEG 478 Микропра 32B 1,6 -е MykroproцeSsOr, Risc 64 1
CM80616003060AESLBTD CM80616003060AESLBTD Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 72,6 ° С. CMOS 3,06 ГОГ ROHS COMPRINT LGA 1,4 В. 650 м 1156 3A001.A.3 ЗOLOTO Не Униджин Приклад 1,1 В. Промлэнно 16 гр DDR3 64b 3,06 ГОГ 133 мг МИККРОПРЕССОР 64 В дар В дар Плава В дар 2
CM8062000911406SR0M5 CM8062000911406SR0M5 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 2 гер ROHS COMPRINT 1356 Микропра 0,6/1,35 80000 май Н.Квалисирована 375 gb DDR3 64b 2 гер 2000 мг MykroproцeSsOr, Risc 64 4
RK80530RY009256SL6C8 RK80530RY009256SL6C8 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 70 ° С CMOS 1,2 -е ROHS COMPRINT 1,5 В. 370 370 в дар Не Петенкюр PIN/PEG 1.475V 370 Микропра 20600 май 32B 1,2 -е MykroproцeSsOr, Risc 32 1,2 млн 1
MOD5270BXCE MOD5270BXCE Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 70 ° С 0 ° С 95 мг ROHS COMPRINT Модул RJ45
101-1007 101-1007 Poluprovodonykkrolyka (Digi)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 70 ° С -40 ° С 25,8 мг В 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rabbitsemiconductor-1011007-datasheets-3845.pdf Модул СОДЕРИТС IDC 256 кб
HH80557PG0562MSLA94 HH80557PG0562MSLA94 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 2,4 -е ROHS COMPRINT 775 1,5 В. 1,14 775 Не 8542.31.00.01 Униджин 1,2 В. 1,1 мм Микропра 1,2 В. 75000 май 2,4 -е 2400 мг MykroproцeSsOr, Risc 64
CM80616003060AESLBMQ CM80616003060AESLBMQ Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 3,06 ГОГ ROHS COMPRINT 1,8 В. 1,89 1,71 В. 1156 3A001.A.3 8542.31.00.01 Униджин Приклад 1,1 В. 0,75 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Микропра 0,65/1,4в. 75000 май Н.Квалисирована 64b 3,06 ГОГ 133 мг МИККРОПРЕССОР 64 В дар В дар Плава В дар
RN80532KC041512SL6EM RN80532KC041512SL6EM Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 2 гер В 2003 /files/intel-rn80532kc041512sl6em-datasheets-3820.pdf 603 603 Не 1,5 В. Петенкюр PIN/PEG 1,27 ММ Микропра 1,43,3 В. 45300 май 2 гер 2000 мг MykroproцeSsOr, Risc 32 2 млн
BX80623I72600KSR00C Bx80623i72600ksr00c Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 3,4 -е ROHS COMPRINT 1155 Не 8542.31.00.01 Униджин 0,9 мм Микропра 0,25/1,52 В. 112000 май 64b 3,4 -е 3400 мг MykroproцeSsOr, Risc 64
RK80546KF1071M RK80546KF1071M Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS ROHS COMPRINT 604 Не Петенкюр PIN/PEG 1,3 В. 1,27 ММ Микропра 1,3 В. Н.Квалисирована R-PPGA-P604 64b 3,66 г 3660 мг MykroproцeSsOr, Risc 64
AGXD466EEXD0BC Agxd466eexd0bc Амд
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT 64
TNETV3525INECBB TnetV3525INECBB Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 (168 чASOW) 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 515 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 260 515 Nukahan MykroproцeSsOr, Risc 3
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)