Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Колист Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Коли На том, что Вес Органихая Шirina pamayti Парллель/сэриал Ruemap ТИП ИК ПАМЕЙТИ Вес ТИП Fmax-Min Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
NLV74VHC595DTR2G NLV74VHC595DTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100, 74VHC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2006 /files/ONSEMORONDURTOR-MC74VHC595DR2G-DATASHEETS-3524.PDF 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 45 nedely Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп Nukahan 0,65 мм 5,5 В. Nukahan 1 Исиннн AHC/VHC/H/U/V. Три-Госдарство СДВИГР Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно
74HC670DB,118 74HC670DB, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Асинров 2 ММ Rohs3 /files/nxpusainc-74hc670n652-datasheets-8323.pdf 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 6,2 мм 5,3 мм 16 в дар НЕИ E4 Ngecely palladyй В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC670 30 1 Н.Квалиирована Три-Госдарство Универсалнг 4 4х4 4 Парлель 59 м Станов Срам Зaregystryrovath fapaйl
N74F299N,602 N74F299N, 602 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 4,2 мм Rohs3 2003 /files/nxpusainc-n74f299d602-datasheets-0186.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 26,73 мм 7,62 мм 20 Rershym yudrжania; Обобалавив/Вес; Totempole oposledowelnыйs -sdvig -vprawo yscdig levы whodы; Я E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Не 4,5 n 5,5. Дон 260 2,54 мм 74F299 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T20 F/bыstro Три-Госдарство 50pf Универсалнг 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 90 май СДВИГР Дюнапразлнн 70000000 ГГ
HEF4517BT,512 HEF4517BT, 512 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 2 (1 годы) CMOS Rohs3 2006 /files/nxpusainc-hef4517bt518-datasheets-9636.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 10,3 мм 7,5 мм 16 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 4,5 n 15,5. Дон Крхлоп 260 4517 15 30 2 Исиннн 5/15 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G16 4000/14000/40000 Три-Госдарство 50pf Сэриал, чtobы parallegnonono 64 3-шТат Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно 440 м
74HCT670D,652 74HCT670D, 652 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Асинров Rohs3 1997 /files/nxpusainc-74hc670n652-datasheets-8323.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар 1 E4 Ngecely palladyй В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT670 5,5 В. 30 1 Druegege -opmastath ics Н.Квалиирована Три-Госдарство Универсалнг 4 3-шТат 4х4 4 Парлель 60 млн Станов Срам Не Зaregystryrovath fapaйl
74LV4094N,112 74LV4094N, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74lv4094n112-datasheets-9671.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 1 В ~ 3,6 В. 1 16-Dip Три-Госдарство Серригня или Парлалн, Серригнян 8 СДВИГР
74HCT670D,653 74HCT670D, 653 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Асинров Rohs3 1997 /files/nxpusainc-74hc670n652-datasheets-8323.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар 1 НЕИ E4 Ngecely palladyй В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT670 5,5 В. 30 1 Н.Квалиирована Три-Госдарство Универсалнг 4 3-шТат 4х4 4 Парлель 60 млн Станов Срам Не Зaregystryrovath fapaйl
74HC594N,112 74HC594N, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc594n112-datasheets-9672.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 2 В ~ 6 В. 1 16-Dip Толкат Серригня или Парлалн, Серригнян 8 СДВИГР
N74F164N,602 N74F164N, 602 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 4,2 мм Rohs3 2013 /files/nxpusainc-i74f164n112-datasheets-8319.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм 14 E4 Ngecely palladyй Не 4,5 n 5,5. Дон 260 2,54 мм 74F164 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Исиннн Н.Квалиирована F/bыstro Толкат 50pf Сэриал, чtobы parallegnonono 8 Poloshitelgnый kraй 55 май СДВИГР Верно
74HCT7731D,112 74HCT7731D, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc7731n112-datasheets-9663.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,5 n 5,5. 4 16-й Толкат Универсалнг 64 Зaregystryrovathe, mumolyplekcyrovan
74HCT4015N,112 74HCT4015N, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1997 /files/nxpusainc-74hct4015n112-datasheets-9674.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 16 E4 Ngecely palladyй Не 4,5 n 5,5. Дон 260 74HCT4015 5,5 В. 30 2 Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T16 Hct Толкат 50pf Сэриал, чtobы parallegnonono 4 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно 53 м
74HC670D,653 74HC670D, 653 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Асинров Rohs3 /files/nxpusainc-74hc670n652-datasheets-8323.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC670 30 1 Н.Квалиирована Три-Госдарство Универсалнг 4 3-шТат 4х4 4 Парлель 59 м Станов Срам Не Зaregystryrovath fapaйl
N74F166D,602 N74F166D, 602 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-n74f166d602-datasheets-9680.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,5 n 5,5. 1 16-й Толкат Универсалнг 8 Зaregystriruйtesesh, дюнапра
74HC4015N,652 74HC4015N, 652 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1997 /files/nxpusainc-74hct4015n112-datasheets-9674.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 16 Ear99 E4 Ngecely palladyй Не 2 В ~ 6 В. Дон 260 74HC4015 30 2 Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T16 HC/UH Толкат 50pf Сэриал, чtobы parallegnonono 4 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно 53 м
74HCT7731D,112 74HCT7731D, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 1,75 мм Rohs3 1997 /files/nxpusainc-74hct7731n112-datasheets-8280.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 Otdelnhe чasыd -caжdogogrostra smenы E4 Ngecely palladyй В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 1,27 ММ 74HCT7731 5,5 В. 30 4 Rregystrы cmenenы Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G16 Hct Толкат 50pf Универсалнг 64 Poloshitelgnый kraй 20 мг Зaregystryrovathe, mumolyplekcyrovan Верно 63 м
74HC7731N,112 74HC7731N, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nxpusainc-74hct7731n112-datasheets-8280.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 21,6 ММ 7,62 мм 16 Otdelnhe чasыd -caжdogogrostra smenы E4 Ngecely palladyй Не 2 В ~ 6 В. Дон 260 74HC7731 30 4 Rregystrы cmenenы Исиннн 2/6. Н.Квалиирована R-PDIP-T16 HC/UH Толкат 50pf Универсалнг 64 Poloshitelgnый kraй 20 мг Зaregystryrovathe, mumolyplekcyrovan Верно
HEF4021BP,652 HEF4021BP, 652 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4,7 мм Rohs3 2009 /files/nexperiausainc-hef4021bttj-datasheets-8838.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм 16 E4 Ngecely palladyй Не 3 В ~ 15 В. Дон 260 2,54 мм 4021 30 1 Исиннн Н.Квалиирована Толкат 50pf Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 Poloshitelgnый kraй 6 мг СДВИГР Верно 250 млн 6000000 ГГ
74HCT595N,112 74HCT595N, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4,2 мм Rohs3 2011 год /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0203.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм 16 Серригн -Станганхартсин E4 Ngecely palladyй Не 4,5 n 5,5. Дон 260 2,54 мм 74HCT595 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Исиннн Н.Квалиирована Hct Три-Госдарство 50pf Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР Верно 63 м 20000000 gц
74HC165N,652 74HC165N, 652 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4,2 мм Rohs3 2008 /files/nexperiausainc-74hc165pwq100118-datasheets-2074.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм 16 Ear99 Чasы yangirowют E4 Ngecely palladyй Не 2 В ~ 6 В. Дон 260 2,54 мм 74HC165 30 1 2/6. Н.Квалиирована HC/UH Додер 50pf Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР Верно 250 млн 24000000 ggц
CY29FCT818CTPC CY29FCT818CTPC Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 29fct Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 24-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,75 -5,25. 1 24-Pdip Три-Госдарство Универсалнг 8 Зaregystryrovathsemy, truboprovowod
I74F164D,118 I74F164D, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В Rohs3 2013 /files/nxpusainc-i74f164n112-datasheets-8319.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 3,9 мм 14 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74F164 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Исиннн Н.Квалиирована F/bыstro Толкат Сэриал, чtobы parallegnonono 8 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно
74HC4015D,653 74HC4015D, 653 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1997 /files/nxpusainc-74hct4015n112-datasheets-9674.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 16 E4 Ngecely palladyй В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC4015 30 2 Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G16 HC/UH Толкат 50pf Сэриал, чtobы parallegnonono 4 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно 53 м
74HCT670DB,112 74HCT670DB, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc670d653-datasheets-9530.pdf 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 4,5 n 5,5. 1 16-Ssop Три-Госдарство Универсалнг 4 Зaregystryrovath fapaйl
NLV14559BDWR2G NLV14559BDWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 2011 год /files/onsemoronductor-mc14549bcpg-datasheets-0732.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 9 nedely 16 Актио, А. Н. в дар E3 Олово (sn) 3v ~ 18v Дон Крхлоп Nukahan Nukahan 1 Толкат Универсалнг 8 Вес, то, что
74HC670N,652 74HC670N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc670d653-datasheets-9530.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 2 В ~ 6 В. 1 16-Dip Три-Госдарство Универсалнг 4 Зaregystryrovath fapaйl
SN74LS598N SN74LS598N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 35 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74ls598n-datasheets-2938.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,33 ММ 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 20 12 1.1991G НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 4,57 мм Обобалавив/Вес; Иуэнн Totempole Serial Output Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон 2,54 мм 74LS598 1 Исиннн 8 Лаурет 8 Три-Госдарство 48 м 45pf СДВИГР 48 м Парллхно сэринано Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,024 а 23 млн Не
HEF4557BP,652 HEF4557BP, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-hef4557bp652-datasheets-9634.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 15,5. 1 16-Dip Додер Универсалнг 64 СДВИГР
74HCT597N,652 74HCT597N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hct597n652-datasheets-9635.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 1 16-Dip Толкат Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 СДВИГР
HEF4517BT,518 HEF4517BT, 518 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) CMOS Rohs3 2013 /files/nxpusainc-hef4517bt518-datasheets-9636.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 10,3 мм 7,5 мм 16 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 4,5 n 15,5. Дон Крхлоп 260 4517 15 30 2 Исиннн 5/15 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G16 4000/14000/40000 Три-Госдарство 50pf Сэриал, чtobы parallegnonono 64 3-шТат Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно 440 м
HEF4014BP,652 HEF4014BP, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-hef4014bp652-datasheets-9611.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 3 В ~ 15 В. 1 16-Dip Толкат Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 СДВИГР

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.