Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МЕСТОД УПАКОККИ Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Взёд Колист Вес ИНЕРФЕРА В конце концов Вес Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Колист Коли Кргителнь ТОК На том, что В Встровя Klючite -wreman В. Вес В канусе Колист Колиствоэвов Колист Вес Колист ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
74AHC595D,112 74AHC595D, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AHC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2007 /files/nexperiausainc-74ahc595pwq10011-datasheets-2057.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe 16 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 74AHC595 5,5 В. 30 1 Исиннн Н.Квалиирована AHC/VHC/H/U/V. Три-Госдарство Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 90 мг СДВИГР Верно
HV509K6-G HV509K6-G ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 2008 /files/microchiptechnology-hv509k6gm932-datasheets-9485.pdf 32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka 5 ММ 880 мкм 5 ММ 32 10 nedely 188.609377mg 32 Ear99 E3 МАГОВОЙ 2В ~ 5,5 В. Квадран NeT -lederStva 260 HV509 40 1 Н.Квалиирована Накапливаться Толкат СДВИГР Сэриал, чtobы parallegnonono 16 ОДНОАНАПРАВЛЕННА ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 300 мкс 300 мкс СДВИГР
CD74HCT166E CD74HCT166E Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 25 мг Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 1 Млокс 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря 3,9 мм Оформлена ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон 2,54 мм 74HCT166 1 Исиннн Hct Толкат 60 млн 50pf СДВИГР 40 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,004 а 50 млн Не
CD74HCT4094M96 CD74HCT4094M96 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74hc573aqdwrq1-datasheets-8575.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 158 ММ Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Posledowelnыйvod, зaikcyrovannnnnыйs чasami -sdviga, tataksepepen ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT4094 1 Исиннн Hct Три-Госдарство 43 м 50pf ЗaщeLca, rereStr smenы 43 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй 60 мг СДВИГР 0,004 а Не 20000000 gц
74LVC594ABQ,115 74LVC594ABQ, 115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvc594ad112-datasheets-8922.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 3,5 мм 2,5 мм 3,3 В. 16 8 16 ЗOLOTO Не E4 1,65, ~ 3,6 В. Квадран 260 3,3 В. 0,5 мм 74LVC594 3,6 В. 30 Исиннн LVC/LCX/Z. Толкат 18,2 млн СДВИГР 4,5 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
CD74HC4094M CD74HC4094M Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 60 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1 Млокс 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в в дар 158 ММ Ear99 Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Posledowelnыйvod, зaikcyrovannnnnыйs чasami -sdviga, tataksepepen ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. 74HC4094 1 Исиннн 2 HC/UH Три-Госдарство 295 м 50pf И, зaщelca, rerestr 295 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
CD74HC194E CD74HC194E Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 60 мг Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 1 Млокс 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) 3,9 мм Ear99 Яршиват ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон 4,5 В. 74HC194 1 Исиннн 2 HC/UH Толкат 265 м 50pf СДВИГР 265 м Универсалнг 4 8 мка Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 0,08 Ма Зaregystriruйtesesh, дюнапра 37 м Не
74HCT595D,112 74HCT595D, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2011 год /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0202.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe Серригн -Станганхартсин E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT595 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Исиннн Н.Квалиирована Hct Три-Госдарство 50pf Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР Верно 63 м
SN74HC165QPWREP SN74HC165QPWREP Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 1 ММ Чasы yangirowют Не Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC165 1 2/6. HC/UH Додер 225 м 50pf Или, СДВИГР 26 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 25 мг СДВИГР 0,0052 а Не 25000000 ggц
TPIC6C596N TPIC6C596N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 6 951.693491mg НЕТ SVHC 5,5 В. 4,5 В. 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) 3,9 мм Не 4,5 n 5,5. TPIC6C596 1 1 16-pdip 8 33 В Откргит 80 млн СДВИГР 15 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 9 СДВИГР
CD74HC595SM96 CD74HC595SM96 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 6,2 мм 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 128.593437mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 1,95 мм Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC595 Nukahan Исиннн 2/6. Н.Квалиирована HC/UH Три-Госдарство 300 млн 50pf СДВИГР 34 м Серригня или Парлалн, Серригнян 9 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 25 мг СДВИГР Не 25000000 ggц
CD74HCT164E CD74HCT164E Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 54 мг Rohs3 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 1 Млокс 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 927.99329 м НЕТ SVHC 14 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря 3,9 мм Ear99 ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон 74HCT164 1 Исиннн Hct Толкат 57 м 50pf СДВИГР 36 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,004 а 45 м Не
NPIC6C4894D-Q100Y NPIC6C4894D-Q100Y Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 10 мг Rohs3 2014 /files/nexperiausainc-npic6c4894dq100y-datasheets-5555.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 2,65 мм 7,5 мм 20 4 neDe 20 1MA 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп Исиннн 125 ° С NPIC Откргит СДВИГР 5 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 12 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
SN74HC164PW SN74HC164PW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 28 мг Rohs3 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1 Млокс 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 57.209338mg НЕТ SVHC 14 Активна (Постенни в в дар 1 ММ Ear99 Ихпра ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC164 1 Исиннн HC/UH Толкат 255 м 50pf СДВИГР 255 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
MC74HC597ADTR2G MC74HC597ADTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mc74hc597adg-datasheets-2202.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 45 nedely 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп Nukahan 0,65 мм 74HC597 Nukahan 1 Исиннн 2/6. Н.Квалиирована HC/UH Толкат 275 м СДВИГР 275 м Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй СДВИГР 40000000 ГГ
CD4014BE CD4014BE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 17 мг Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 1 Млокс 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 3,9 мм ЗOLOTO Не E4 3v ~ 18v Дон CD4014 500 м 1 Исиннн 2 5pf Толкат 320 млн 50pf СДВИГР 320 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 100 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 3 СДВИГР Не
TPIC6595DW TPIC6595DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/texasinstruments-tpic6595dw-datasheets-8731.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 1 Млокс 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 513.211417mg НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм Не 15 Мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6595 225 м Псевриген Исиннн ШMITTTTTTTTTT Накапливаться 45 Откргит 650 млн СДВИГР 650 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2A ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 0,625 мкс 0,5а 1 8 9 СДВИГР
CD74HC164E CD74HC164E Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 60 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74ac373dwr-datasheets-0415.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 1 Млокс 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 927.99329 м НЕТ SVHC 14 Активна (Постенни в 3,9 мм Ear99 ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон 4,5 В. 74HC164 1 Исиннн HC/UH Толкат 255 м 50pf СДВИГР 255 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
SN74LS194AN SN74LS194AN Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 36 мг Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 100 мк 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря 3,9 мм Ear99 Яршиват Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон 260 74LS194 Исиннн Лаурет Толкат 26 млн СДВИГР 30 млн Универсалнг 4 Дюнапразлнн Poloshitelgnый kraй 1 25 мг 23ma Зaregystriruйtesesh, дюнапра 0,008 а
SN74HC595PW SN74HC595PW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 42 мг Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 59,987591 м НЕТ SVHC 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC595 Исиннн 2/6. HC/UH Три-Госдарство 250 млн СДВИГР 250 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР 34 м Не
SN74HC595D SN74HC595D Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 42 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в в дар 158 ММ Ear99 Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC595 1 Исиннн 2/6. 4 HC/UH Три-Госдарство 250 млн 50pf СДВИГР 250 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 10 29 мг СДВИГР Не
74HC164BQ,115 74HC164BQ, 115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2005 /files/nexperiausainc-74hct164d653-datasheets-2585.pdf 14-vfqfn otkrыtai-anploщadka 3 ММ 2,5 мм СОУДНО ПРИОН 14 8 14 ЗOLOTO E4 2 В ~ 6 В. Квадран NeT -lederStva 0,5 мм 74HC164 1 Исиннн HC/UH Толкат 255 м СДВИГР 255 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР
CD4021BE CD4021BE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-cd4021be-datasheets-8660.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 5,08 мм 6,35 мм 15 СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) 3,9 мм Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 3v ~ 18v Дон 2,54 мм CD4021 500 м 1 Исиннн 5pf Толкат 320 млн 50pf СДВИГР 320 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 100 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 3 СДВИГР Не
74HC594D,112 74HC594D, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nexperiausainc-74hc594db118-datasheets-1771.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 16 Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOlotO, Олово Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC594 30 Исиннн HC/UH Толкат 225 м СДВИГР 26 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 24 млн СДВИГР
NPIC6C596ADJ NPIC6C596ADJ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2010 ГОД /files/nexperiausainc-npic6c596apwwwj-datasheets-3982.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe 200.686274mg НЕТ SVHC 16 2,3 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп PIC6C596 5,5 В. 2,3 В. 1 Исиннн NPIC 8 Откргит СДВИГР 97 м Серригня или Парлалн, Серригнян ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 8 СДВИГР
SN74HC164D SN74HC164D Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 62 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74hc164d-datasheets-8577.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 1 Млокс 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 122,413241 м НЕТ SVHC 14 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 158 ММ Ear99 Ихпра Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC164 1 Исиннн HC/UH Толкат 255 м 50pf СДВИГР 30 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
STPIC6C595TTR STPIC6C595TTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 /files/stmicroelectronics-stpic6c595m-datasheets-0415.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 12 172.98879 м 16 Активна (posteDnyй obnownen: 7 мг. Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 STPIC6 40 1 Исиннн 6C 33 В 100 май Откргит 130 млн СДВИГР 130 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 100 май Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
74HC165D 74HC165D Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT 2016 /files/toshibasemyonductorandstorage-74hc165d-datasheets-5063.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 12 В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп Nukahan 4,5 В. Nukahan 1 HC/UH Додер Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно
MC74HC165ADG MC74HC165ADG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 35 мг Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-nlv74hc165adtr2g-datasheets-2175.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 10 мм 1 Млокс 1,5 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 16 51 nedel НЕТ SVHC 16 Актифен (Постенни в Обновен: 3 -й в дар Оло Не E3 БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC165 40 2/6. HC/UH Додер 265 м СДВИГР 265 м Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 1 Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР
NPIC6C596ABQX NPIC6C596ABQX Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 10 мг Rohs3 2010 ГОД /files/nexperiausainc-npic6c596apwwwj-datasheets-3982.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 3,5 мм 1 ММ 2,5 мм 16 8 НЕТ SVHC 16 2,3 В ~ 5,5 В. Квадран NeT -lederStva 0,5 мм NPIC6C596 5,5 В. 2,3 В. Исиннн 125 ° С Откргит СДВИГР 5 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй СДВИГР

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.