Микропроцессоры - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Микропра

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен PBFREE CODE ТИПРЕМА КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ О. А.А. Raзmer operativnoй papmayti ШIrIna шinыdannnых ASTOTA (MMAKS) Скороп UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Р.А. МЕР ИБИТА Колиш Колист Сообщитель Graoniцa kkanirowanee Унигир Формат Ингрированан Колиш Вернее Napraneee ofprogrammirowaniv Адреса иирин Иурин ТИП ИК ПАМЕЙТИ Колист Протокол С.
EU80569PJ067NSLAWR EU80569PJ067NSLAWR Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 2,66 г ROHS COMPRINT /files/intel-eu80569pj067nslawr-datasheets-6505.pdf 775 1.3625V 850 м 775 8542.31.00.01 Униджин NeT -lederStva 1,1 мм Микропра 1.11,5 100000 май Н.Квалисирована 64b 2,66 г 2660 мг MykroproцeSsOr, Risc 64
ALXD800EEXJCVDC3 ALXD800EXJCVDC3 Амд
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT /files/amd-alxd800exjcvdc3-datasheets-6339.pdf&product=amd-alxd800exjcvdc3-13338922 481 Далее, Секребро, олова Не
MC8641HX1000GB MC8641HX1000GB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 1 гер 2,97 мм ROHS COMPRINT 33 ММ 1,05 5.819307G E0 Олово/Свинен (SN/PB) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 225 0,95 В. 1V Nukahan Н.Квалисирована Рис 32B 1 гер МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 16 1
KC80526LL300128SL5LG KC80526LL300128SL5LG Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 100 ° С 0 ° С 300 мг В 2001 /files/intel- KC80526LL300128SL5LG-DATASHEETS-6247.PDF BGA 495 1,1 В. 300 мкс
HH80557PG0331MSLA8Z HH80557PG0331MSLA8Z Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 73 ° С CMOS 1,8 -е ROHS COMPRINT LGA 37,5 мм 1,5 В. 775 775 в дар Униджин М Nukahan 1,2 В. 1,09 мм 775 Nukahan Микропра 75000 май Н.Квалисирована 64b 1,8 -е 1800 мг МИККРОПРЕССОР 64 В дар В дар Плава В дар 33 2
MC8641DVU1333JB MC8641DVU1333JB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 1 333 г ROHS COMPRINT 33 ММ 1,05 5.177388G 3A991 E2 Олово/Секребро (Sn/Ag) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М Nukahan 1,05 1 ММ 1,1 В. Nukahan Н.Квалисирована Рис 32B 1 333 г 166,66 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 2
101-1067 101-1067 Poluprovodonykkrolyka (Digi)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 70 ° С 0 ° С 44,2 мг В 2008 /files/rabbitsemiconductor-1011067-datasheets-2948.pdf Модул 3,45 В. СОДЕРИТС Серриал IDC 512 кб Flash, Sram 1 март
MPC8548CPXATGB MPC8548CPXATGB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 (168 чASOW) 105 ° С -40 ° С CMOS 1,2 -е 3,38 ММ ROHS COMPRINT FCBGA 29 ММ 1,1 В. 783 11.529496G 783 I2c, spi 5A992 Не E0 Олово/Свинен (SN/PB) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 260 1,1 В. 783 40 Микропра 32 кб 512 кб 32B 1,2 -е МИККРОПРЕССОР 32 4 В дар В дар Плава В дар 64 1
MC8641DVU1000NB MC8641DVU1000NB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 1 гер ROHS COMPRINT 33 ММ 1,05 5.177388G 3A991 E2 Олово/Секребро (Sn/Ag) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М Nukahan 0,95 В. 1 ММ 1V Nukahan Н.Квалисирована 32B 1 гер 166,66 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 2
RB80526PY600256SL5BT RB80526PY600256SL5BT Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 600 мг ROHS COMPRINT /files/intel-rb80526py600256sl5bt-datasheets-5759.pdf 370 1,8 В.
MC68EC000AA20 MC68EC000AA20 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 70 ° С 0 ° С 20 мг ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mc68ec000aa20-datasheets-5730.pdf QFP СОУДНО ПРИОН 64 Не БЕЗОПАСНЫЙ ХoLoDnnый о гоно 20 мг 1
MC68EC000AA16R2 MC68EC000AA16R2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Лю 70 ° С 0 ° С 16 мг ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mc68ec000aa16r2-datasheets-5513.pdf QFP СОУДНО ПРИОН 64 НЕИ БЕЗОПАСНЫЙ ХoLoDnnый о гоно 16 мг 1
MC8641DVU1000GB MC8641DVU1000GB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 1 гер ROHS COMPRINT 33 ММ 1,05 5.177388G 3A991 E2 Олово/Секребро (Sn/Ag) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М Nukahan 1,05 1 ММ 1,1 В. Nukahan Н.Квалисирована Рис 32B 1 гер 166,66 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 2
ADO3600DDBOX ADO3600DDBOX Амд
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В 1,9 -е
SI1024 SI1024 Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si1024-datasheets-5347.pdf в дар Nukahan Nukahan 3В В.С.
KMPC8555EPXAPF KMPC855555EPXAPF Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 105 ° С 0 ° С 833 Мг ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-kmpc85555pxapf-datasheets-5301.pdf FCBGA 1,2 В. СОДЕРИТС 4.31131G 783 не Не БЕЗОПАСНЫЙ 32B 833 Мг 1
XPC823ZT66B2T XPC823ZT66B2T Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 95 ° С 0 ° С CMOS 66 мг 2,35 мм В /files/freescalesemyonductor-xpc823zt66b2t-datasheets-5292.pdf BGA 23 ММ 23 ММ СОДЕРИТС 256 not_compliant E0 Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) Верна В дар Униджин М 220 3,3 В. 256 Промлэнно 3,6 В. 3В 30 Микропра 3,3 В. Н.Квалисирована PowerPC MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА В дар 32 32 1
MPC8572LVTARLE MPC8572LVTARLE Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 105 ° С 0 ° С 1 067 гг ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mpc8572lvtarle-datasheets-5273.pdf FCBGA 1,1 В. 1.155V 1.045V 1023 Не Верна 64 кб 32 кб 32B 1 067 гг 2
NU80579EB600C NU80579EB600C Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS 600 мг 5635 мм ROHS COMPRINT FCBGA 37,5 мм 37,5 мм 1088 3A001.A.3 Не 8542.31.00.01 Униджин М 1,2 В. 1,09 мм Коммер 1,26 1,14 Микропра 1.21.82.53.35V 12000 май 600 мг 1200 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 25 16
MC68EC000AA16 MC68EC000AA16 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 70 ° С 0 ° С 16 мг ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mc68ec000aa16-datasheets-5114.pdf PQFP 5в СОУДНО ПРИОН 911.607266mg 64 в дар НЕИ БЕЗОПАСНЫЙ ХoLoDnnый о гоно 32B 16 мг 1
MC8641DTVU1250HC MC8641DTVU1250HC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 105 ° С -40 ° С 1,25 -е ROHS COMPRINT 5.177388G БЕЗОПАСНЫЙ 2
FV80524RX366128 FV80524RX366128 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА CMOS 3,33 ММ В /files/intel-fv80524rx366128-datasheets-5011.pdf 49,53 мм 370 370 3A001.A.3 Не 8542.31.00.01 Не Петенкюр PIN/PEG 2в 2,54 мм 370 Микропра 2в 64b 366 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32
GCIXP1200FC GCIXP1200FC Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 1 CMOS 232 мг 1,67 ММ В /files/intel-gcixp1200fc-datasheets-4947.pdf BGA 40 ММ 40 ММ 432 432 не 3A001.A.3 8542.31.00.01 2в Униджин М 225 2в 1,27 ММ 432 Коммер 70 ° С Nukahan Микропра 23,3 В. Н.Квалисирована MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар Не ФИКСИРОВАННАНА В дар 232 мкс 32 32
EN80C188XL12 EN80C188XL12 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С 12 мг ROHS COMPRINT /files/intel-en80c188xl12-datasheets-4833.pdf PLCC 5в СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 4,5 В. 68 Не 5в 12 мг
MC8641DTVU1000GC MC8641DTVU1000GC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 105 ° С -40 ° С 1 гер ROHS COMPRINT 5.177388G БЕЗОПАСНЫЙ 2
MC68E360ZP25VLR2 MC68E360ZP25VLR2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 3 70 ° С 0 ° С HCMOS 25 мг В /files/freescalesemyonductor-mc68e360zp25vlr2-datasheets-4785.pdf BGA 25 ММ 25 ММ СОДЕРИТС 357 Ear99 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) Верна В дар Униджин М 220 3В 357 Коммер 3,3 В. 2,7 В. 30 Н.Квалисирована Серридж и конроллр С. А.Иги, Лань 68000 В дар В дар 4 32 32 1 Асинронно, nemnogos; Синронихайя, Байт; SINхROONIзAцINA, HDLC; SINхROONIзAцINA, SDLC; Бишин
GCIXP1200FB GCIXP1200FB Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 1 CMOS 200 мг 1,67 ММ В /files/intel-gcixp1200fb-datasheets-4724.pdf 40 ММ 40 ММ 432 не 3A001.A.3 8542.31.00.01 В дар Униджин М 225 2в 1,27 ММ 432 Коммер 70 ° С 2.1 1,9 Nukahan Микропра 23,3 В. Н.Квалисирована S-PBGA-B432 MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар Не ФИКСИРОВАННАНА В дар 200 мкс 32 32
MC8641DTHX1333JC MC8641DTHX1333JC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 105 ° С -40 ° С 1 333 г В 5.854205G БЕЗОПАСНЫЙ 2
MC8641DHX1333JB MC8641DHX1333JB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 105 ° С 0 ° С CMOS 1 333 г ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mc8641dhx13333jb-datasheets-4512.pdf 33 ММ 1,05 5.854205G 3A991 E0 Олово/Свинен (SN/PB) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 225 1,05 1 ММ 1,1 В. Nukahan Н.Квалисирована Рис 32B 1 333 г 166,66 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 2
QT60168-ASGSL683 QT60168-ASGSL683 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Ингрированая сэма (IC) 105 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TQFP 5в 32 SPI 16
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)