Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМикропра
| Срэвниваф | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | Nomer- /Водад | ТИП ПАМАТИ | О. А.А. | Raзmer operativnoй papmayti | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Имея | Канала Дма | ШIMCANALы | Рим (Слова) | Сообщитель | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Колиш | Вернее | ТАКТОВА | Адреса иирин | Иурин | Колист | Протокол С. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P5021NXE1TMB | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | /files/nxpsemyonductors-p5021nxe1tmb-datasheets-1960.pdf | БЕЗОПАСНЫЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC68302PV20C | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 | 70 ° С | 0 ° С | HCMOS | 20 мг | ROHS COMPRINT | /files/freescalesemyonductor-mc68302pv20c-datasheets-1954.pdf | LQFP | 20 ММ | 20 ММ | СОДЕРИТС | 144 | Ear99 | Верна | В дар | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,5 мм | 144 | Коммер | 5,5 В. | 4,5 В. | Н.Квалиирована | Серридж и конроллр С. А.Иги, Лань | 68000 | В дар | Не | 4 | 24 | 16 | 1 | Асинрон, nemnogo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCIMX27LMOP4A | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 | CMOS | ROHS COMPRINT | /files/nxpsemyonductors scimx27lmop4a-datasheets-1857.pdf | BGA | 473 | 5A002.a | 8542.31.00.01 | E1 | Жestaynanaynan -cerebraynan medion | БЕЗОПАСНЫЙ | 260 | 40 | МИККРОПРЕССОР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ps1021ase7kqb | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LPC1114FHN33/CP33E | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | /files/nxpsemiconductors-lpc1114fhn33cp33e-datasheets-1750.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC68302PV16VC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 | 70 ° С | 0 ° С | HCMOS | 16 мг | В | /files/freescalesemyonductor-mc68302pv16vc-datasheets-1707.pdf | LQFP | 20 ММ | 20 ММ | СОДЕРИТС | 144 | Ear99 | Верна | В дар | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,5 мм | 144 | Коммер | 5,5 В. | 4,5 В. | Н.Квалиирована | Серридж и конроллр С. А.Иги, Лань | 68000 | В дар | Не | 4 | 24 | 16 | 1 | Асинрон, nemnogo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC68302PV16C | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 | 70 ° С | 0 ° С | HCMOS | 16 мг | В | /files/freescalesemyonductor-mc68302pv16c-datasheets-1694.pdf | LQFP | 20 ММ | 20 ММ | СОДЕРИТС | 144 | Ear99 | Верна | В дар | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,5 мм | 144 | Коммер | 5,5 В. | 4,5 В. | Н.Квалиирована | Серридж и конроллр С. А.Иги, Лань | 68000 | В дар | Не | 4 | 24 | 16 | 1 | Асинрон, nemnogo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CM8063701094000SR0TA | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 69,1 ° C. | CMOS | 2,9 -е | ROHS COMPRINT | 1155 | Униджин | NeT -lederStva | 0,9 мм | Микропра | 0,25/1,52 В. | Н.Квалиирована | 32 gb | DDR3 | 64b | 2,9 -е | 3600 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A80960HD50SL2GH | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | МАССА | 85 ° С | 0 ° С | CMOS | 50 мг | 4,57 мм | ROHS COMPRINT | 2002 | /files/intel-a80960hd50sl2gh-datasheets-1473.pdf | 44,7 мм | 44,7 мм | 3,3 В. | 168 | 3,45 В. | 3,15 В. | 168 | 3,3 В. | Петенкюр | PIN/PEG | 3,3 В. | 2,54 мм | 168 | Drugoй | Микропра | 3.33.3/5V | Н.Квалиирована | 2 кб | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 50 мкс | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UG80960HD5016SL2GM | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 50 мг | ROHS COMPRINT | 2002 | /files/intel-ug80960hd5016sl2gm-datasheets-1441.pdf | СОУДНО ПРИОН | 208 | 3,3 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AV80585VG0091MPSLGAN | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 100 ° С | 0 ° С | CMOS | 1,2 -е | ROHS COMPRINT | /files/intel-av80585vg0091mpslgan-datasheets-1385.pdf | BGA | 956 | 1,1 В. | 775 м | 956 | Не | Униджин | М | 1,15 В. | 0,5 мм | 956 | Микропра | 9000 мая | 64b | 1,2 -е | МИККРОПРЕССОР | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 33 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE80C186XL25 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 25 мг | ROHS COMPRINT | /files/intel-ee80c186xl25-datasheets-1327.pdf | PLCC | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,5 В. | 4,5 В. | 68 | 5в | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BX80532KE2800E | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | В | /files/intel-bx80532ke2800e-datasheets-1273.pdf | 42,5 мм | 604 | 3A001.A.3 | Не | 8542.31.00.01 | Не | Униджин | PIN/PEG | 604 | S-PBGA-P604 | 64b | 2,8 -е | 2800 мг | МИККРОПРЕССОР | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UG80486DX4WB100S | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 100 мг | ROHS COMPRINT | /files/intel-ug80486dx4wb100s-datasheets-1259.pdf | СОУДНО ПРИОН | 208 | 208 | 8542.31.00.01 | 3В | Квадран | Крхлоп | 0,5 мм | Микропра | 3.33.3/5V | 1450 май | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A80960HD66SL2GJ | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | МАССА | 85 ° С | 0 ° С | CMOS | 66 мг | 4,57 мм | ROHS COMPRINT | /files/intel-a80960hd66sl2gj-datasheets-1240.pdf | 44,7 мм | 3,3 В. | 168 | 3,45 В. | 3,15 В. | 168 | 3A991.A.2 | Не | 8542.31.00.01 | 3,3 В. | Петенкюр | PIN/PEG | 3,3 В. | 2,54 мм | 168 | Drugoй | Микропра | 3.33.3/5V | 2 кб | 32B | 66 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 66 мкс | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA80C186XL-12 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | МАССА | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 12 мг | 5,21 мм | ROHS COMPRINT | /files/rochesterelectronics-ta80c186xl12-datasheets-1156.pdf | 29 464 мм | 29 464 мм | 5в | 68 | 5,5 В. | 4,5 В. | 68 | Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemыe ataйmerы; ЧiSlowoй yanterfeйskoconsoyon | 8542.31.00.01 | Петенкюр | PIN/PEG | 5в | 2,54 мм | Промлэнно | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 12 мкс | 20 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMPC8323ECZQAFDC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | -40 ° С | 333 мг | ROHS COMPRINT | /files/freescalesemyonductor-kmpc8323eczqafdc-datasheets-1030.pdf | 1V | 4.634807G | 516 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 333 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BX80557E6400SL9T9 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | 2,13 -ggц | ROHS COMPRINT | /files/intel-bx80557e6400SL9T9-datasheets-1002.pdf | 775 | 1,5 В. | 1,14 | 775 | 8542.31.00.01 | Униджин | NeT -lederStva | 1,2 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,2 В. | Н.Квалиирована | 2,13 -ggц | 2130 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1011 | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | В | /files/siliconlabs-si1011-datasheets-0967.pdf | 7 мм | 5 ММ | 42 | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | Приклад | 1,9 | 0,5 мм | 3,6 В. | 1,8 В. | 15 | 25 мг | МИККРОКОНТРОЛЕР | 8 | В дар | Не | В дар | 8192 | 25 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE80C186XL20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 20 мг | ROHS COMPRINT | /files/intel-ee80c186xl20-datasheets-0937.pdf | PLCC | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,5 В. | 4,5 В. | 68 | 5в | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BX80547RE2933CSL7TP | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | /files/intel-bx80547re2933csl7tp-datasheets-0810.pdf | 775 | 775 | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | NeT -lederStva | 1,3 В. | 1 ММ | Микропра | 1,3 В. | 78000 мая | Н.Квалиирована | 2,93 -е | 2930 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC68302FC20C | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 | 70 ° С | 0 ° С | HCMOS | 20 мг | 4572 мм | ROHS COMPRINT | /files/freescalesemyonductor-mc68302fc20c-datasheets-0801.pdf | PQFP | СОДЕРИТС | 132 | Ear99 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Верна | В дар | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,635 мм | 132 | Коммер | 5,5 В. | 4,5 В. | Drugie -микропроэссоц | 5в | Н.Квалиирована | Серридж и конроллр С. А.Иги, Лань | 68000 | В дар | Не | 4 | 24 | 16 | 1 | Асинрон, nemnogo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HH80552PG0802MSL9KG | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | 3 гер | ROHS COMPRINT | /files/intel-hh80552pg0802msl9kg-datasheets-0803.pdf | 1,2 В. | 775 | 1.3375V | 1,14 | 775 | Не | 8542.31.00.01 | Униджин | 1,2 В. | 1,1 мм | Микропра | 3 гер | 3000 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A80960HD80SL2GK | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | МАССА | 85 ° С | 0 ° С | CMOS | 80 мг | 4,57 мм | ROHS COMPRINT | /files/intel-a80960hd80sl2gk-datasheets-0745.pdf | 44,7 мм | 44,7 мм | 3,3 В. | 168 | 3,45 В. | 3,15 В. | 168 | 3A991.A.2 | Не | 8542.31.00.01 | 3,3 В. | Петенкюр | PIN/PEG | 3,3 В. | 2,54 мм | 168 | Drugoй | Микропра | 3.33.3/5V | 2 кб | 80 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 80 мкс | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPD30131F1-200-GA2 | Нек | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMPR4925XBG-200 | Toshiba | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | 2012 | 1,5 В. | Не | Рис | 64b | 200 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 20-101-1186 | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | 2015 | /files/rabbitsemiconductor-201011186-datasheets-9261.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8323CZQAFDC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 333 мг | 2,55 мм | ROHS COMPRINT | /files/freescalesemyonductor-mpc8323cqafdc-datasheets-0294.pdf | 27 ММ | 516 | 4.634807G | 1,05 | 950 м | 516 | не | 5A992 | Не | E0 | Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | Униджин | М | 260 | 1V | Промлэнно | Микропра | 32B | 333 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OSA244CEP5AL | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | CMOS | В | 2006 | /files/amd-osa244cep5al-datasheets-0280.pdf | 940 | 940 | Не | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 1,5 В. | 1,27 ММ | 940 | Микропра | 1,52,5. | 2900 май | 1,8 -е | 1800 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 20-101-1185 | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rabbitsemyonductor-201011185-datasheets-9233.pdf |
