Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели Тела ЧastoTA Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МЕСТОД УПАКОККИ КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Колист ИНЕРФЕРА Вес Втипа МАКСИМАЛНГАН В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Колист Коли Вес Веса Кргителнь ТОК UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS На том, что Встровя Колист Graoniцa kkanirowanee Унигир Вес ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT ТИП МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
74FCT163374APAG 74FCT163374APAG Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74FCT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-74fct163374cpag8-datasheets-9249.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12 2,7 В ~ 3,6 В. 74FCT163374 2 48-tssop Три-Госдарство Универсалнг 8 Зaregystryrowatth-й, d-tip
SN74LS597N SN74LS597N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 35 мг Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 3,9 мм Ear99 Обобалавив/Вес; СМАННАНСКАЯ СЕРИГИНАВА; Totempole Serial Output Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон 2,54 мм 74LS597 1 Исиннн 8 Лаурет 8 Толкат 60 млн 30pf СДВИГР 60 млн Парллхно сэринано ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 53 май СДВИГР 0,024 а 30 млн Не
CY29FCT520ATSOC Cy29fct520atsoc Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 29fct Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) SMD/SMT CMOS Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м НЕТ SVHC 24 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 2,35 мм ЗOLOTO Не E4 Nerting 4,75 ЕСЛЕДИЯ ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 Cy29fct520 8 1 Пефер -вустро -тепст 0,2 ма Три-Госдарство 5 Мка 14 млн 14 млн Универсалнг 8 -32ma 64ma Перифержиналь Не В дар Зaregystryrovathsemy, truboprovowod Poloshitelgnый kraй
SN74ALS164ANSR SN74ALS164ANSR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В Rohs3 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 10,3 мм 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 210.013267mg 14 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 1,95 мм Ихпра Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS164 Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Ас Толкат 50pf СДВИГР 11 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй 75 мг СДВИГР Не 50000000 ГГ
74FCT163374CPVG 74FCT163374CPVG Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74FCT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-74fct163374cpag8-datasheets-9249.pdf 48-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 мм) 12 2,7 В ~ 3,6 В. 74FCT163374 2 48-ssop Три-Госдарство Универсалнг 8 Зaregystryrowatth-й, d-tip
BU4015BF-E2 BU4015BF-E2 ROHM Semiconductor
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2001 /files/rohmsemiconductor-bu4015b-datasheets-0480.pdf 16 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) 15 СОУДНО ПРИОН 16 6 НЕИ 16 в дар E2 Жestaynemanemyan 3 n16. Дон Крхлоп 260 4015 10 2 Исиннн Н.Квалиирована Толкат СДВИГР 120 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 4 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
SN74LS594N SN74LS594N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 20 мг Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 5,08 мм 6,35 мм СОДЕРИТС 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) 3,9 мм Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон 2,54 мм 74LS594 1 Исиннн 8 Лаурет 8 Толкат 57 м 30pf СДВИГР 30 млн Сэриал, чtobы parallegnonono ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 65 май СДВИГР 0,024 а 25 млн Не
74FCT163374APAG8 74FCT163374APAG8 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74FCT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-74fct163374cpag8-datasheets-9249.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12 2,7 В ~ 3,6 В. 74FCT163374 2 48-tssop Три-Госдарство Универсалнг 8 Зaregystryrowatth-й, d-tip
74HC4015D,652 74HC4015D, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc4015d652-datasheets-9525.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 2 В ~ 6 В. 2 16-й Толкат Сэриал, чtobы parallegnonono 4 СДВИГР
CD74HC670M CD74HC670M Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ ЗOLOTO Не E4 Nerting 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. 74HC670 4 1 HC/UH 4 7,8 мая Три-Госдарство 375 м 43 м Универсалнг 4 -7.8ma 7,8 мая 8 мка 3-шТат 0,08 Ма Зaregystryrovath fapaйl 0,0078 а Не Ох
NLV74HC4094BDR2G NLV74HC4094BDR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100, 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/onsemoronductor-mc74hc4094adtr2g-datasheets-1985.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 51 nedel 16 Активна (postednyй obnownen: 2 nededeli -nanazhad) в дар 2 В ~ 6 В. 1 Три-Госдарство СДВИГР Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА СДВИГР
CD74HC195EG4 CD74HC195EG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 6 2 В ~ 6 В. 74HC195 1 Додер Универсалнг 4 Зaregystriruйtesesh, дюнапра
SN74AS194DR SN74AS194DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 139,989945 м 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 158 ММ Ear99 Яршиват Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AS194 Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Кап Толкат 12 млн 50pf СДВИГР 7 млн Универсалнг 4 Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 80 мг 53 май Зaregystriruйtesesh, дюнапра 0,02 а Не 80000000 ГГ
SN74LV594ADE4 SN74LV594ADE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 139,989945 м 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ Парллэнг E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV594 Nukahan Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. Толкат 19 млн 50pf СДВИГР 9,2 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 30000000 ГГ
TC74HC165AP(F) TC74HC165AP (F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TC74HC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка Neprigodnnый CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/toshibasemyonductorandStorage-tc74hc165afelf-datasheets-2552.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,25 мм 3,5 мм 6,4 мм 16 14 16 в дар 2 В ~ 6 В. Дон Nukahan 2,54 мм Nukahan 1 Додер HC/UH СДВИГР Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй СДВИГР
HV509K6-G-M932 HV509K6-G-M932 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 2008 /files/microchiptechnology-hv509k6gm932-datasheets-9485.pdf 32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka 5 ММ 5 ММ 32 10 nedely в дар 2В ~ 5,5 В. Квадран NeT -lederStva 0,5 мм HV509 1 S-XQCC-N32 Накапливаться Толкат СДВИГР Сэриал, чtobы parallegnonono 16 ОДНОАНАПРАВЛЕННА ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ СДВИГР
SN74LS670NG4 SN74LS670NG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 6 4,75 -5,25. 74LS670 4 Три-Госдарство Универсалнг Зaregystryrovath fapaйl
TPIC6A596DWG4 TPIC6A596DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м 24 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 2,35 мм Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6A596 Исиннн 6A Откргит 125 м 30pf СДВИГР 125 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 5 май СДВИГР
HV5623K7-G-M933 HV5623K7-G-M933 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 2005 /files/microchiptechnology-hv5623k7gm933-datasheets-9497.pdf 44-WFQFN PAD 7 в дар 4,5 n 5,5. HV5623 1 Дни в плазме AC плазма Откргит ЗaщeLca, rereStr smenы Сэриал, чtobы parallegnonono 32 ОДНОАНАПРАВЛЕННА СДВИГР
SN74ALS299DW SN74ALS299DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) SMD/SMT В 30 мг Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 500.709277mg НЕТ SVHC 20 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2,35 мм Ear99 Rershym yudrжania; Обобалавив/Вес; Totempole oposledowelnыйs -sdvig -vprawo yscdig levы whodы; Я Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS299 1 Исиннн Ас Три-Госдарство 40 май 25 млн 50pf СДВИГР 19 млн Универсалнг 8 Дюнапразлнн 10 3-шТат Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,024 а Не
CD74HCT597MT CD74HCT597MT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT CMOS 25 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в в дар 158 ММ Оформлена ЗOLOTO Тргенд E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT597 Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Hct Толкат 160 мка 84 м 50pf СДВИГР 56 м Парллхно сэринано 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,004 а Не
CD74HC597MG4 CD74HC597MG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg 16 Активна (Постенни в в дар 158 ММ Оформлена ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. 74HC597 1 Исиннн 2/6. HC/UH Толкат 360 м 50pf Или, СДВИГР 360 м Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 23 мг СДВИГР 0,0052 а 37 м Не 20000000 gц
CD74ACT299M96 CD74ACT299M96 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74act Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-cd74act299m96-datasheets-2759.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 500.000539mg 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм Ear99 Rershym yudrжania; Обобалавив/Вес; Totempole oposledowelnыйs -sdvig -vprawo yscdig levы whodы; Я ЗOLOTO Не Тргенд E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74act299 1 Исиннн Дельфан Три-Госдарство 18,6 млн 50pf СДВИГР 18,6 млн Универсалнг 8 8 мка Дюнапразлнн 10 3-шТат Poloshitelgnый kraй 90 мг СДВИГР 0,024 а Не 90000000 ГГ
CD74HC595DW CD74HC595DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 42 мг Rohs3 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 10,3 мм 80 мка 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 8 420.395078mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC595 1 Исиннн 2/6. HC/UH Три-Госдарство 300 млн 50pf СДВИГР 34 м Серригня или Парлалн, Серригнян 9 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй 25 мг СДВИГР Не
SN74LV594APWRG4 SN74LV594APWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1 ММ Парллэнг Не Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV594 5,5 В. 1 Исиннн 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 8 Толкат 19 млн 50pf СДВИГР 9,2 млн Сэриал, чtobы parallegnonono ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 30000000 ГГ
SN74LV166ANSR SN74LV166ANSR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 10,3 мм 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 200.005886mg 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 1,95 мм Оформлена Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV166 Nukahan Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. Толкат 26 млн 50pf Или, СДВИГР 11,9 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 1 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 35000000 ggц
SN74F299DW SN74F299DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 70 мг Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 500.000539mg НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм Ear99 Rershym yudrжania; Обобалавив/Вес; Totempole oposledowelnыйs -sdvig -vprawo yscdig levы whodы; Я Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74F299 1 Исиннн F/bыstro Три-Госдарство 15 млн 50pf СДВИГР 11 млн Универсалнг 8 Дюнапразлнн 10 3-шТат Poloshitelgnый kraй 95 май СДВИГР 0,024 а Не
SN74ALS165DE4 SN74ALS165DE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 139,989945 м 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 158 ММ Чasы yangirowют E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS165 Nukahan 1 Н.Квалиирована Ас Додер 50pf Или, СДВИГР 14 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 45 мг 24ma СДВИГР Не 4500000000 gц
HEF4557BT,652 HEF4557BT, 652 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-hef4557bt653-datasheets-9321.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 12 СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 16 Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 15,5. Дон Крхлоп 260 4557 30 1 Додер 480 м 50pf СДВИГР 65 м Универсалнг 64 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
SN74LV166ADG4 SN74LV166ADG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 139,989945 м 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 158 ММ Оформлена E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV166 Nukahan Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. Толкат 26 млн 50pf Или, СДВИГР 11,9 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 1 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 35000000 ggц

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.