Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА МЕСТОД УПАКОККИ МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй Смерть Колист ИНЕРФЕРА В конце концов Вес Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Колист Коли Кргителнь ТОК На том, что В Встровя Вес В канусе Колист Колиствоэвов Колист Вес Колист Rerжim oTobraжenaipe ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. МУЛИПЛЕКСИРОВАНАНА ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
74LV4094D,118 74LV4094D, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74lv4094db118-datasheets-4248.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe Оформлена E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 1 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 74LV4094 3,6 В. 1V 30 1 Исиннн Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. Три-Госдарство 50pf Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР Верно 90 млн
HV57908PG-G HV57908PG-G ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 2002 /files/microchiptechnology-hv57908pgg-datasheets-6271.pdf 80-BQFP 20 ММ 2,8 мм 14 ММ 100 мк 80 6 935.505914mg 80 Ear99 Не 15 май E3 МАГОВОЙ 4,5 n 5,5. Квадран Крхлоп 245 0,8 мм HV57908 40 1 OTobraSath draйverы « Толкат 70 млн ЗaщeLca, rereStr smenы 70 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 64 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 То, что я 8 мг Не СДВИГР
SN74HC165PW SN74HC165PW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 29 мг Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 80 мка 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1 ММ Оформлена ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC165 1 2/6. HC/UH Додер 190 млн 50pf СДВИГР 190 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,0052 а Не
MC74HC595ADG MC74HC595ADG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 35 мг Rohs3 2006 /files/onsemoronductor-mc74hc595afel-datasheets-0803.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 10 мм 1 Млокс 1,75 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 16 23 nede 665,986997 м НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Оло Не E3 БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC595 40 Исиннн 2/6. 1 125 ° С HC/UH Три-Госдарство 225 м СДВИГР 38 м Серригня или Парлалн, Серригнян 9 8 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 3 24 млн СДВИГР
MC74HC4094ADG MC74HC4094ADG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-mc74hc4094adtr2g-datasheets-1985.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 16 51 nedel 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп Nukahan 74HC4094 Nukahan Исиннн 2/6. Н.Квалиирована HC/UH Три-Госдарство 170 млн ЗaщeLca, rereStr smenы 33 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 10 СДВИГР 4000000 gц
TPIC6596N TPIC6596N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,33 ММ 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 1.1991G 20 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 4,57 мм Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон 2,54 мм TPIC6596 Псевриген Накапливаться Откргит 650 млн СДВИГР 650 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5а ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 0,5а 1 8 9 СДВИГР
TPIC6C596DG4 TPIC6C596DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 155,100241 м НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в в дар 158 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6C596 Исиннн 6C Откргит 80 млн 30pf СДВИГР 80 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
SN74AHCT595D Sn74ahct595d Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74ahct Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 170 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1 Млокс 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в в дар 158 ММ Парелхл ДОСТУПАНС Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AHCT595 Исиннн AHCT/VHCT/VT Три-Госдарство 12 млн 50pf СДВИГР 12 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 0,04 мая СДВИГР Не
74HCT597D,652 74HCT597D, 652 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nxpusainc-74hc597n652-datasheets-0267.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe НЕТ SVHC 16 ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT597 30 1 Исиннн Hct Толкат 86 м 50pf СДВИГР 86 м Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР
STPIC6D595MTR STPIC6D595MTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/stmicroelectronics-stpic6d595ttr-datasheets-3470.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 16 10 nedely 16 Активна (posteDnyй obnownen: 7 мг. Не E4 Ngecely palladyй 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 STPIC6 30 Исиннн 6d 4,49 100 май Откргит 90 млн СДВИГР 90 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 100 май 1 Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
TPIC6A595DWG4 TPIC6A595DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/texasinstruments-tpic6a595dwg4-datasheets-9068.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м 24 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6A595 Исиннн 6A Откргит 125 м 30pf СДВИГР 125 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 5 май СДВИГР
MC100EP142FAG MC100EP142FAG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100эP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 2 (1 годы) Эkl Rohs3 2006 /files/onsemoronductor-mc10ep142far2-datasheets-0435.pdf 32-LQFP 6 985 мм 14478 ММ 7,0104 ММ СОУДНО ПРИОН 32 5 nedely НЕТ SVHC 32 Активна (Постенни в в дар Не 2.415V E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 3 n 5,5. Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм 100EP142 5,5 В. 40 1 Исиннн 3 Толкат 825 ps СДВИГР 800 с Универсалнг 9 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 10 СДВИГР
74AHCT595PW,112 74AHCT595PW, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74ahct Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2008 /files/nexperiausainc-74ahc595pwq10011-datasheets-2057.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 16 ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74AHCT595 30 Исиннн AHCT/VHCT/VT Три-Госдарство 14,5 млн СДВИГР 14,5 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
SN74AHCT595PW Sn74ahct595pw Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74ahct Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 170 мг Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1 Млокс 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 1 ММ Парелхл ДОСТУПАНС Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AHCT595 Исиннн AHCT/VHCT/VT Три-Госдарство 12 млн 50pf СДВИГР 12 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 0,04 мая СДВИГР Не
74HC164D 74HC164D Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS 78 мг ROHS COMPRINT 2016 /files/toshibasemyonductorandstorage-74hc164d-datasheets-6338.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 12 НЕТ SVHC 14 В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп Nukahan 4,5 В. Nukahan 1 Исиннн 8 HC/UH 8 Толкат Сэриал, чtobы parallegnonono Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР Верно 240 м
HV5222PJ-G HV5222PJ-G ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/microchiptechnology-hv5122pgg-datasheets-1758.pdf 44-LCC (J-Lead) 16,59 мм 3,68 мм 16,59 мм 100 мк 44 16 2.386605G 44 Ear99 15 май E3 МАНЕВОВО 10,8 n 13,2 В. Квадран J Bend 245 12 HV5222 40 1 OTobraSath draйverы Н.Квалиирована « Откргит СДВИГР 100 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 32 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 8 мг Не СДВИГР
NPIC6C4894PW-Q100J NPIC6C4894PW-Q100J Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2014 /files/nexperiausainc-npic6c4894dq100y-datasheets-5555.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 4 neDe 20 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 0,65 мм 1 Исиннн NPIC Откргит СДВИГР Сэриал, чtobы parallegnonono 12 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй СДВИГР
CD74HCT165M CD74HCT165M Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 158 ММ Оформлена ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT165 1 Hct Додер 60 млн 50pf Или, СДВИГР 40 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,004 а 50 млн Не
74HCT4094D,118 74HCT4094D, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 86 мг Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74hc4094db118-datasheets-3286.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe НЕТ SVHC 16 Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Neosnahyonnnый seriйnый stsig prawwwый whod ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 74HCT4094 Исиннн Hct Три-Госдарство 65 м СДВИГР 65 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат 1 Poloshitelgnый kraй 10 20 мг СДВИГР
SN74LV165AD SN74LV165AD Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 165 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ Ear99 Оформлена Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV165 5,5 В. 1 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Додер 28 млн 50pf Или, СДВИГР 28 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 2 45 мг СДВИГР 0,05 а Не
CD74HCT164M CD74HCT164M Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 54 мг Rohs3 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 129 387224 м НЕТ SVHC 14 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 158 ММ Ear99 ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT164 1 Исиннн 2 Hct 4 май Толкат 57 м 50pf СДВИГР 57 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,004 а 45 м Не
74HCT597D,653 74HCT597D, 653 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nxpusainc-74hc597n652-datasheets-0267.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 16 Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT597 30 1 Исиннн Hct Толкат 86 м 50pf СДВИГР 20 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР
MC74HCT595ADTG MC74HCT595Adtg На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1997 /files/onsemoronductor-mc74hct595adr2g-datasheets-2308.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 45 nedely 172.98879 м 16 Активна (Постенни в в дар 24 млн E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) БЕЗОПАСНЫЙ 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп Nukahan 0,65 мм 74HCT595 Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Hct 8 Три-Госдарство 45 м И. 35 м Серригня или Парлалн, Серригнян ОДНОАНАПРАВЛЕННА 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй СДВИГР
SN74LV595APWRG4 SN74LV595APWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74lv595apwrg4-datasheets-8970.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV595 5,5 В. 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Три-Госдарство 25,5 млн 50pf СДВИГР 10,2 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 45 мг 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 50000000 ГГ
SN74AHC594PW SN74AHC594PW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AHC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 170 мг Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1 Млокс 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1 ММ Парелхл ДОСТУПАНС ЗOLOTO Не E4 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 74AHC594 5,5 В. Исиннн 2/6. AHC/VHC/H/U/V. Толкат 14,4 млн 50pf СДВИГР 14,4 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 0,04 мая СДВИГР 0,05 а
TPIC6A596NE TPIC6A596NE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,51 мм 5,08 мм 6,86 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 4,57 мм Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон 2,54 мм TPIC6A596 Исиннн 6A 50 Откргит 125 м 30pf СДВИГР 125 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 5 май СДВИГР
TPIC6A595DW TPIC6A595DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 595.510083mg НЕТ SVHC 24 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм Ear99 Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6A595 Исиннн 6A 50 Откргит 125 м 30pf СДВИГР 125 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 5 май СДВИГР
NPIC6C596APW-Q100J NPIC6C596APW-Q100J Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-npic6c596abqqqq100x-datasheets-2997.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 4 neDe 16 ЗOLOTO 2,3 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 0,65 мм NPIC6C596 2,3 В. 1 Исиннн Откргит СДВИГР Серригня или Парлалн, Серригнян 8 200 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй СДВИГР
74LVC595APW,112 74LVC595APW, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvc595ad118-datasheets-3018.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 3,3 В. 16 4 neDe 16 ЗOLOTO Не E4 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LVC595 3,6 В. 30 Исиннн LVC/LCX/Z. Три-Госдарство 18,2 млн СДВИГР 4 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
NPIC6C595BQ-Q100,1 NPIC6C595BQ-Q100,1 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2010 ГОД /files/nexperiausainc-npic6c595pwq1001-datasheets-3615.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 3,5 мм 2,5 мм 16 8 НЕТ SVHC 16 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Квадран NeT -lederStva 0,5 мм PIC6C595 1 Исиннн NPIC Откргит СДВИГР 5 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй СДВИГР

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.