Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Колист ИНЕРФЕРА Вес Втипа МАКСИМАЛНГАН В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Колист Коли Вес Веса Кргителнь ТОК На том, что Колист Вес ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. МУЛИПЛЕКСИРОВАНАНА ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT ТИП Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
74HCT164N,652 74HCT164N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc164n652-datasheets-9560.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 1 14-Dip Толкат Сэриал, чtobы parallegnonono 8 СДВИГР
NLV14549BDWR2G NLV14549BDWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 2011 год /files/onsemoronductor-mc14549bcpg-datasheets-0732.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 9 nedely 16 Актио, А. Н. в дар E3 Олово (sn) 3v ~ 18v Дон Крхлоп 1 Толкат Универсалнг 8 Вес, то, что
CD74HCT4094E CD74HCT4094E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS В /files/rochesterelectronicsllc-cd74hc4094e-datasheets-2990.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 16 Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Neosnahyonnnый seriйnый stsig prawwwый whod Не 4,5 n 5,5. Дон 5,5 В. 4,5 В. 1 Исиннн Коммер Hct Три-Госдарство Сэриал, чtobы parallegnonono 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 60 мг СДВИГР Верно 43 м
74HC4015D,653 74HC4015D, 653 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc4015d652-datasheets-9525.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 2 В ~ 6 В. 2 16-й Толкат Сэриал, чtobы parallegnonono 4 СДВИГР
MM74HC165M MM74HC165M Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-mm74hc165sjx-datasheets-1430.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар Чasы yangirowют E3 МАГОВОЙ В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. Nukahan 1 Коммер HC/UH Додер Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 Poloshitelgnый kraй 25 мг СДВИГР Верно
MC74HC165AFG MC74HC165AFG Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-mc74hc165afelg-datasheets-1427.pdf 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 2 В ~ 6 В. 1 16-Soeiaj Додер Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 СДВИГР
74HCT166N,652 74HCT166N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hct166n652-datasheets-9578.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 1 16-Dip Толкат Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 СДВИГР
SN74LV594ADG4 SN74LV594ADG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 139,989945 м 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 158 ММ Парллэнг Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV594 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Толкат 19 млн 50pf СДВИГР 9,2 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 50000000 ГГ
HEF4094BP,652 HEF4094BP, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-hef4094bp652-datasheets-9579.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 3 В ~ 15 В. 1 16-Dip Три-Госдарство Серригня или Парлалн, Серригнян 8 СДВИГР
74HC166N,652 74HC166N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hct166n652-datasheets-9578.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 2 В ~ 6 В. 1 16-Dip Толкат Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 СДВИГР
MC74HC164AD MC74HC164AD Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В /files/rochesterelectronicsllc-mc74hc164adr2-datasheets-1476.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 4,4 мм 14 в дар НЕИ E4 Ngecely palladyй В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 40 1 Исиннн Коммер HC/UH Толкат Сэриал, чtobы parallegnonono 8 Poloshitelgnый kraй 40 мг СДВИГР Верно 250 млн
HV582GA-G HV582GA-G ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) 1,1 мм Rohs3 /files/microchiptechnology-hv582gag-datasheets-9553.pdf 169-TFBGA 10 мм 10 мм 169 7 Ear99 8542.39.00.01 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 4,5 n 5,5. Униджин М 0,75 мм HV582 6 25 май Дни в плазме AC плазма Толкат СДВИГР Сэриал, чtobы parallegnonono 16 30 мг Не СДВИГР
SN74LS595DG4 SN74LS595DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 158 ММ Серигн Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 74LS595 Исиннн Лаурет Три-Госдарство 38 м 45pf СДВИГР 35 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 20 мг 65 май СДВИГР 0,024 а 25 млн Не 20000000 gц
74HC670D,652 74HC670D, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc670d653-datasheets-9530.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 2 В ~ 6 В. 1 16-й Три-Госдарство Универсалнг 4 Зaregystryrovath fapaйl
CD4035BE CD4035BE Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS В /files/rochesterelectronicsllc-cd4044be-datasheets-4278.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 16 J и Kbar Serial Point Не 3v ~ 18v Дон 1 Надо Коммер Додер Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 4 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Верно
SN74LS596N SN74LS596N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 20 мг Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в 3,9 мм Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон 2,54 мм 74LS596 1 Исиннн 8 Лаурет 8 Otkrыtый kollekцyoner 60 млн 30pf СДВИГР 60 млн Серригня или Парлалн, Серригнян ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 55 май СДВИГР 0,024 а 30 млн Не
74HC164N,652 74HC164N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc164n652-datasheets-9560.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 2 В ~ 6 В. 1 14-Dip Толкат Сэриал, чtobы parallegnonono 8 СДВИГР
N74F164N,602 N74F164N, 602 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-n74f164n602-datasheets-9528.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 1 14-Dip Толкат Сэриал, чtobы parallegnonono 8 СДВИГР
SN74LS299DW SN74LS299DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) SMD/SMT В 35 мг Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 500.709277mg НЕТ SVHC 20 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 2,35 мм Rershym yudrжania; Обобалаки Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 74LS299 1 Исиннн 2 Лаурет Три-Госдарство 53 май 40 млн СДВИГР 40 млн Универсалнг 8 Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй СДВИГР 39 м Не
N74F194N,602 N74F194N, 602 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-n74f194n602-datasheets-9529.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 1 16-Dip Толкат Универсалнг 4 Зaregystriruйtesesh, дюнапра
CD74HCT670M CD74HCT670M Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 158 ММ Ear99 ЗOLOTO Не E4 Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT670 4 1 Hct 4 6ma Три-Госдарство 75 м 75 м Универсалнг 4 -6ma 6ma 8 мка 3-шТат 0,08 Ма Зaregystryrovath fapaйl 0,006 а 50 млн Не Ох
74HC670D,653 74HC670D, 653 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hc670d653-datasheets-9530.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 2 В ~ 6 В. 1 16-й Три-Госдарство Универсалнг 4 Зaregystryrovath fapaйl
74HCT165N,652 74HCT165N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hct165n652-datasheets-9570.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 1 16-Dip Додер Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 СДВИГР
MC14559BDWR2G MC14559BDWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 4 мг 2,65 мм Rohs3 2006 /files/onsemoronductor-mc14549bcpg-datasheets-0732.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 547.485991mg 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар E3 Олово (sn) Nerting 3v ~ 18v Дон Крхлоп 260 4559 8 40 1 Rregystrы cmenenы Н.Квалиирована Толкат 1,5 мкс 310 с Универсалнг -4,2 мая 4,2 мая 20 мк 1 Вес, то, что Poloshitelgnый kraй
SN74LS674DWG4 SN74LS674DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 620.004071mg 24 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2,35 мм Парелхл Асинронно -в апреле -рэгистра; ОБИХИЙСКОЛОЛ ВВОДА/ВОДА E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 74LS674 Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Лаурет 16 Три-Госдарство 45 м 45pf СДВИГР 40 млн Парллхно сэринано ОДНОАНАПРАВЛЕННА 16 3-шТат Negativnoe opreimaheestvo 28 мг 40 май СДВИГР Не 20000000 gц
SN74LS674DW SN74LS674DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 28 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74ls674dw-datasheets-2886.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 40 май 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м НЕТ SVHC 24 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 2,35 мм Rershym yudrжania; ЧiTATA/UPRAVLENIEES; Nwor -otklючoTeT -kak -oposledovotelnhe Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 74LS674 1 Исиннн 8 Лаурет Три-Госдарство 45 м 45pf СДВИГР 40 млн Парллхно сэринано 16 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Negativnoe opreimaheestvo 20 мг СДВИГР Не
74HCT194N,652 74HCT194N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hct194n652-datasheets-9539.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 1 16-Dip Толкат Универсалнг 4 Зaregystriruйtesesh, дюнапра
HV9808PJ-G HV9808PJ-G ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 2014 /files/microchiptechnology-hv9808pjg-datasheets-9542.pdf 44-LCC (J-Lead) 16,59 мм 44 6 2.386605G 44 Ear99 E3 МАНЕВОВО 4,5 n 5,5. Квадран NeT -lederStva 245 HV9808 40 Н.Квалиирована « Толкат ЗaщeLca, rereStr smenы 110 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 32 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 СДВИГР
N74F194D,602 N74F194D, 602 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-n74f194n602-datasheets-9529.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,5 n 5,5. 1 16-й Толкат Универсалнг 4 Зaregystriruйtesesh, дюнапра
CD74HC597EG4 CD74HC597EG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 6 2 В ~ 6 В. 74HC597 1 Толкат Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 СДВИГР

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.