Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МЕСТОД УПАКОККИ Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй Смерть Колист ИНЕРФЕРА Вес Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Колист Коли Кргителнь ТОК На том, что Встровя Klючite -wreman В. Колист Колист Вес Колист ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
74VHC595MTCX 74VHC595MTCX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74VHC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 115 мг Rohs3 2007 /files/onsemyonductor-74vhc595n-datasheets-0512.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 100NA 900 мкм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 9 nedely 173 м НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар Ear99 ЗOLOTO Не E4 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 3,3 В. 74VHC595 5,5 В. Исиннн 2/5,5. AHC/VHC Три-Госдарство 18,5 млн 50pf СДВИГР 18,5 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 1 СДВИГР
74HC597PW,118 74HC597PW, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nxpusainc-74hc597n652-datasheets-0267.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 16 ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC597 30 1 Исиннн HC/UH Толкат 375 м 50pf СДВИГР 16 млн Парллхно сэринано 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР
74HC165D,653 74HC165D, 653 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 61 мг Rohs3 2011 год /files/nexperiausainc-74hc165pwq100118-datasheets-2074.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,9 мм 16 4 neDe 16 Чasы yangirowют 8 мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC165 30 1 Н.Квалиирована 125 ° С HC/UH Додер 50pf СДВИГР 15 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР Верно
SN74HC165NSR SN74HC165NSR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 10,3 мм 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 200.686274mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1,95 мм Оформлена ЗOLOTO Тргенд E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC165 Nukahan 1 2/6. Н.Квалиирована HC/UH Додер 190 млн 50pf СДВИГР 26 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,0052 а Не 25000000 ggц
SN74LV165ARGYR SN74LV165Argyr Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 2 (1 годы) CMOS Rohs3 /storage/upload/sn74lv165argyr.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 4 мм 1 ММ 3,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 37.194574mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 900 мкм Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E4 2В ~ 5,5 В. Квадран 260 2,5 В. 0,5 мм 74LV165 1 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Додер 28 млн 50pf СДВИГР 28 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 2 8 20 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 3-шТат Poloshitelgnый kraй 45 мг СДВИГР 0,05 а Не 35000000 ggц
SN74HC595BRWNR SN74HC595BRWNR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-xfqfn oTkrыTAIN ANPLOUSCA 2,5 мм 500 мкм 2,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 450 мкм Ear99 Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Квадран NeT -lederStva 0,4 мм 74HC595 1 Исиннн HC/UH Три-Госдарство 50pf СДВИГР Сэриал, чtobы parallegnonono 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 25 мг СДВИГР Верно 34 м Не 300 млн
74HC4094PW,118 74HC4094PW, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 77 мг Rohs3 /files/nexperiausainc-74hc4094db118-datasheets-3286.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe НЕТ SVHC 16 Neosnahyonnnый seriйnый stsig prawwый-shod; Парелхл ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC4094 30 1 Исиннн HC/UH 8 7,8 мая Три-Госдарство 295 м ЗaщeLca, rereStr smenы 295 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат 8 Poloshitelgnый kraй 10 СДВИГР
74HCT165PW,118 74HCT165PW, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74hc165pwq100118-datasheets-2074.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 4 neDe 16 Чasы yangirowют E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HCT165 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Н.Квалиирована Hct Додер 50pf СДВИГР Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно
CD4094BPWR CD4094BPWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS 6 мг Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1 Млокс 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в в дар 1 ММ Ear99 ТАКОДЕПАН ЗOLOTO Не Тргенд E4 3v ~ 18v Дон Крхлоп 260 CD4094 1 Исиннн 2 Три-Госдарство 840 м 50pf ЗaщeLca, rereStr smenы 190 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 100 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
SN74HC165DBR SN74HC165DBR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74hc165dbr-datasheets-8407.pdf 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 6,2 мм 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 128.593437mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 1,95 мм Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC165 1 2/6. HC/UH Додер 190 млн 50pf Или, СДВИГР 26 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,0052 а Не 25000000 ggц
SN74AHCT595DR SN74AHCT595DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74ahct Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg 16 Активна (Постенни в в дар 158 ММ Парелхл ДОСТУПАНС ЗOLOTO Не Тргенд E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AHCT595 Исиннн AHCT/VHCT/VT Три-Госдарство 12 млн 50pf СДВИГР 10,2 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 0,04 мая СДВИГР Не
74HC597D,653 74HC597D, 653 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nxpusainc-74hc597n652-datasheets-0267.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 16 4 neDe 16 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC597 30 1 Исиннн Н.Квалиирована HC/UH Толкат 50pf СДВИГР Парллхно сэринано 8 Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР Верно 53 м
SN74AHC595PWR SN74AHC595PWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AHC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Парелхл ДОСТУПАНС ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 74AHC595 5,5 В. Исиннн 2/5,5. AHC/VHC/H/U/V. Три-Госдарство 18,5 млн 50pf СДВИГР 10,2 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 0,04 мая СДВИГР 0,05 а Не
SN74HC166PWR SN74HC166PWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74hc166pwr-datasheets-8345.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Ear99 Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC166 1 Исиннн 2/6. HC/UH Толкат 190 млн 50pf Или, СДВИГР 26 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 3 29 мг СДВИГР 0,0052 а 25000000 ggц
HEF4021BT,652 HEF4021BT, 652 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2011 год /files/nexperiausainc-hef4021bttj-datasheets-8838.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 3 В ~ 15 В. Дон Крхлоп 260 4021 30 1 Исиннн Н.Квалиирована Толкат 50pf Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 Poloshitelgnый kraй 6 мг СДВИГР Верно 250 млн
SN74HC164NSR SN74HC164NSR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 10,3 мм 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 208.312296mg 14 Активна (Постенни в в дар 1,95 мм Ear99 Ихпра Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC164 Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована HC/UH Толкат 255 м 50pf СДВИГР 30 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
CD74HCT165M96 CD74HCT165M96 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 8 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT165 1 Hct Додер 60 млн 50pf СДВИГР 60 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,004 а 50 млн Не
SN74LV165ADR SN74LV165ADR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS 165 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1 Млокс 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ Ear99 Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV165 5,5 В. 1 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 8 Додер 28 млн 50pf СДВИГР 11,9 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 2 20 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 45 мг СДВИГР 0,05 а Не
MC74HC165ADTR2G MC74HC165ADTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 35 мг Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-nlv74hc165adtr2g-datasheets-2175.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5,1 мм 1,2 ММ 4,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 45 nedely 172.98879 м НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар ЗOLOTO Не E4 БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC165 40 2/6. 125 ° С HC/UH Додер 265 м СДВИГР 26 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 1 8 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР
74HC165BQ,115 74HC165BQ, 115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74hc165pwq100118-datasheets-2074.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka СОУДНО ПРИОН 16 8 НЕТ SVHC 16 Чasы yangirowют ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Квадран 260 0,5 мм 74HC165 30 1 HC/UH Додер 250 млн СДВИГР 28 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 2 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
CD4021BM96 CD4021BM96 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-cd4021bm96-datasheets-8377.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм 15 СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 158 ММ ЗOLOTO Не Тргенд E4 3v ~ 18v Дон Крхлоп 260 CD4021 1 Исиннн Толкат 320 млн 50pf Или, СДВИГР 120 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 100 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 3 СДВИГР Не
74HC594T16-13 74HC594T16-13 Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/diodesincortorated-74hc594S1613-datasheets-2977.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 18 172.98879 м НЕТ SVHC 16 Оло E3 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC594 30 Исиннн 2/6. Н.Квалиирована HC/UH Толкат 225 м СДВИГР 39 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР 20000000 gц
74HC164D,653 74HC164D, 653 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 78 мг Rohs3 2011 год /files/nexperiausainc-74hct164d653-datasheets-2585.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 3,9 мм 14 4 neDe 14 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC164 30 1 Исиннн Н.Квалиирована HC/UH Толкат 50pf СДВИГР Сэриал, чtobы parallegnonono 8 Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР Верно 255 м
HV507PG-G HV507PG-G ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 8 мг Rohs3 2004 /files/microchiptechnology-hv507pgg-datasheets-4586.pdf 80-BQFP 20 ММ 3,4 мм 14 ММ 200 мк 80 1 шар 935.505914mg 80 Ear99 Не 15 май E3 МАГОВОЙ 4,5 n 5,5. Квадран Крхлоп 245 0,8 мм HV507 40 1 70 ° С Накапливаться Толкат ЗaщeLca, rereStr smenы 125 м Сэриал, чtobы parallegnonono 64 200 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 4 мкс 4 мкс 2 СДВИГР
CD74HC165M96 CD74HC165M96 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 158 ММ Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. 74HC165 1 2 HC/UH Додер 265 м 50pf СДВИГР 28 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
74HC594D 74HC594D Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/toshibasemyonductorandstorage-74hc594d-datasheets-4283.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 12 2 В ~ 6 В. 1 Толкат 8 СДВИГР
74HC595PW-Q100,118 74HC595PW-Q100,118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100, 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 108 мг Rohs3 /files/nexperiausainc-74hct595bq10011-datasheets-2157.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,1 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 172.98879 м НЕТ SVHC 16 Не 160 мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC595 30 Исиннн 125 ° С HC/UH Три-Госдарство 240 м СДВИГР 16 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 9 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР
74VHC164MTCX 74VHC164MTCX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74VHC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1999 /files/onsemyonductor-74vhc164mx-datasheets-3292.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 10,2 ММ 1,8 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 14 9 nedely 55,3 м НЕТ SVHC 14 Активна (postedniй obnownen: 8 asacowOw в дар Ear99 ЗOLOTO Не E4 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 3,3 В. 0,65 мм 74VHC164 5,5 В. 1 Исиннн 2/5,5. 8 AHC/VHC/H/U/V. 8 Толкат 18,5 млн 50pf СДВИГР 18,5 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй СДВИГР 4500000000 gц
MC74HC589ADR2G MC74HC589ADR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 35 мг Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mc74hc589adtr2g-datasheets-2156.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 10 мм 1,5 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 16 19 nedely 665,986997 м НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Ear99 Оло Не E3 БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC589 40 1 Исиннн 2 HC/UH Три-Госдарство 275 м СДВИГР 275 м Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
SN74AHCT595PWR Sn74ahct595pwr Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74ahct Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Парелхл ДОСТУПАНС ЗOLOTO Не Тргенд E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AHCT595 Исиннн AHCT/VHCT/VT Три-Госдарство 12 млн 50pf СДВИГР 10,2 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 0,04 мая СДВИГР Не

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.