Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМикропроцессоры(11306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Количество битов | Основная архитектура | Ширина шины данных | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Макс. ток коллектора (IC) | Частота (макс.) | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Размер бита | Рассеиваемая мощность-Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Количество вариантов DMA | Время доступа | Ширина адресной | Ширина внешней поверхности данных | Количество ядер |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDT79RV4700-100GH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | КМОП | 100 МГц | 5,207 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rv4700100gh-datasheets-8858.pdf | 47,244 мм | 47,244 мм | 179 | 179 | да | 3А001.А.3 | 8542.31.00.01 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,3 В | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 260 | 3,3 В | 2,54 мм | 179 | ДРУГОЙ | 85°С | 30 | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР, РИСК | 64 | НЕТ | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 64 | 64 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС80Л188ЭК13 | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 85°С | -40°С | КМОП | 13 МГц | 3,15 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/intel-ts80l188ec13-datasheets-7404.pdf | КФП | 20 мм | 14 мм | 100 | 5В | 2,7 В | 100 | 3А991.А.2 | КОНТРОЛЛЕР ОБНОВЛЕНИЯ ОЗУ; 3 ПРОГРАММИРУЕМЫХ ТАЙМЕРА; ЭМУЛЯЦИОННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ | 8542.31.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | НЕ УКАЗАН | Микропроцессоры | 36 мА | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР | 16 | НЕТ | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | НЕТ | 9 | 2 | 4 | 13 мкс | 20 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX2000DMT3C | АМД | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | КМОП | 3,216 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/amd-ax2000dmt3c-datasheets-7362.pdf | 49,53 мм | 453 | 453 | 3А991.А.2 | Нет | 8473.30.11.80 | НЕТ | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 1,75 В | 2,54 мм | 453 | Микропроцессоры | 1752,5 В | 64б | 1667 ГГц | 1667 МГц | МИКРОПРОЦЕССОР | 32 | ДА | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 13 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT79RV4640-267DUG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 267 МГц | Соответствует RoHS | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rv4640267dug-datasheets-8818.pdf | ПКФП | 128 | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 88AP310A2BGK2C806TTN02 | Марвелл Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT79RV4640-200DUG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 200 МГц | Соответствует RoHS | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rv4640200dug-datasheets-8795.pdf | ПКФП | 128 | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S80L186EC16 | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | 70°С | 0°С | КМОП | 16 МГц | 3,15 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/intel-s80l186ec16-datasheets-7143.pdf | КФП | 20 мм | 14 мм | 100 | 5В | 3В | 100 | 3А991.А.2 | 8542.31.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Микропроцессоры | 45 мА | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР | 16 | НЕТ | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | НЕТ | 16 мкс | 20 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДД3600IAA5DOE | АМД | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Розетка | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ150 | Мультикомп | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 150°С | Соответствует RoHS | /files/multicomp-tip150-datasheets-7087.pdf&product=multicomp-tip150-11946116 | ТО-220 | 3 | Нет СВХК | 3 | НПН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 80 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 7А | 80 Вт | 300В | 300В | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT79RV4640-180DUG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | КМОП | 180 МГц | 3,86 мм | Соответствует RoHS | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rv4640180dug-datasheets-8757.pdf | ПКФП | 27,69 мм | 27,69 мм | 128 | 128 | 3А001.А.3 | 8542.31.00.01 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,3 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ РАСШИРЕННЫЙ | 85°С | 30 | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР, РИСК | 64 | НЕТ | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 79RC32H434-300BC | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 70°С | 0°С | 300 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/integrateddevicetechnology-79rc32h434300bc-datasheets-6919.pdf | 17 мм | 17 мм | Содержит свинец | 256 | 1,4 мм | Нет | 32б | 300 МГц | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB80L186EB13 | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | КМОП | 13 МГц | 1,66 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/intel-sb80l186eb13-datasheets-6910.pdf | ПЛКК | 12 мм | 12 мм | 80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 5,5 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Микропроцессоры | 3/5 В | 73 мА | Не квалифицированный | S-PQFP-G80 | 16 | МИКРОПРОЦЕССОР | 16 | НЕТ | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | НЕТ | 13 мкс | 20 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMC8610VT1333JB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 105°С | 0°С | 1333 ГГц | Соответствует RoHS | /files/freescalesemiconductor-kmc8610vt1333jb-datasheets-6885.pdf | БГА | 1025 В | 3.193404г | нет | Нет | Не содержит галогенов | PowerPC | 32б | 1333 ГГц | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8360ZUAJDG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 105°С | 0°С | КМОП | 533 МГц | Соответствует RoHS | 37,5 мм | 1,2 В | 740 | 10,784102г | 740 | нет | 5А992 | Нет | е0 | Олово/Свинец/Серебро (Sn/Pb/Ag) | Без галогенов | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,3 В | ДРУГОЙ | Микропроцессоры | 32б | 533 МГц | МИКРОПРОЦЕССОР, РИСК | 32 | ДА | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 15 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT79RC32H434-400BC | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | 400 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | БГА | 256 | 256 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,2 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | Микропроцессоры | 1.22.53.3В | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР, РИСК | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8572EVTARLB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 | 105°С | 0°С | КМОП | 1067 ГГц | 3,38 мм | Соответствует RoHS | /files/freescalesemiconductor-mpc8572evtarlb-datasheets-6854.pdf | БГА | 33 мм | 12,834991г | Нет СВХК | 1023 | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | Не содержит галогенов | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,1 В | 1 мм | ДРУГОЙ | 1155 В | 1045 В | Микропроцессоры | 1,11,8/3,3 В | Не квалифицированный | 64 МБ | 32б | 1067 ГГц | 1067 МГц | МИКРОПРОЦЕССОР | 32 | ДА | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 32 | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT79RV4640-150DUG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 85°С | 0°С | 150 МГц | Соответствует RoHS | 1995 год | /files/integrateddevicetechnology-idt79rv4640150dug-datasheets-8723.pdf | ПКФП | 3,3 В | 3,465 В | 3,135 В | 128 | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8358EZUADDE | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 105°С | 0°С | 266 МГц | Соответствует RoHS | 1,2 В | 10,784102г | 740 | нет | Нет | Без галогенов | 32б | 266 МГц | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMC8358ECZUAGDGA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 105°С | -40°С | 400 МГц | Соответствует RoHS | 10,784102г | 740 | Без галогенов | 32б | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8547EVUAUJ | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | СМД/СМТ | 105°С | 0°С | КМОП | 1333 ГГц | 3,38 мм | Соответствует RoHS | /files/freescalesemiconductor-mpc8547evuauj-datasheets-6702.pdf | 29 мм | 1,1 В | 783 | 11.227488г | Нет СВХК | 1155 В | 1045 В | 783 | I2C, PCI, SPI, UART | 5А002 | Нет | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | Не содержит галогенов | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 783 | 40 | Микропроцессоры | 64 МБ | 32б | 1333 ГГц | МИКРОПРОЦЕССОР | 32 | ДА | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 64 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S80C188XL25 | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | 70°С | 0°С | КМОП | 25 МГц | 3,15 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/intel-s80c188xl25-datasheets-6698.pdf | ПКФП | 20 мм | 14 мм | 5В | 80 | 5,5 В | 4,5 В | 80 | 3А001.А.3 | КОНТРОЛЛЕР ОБНОВЛЕНИЯ ОЗУ; 3 ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ТАЙМЕРА | 8542.31.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,8 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Микропроцессоры | 5В | 100 мА | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР | 16 | НЕТ | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | НЕТ | 5 | 2 | 25 мкс | 20 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT79RC32V332-150DH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | КМОП | 150 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rc32v332150dh-datasheets-8708.pdf | ПКФП | 208 | 208 | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 3,3 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Микропроцессоры | 700 мА | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 79RC32H434-300BCI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 | 85°С | -40°С | КМОП | 300 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/integrateddevicetechnology-79rc32h434300bci-datasheets-6630.pdf | 17 мм | 17 мм | Содержит свинец | 256 | 256 | нет | 1,4 мм | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ 3,3 В. | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | Микропроцессоры | 32б | 300 МГц | МИКРОПРОЦЕССОР, РИСК | 32 | ДА | НЕТ | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖ80536GE0412MSL7SQ | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 100°С | 0°С | 2 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/intel-rj80536ge0412msl7sq-datasheets-6475.pdf | 1,5 В | 669мВ | 479 | 2 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BX80532KE3066EU | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | /files/intel-bx80532ke3066eu-datasheets-6452.pdf | Нет | НЕТ | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 1468 В | 1348 В | Р-XXMA-X | 64б | 3,06 ГГц | 3060 МГц | МИКРОПРОЦЕССОР | ДА | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AGXD500AAXE0TD | АМД | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 | 85°С | 0°С | Соответствует RoHS | 368 | да | Нет | 8542.31.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 64б | 366 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB80C188EC25 | Интел | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | КМОП | 25 МГц | 1,66 мм | Соответствует RoHS | /files/intel-sb80c188ec25-datasheets-6392.pdf | 14 мм | 14 мм | 100 | 100 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 5В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | НЕ УКАЗАН | Микропроцессоры | 5В | 125 мА | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР | 16 | НЕТ | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | НЕТ | 25 мкс | 20 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT79RV4640-133DUG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | КМОП | 133 МГц | 3,86 мм | Соответствует RoHS | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rv4640133dug-datasheets-8671.pdf | ПКФП | 27,69 мм | 27,69 мм | 128 | 128 | 3А001.А.3 | 8542.31.00.01 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,3 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 128 | ДРУГОЙ | 85°С | 30 | Микропроцессоры | Не квалифицированный | МИКРОПРОЦЕССОР, РИСК | 64 | НЕТ | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8358CVVADDE | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 105°С | -40°С | 266 МГц | Соответствует RoHS | 1,2 В | 10.630703г | 740 | да | Нет | Без галогенов | 32б | 266 МГц | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8343ECZQADDB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | КМОП | 266 МГц | 2,46 мм | Соответствует RoHS | БГА | 29 мм | 1,2 В | 620 | 4.358994г | 620 | 5А002 | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | е0 | Олово/Свинец/Серебро (Sn/Pb/Ag) | Без галогенов | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 620 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 40 | Микропроцессоры | 32б | 266 МГц | МИКРОПРОЦЕССОР | 32 | ДА | ДА | С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ | ДА | 32 | 1 |
