Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МЕСТОД УПАКОККИ Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Колист Вес ИНЕРФЕРА В конце концов Вес Втипа МАКСИМАЛНГАН В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Колист Коли Кргителнь ТОК На том, что В Встровя Вес Колист Колиствоэвов Колист Вес Колист ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
TPIC6B595N TPIC6B595N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,33 ММ 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 1.1991G НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 4,57 мм ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон 2,54 мм TPIC6B595 Исиннн 5 май Станода Псевригнян 50 500 май Откргит 200 млн СДВИГР 200 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,5а ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 1 9 СДВИГР
TPIC6C595DR TPIC6C595DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 148.409754mg 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 158 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6C595 Исиннн 6C Откргит 80 млн 30pf СДВИГР 80 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
TPIC6596DWG4 TPIC6596DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/texasinstruments-tpic6596dwg4-datasheets-8147.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 537.308512mg НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6596 Псевриген Накапливаться Откргит 650 млн СДВИГР 650 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5а ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 0,5а 1 8 9 СДВИГР
CD4094BE CD4094BE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 6 мг Rohs3 /files/texasinstruments-cd4094be-datasheets-8151.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 1 Млокс 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря 3,9 мм Ear99 ТАКОДЕПАН ЗOLOTO Не E4 3v ~ 18v Дон CD4094 1 Исиннн 2 Три-Госдарство 840 м 50pf СДВИГР 190 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 100 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
SN74HC165DR SN74HC165DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 62 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 158 ММ Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд 8 мка E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC165 2/6. 125 ° С HC/UH Додер 190 млн 50pf СДВИГР 13 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 1 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,0052 а Не
SN74LV166APWR SN74LV166APWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Ear99 Оформлена Не Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV166 5,5 В. 1 Исиннн 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 8 Толкат 26 млн 50pf Или, СДВИГР 11,9 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 2 90 мг СДВИГР 0,05 а Не 35000000 ggц
SN74LV594APWR SN74LV594APWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Ear99 Парллэнг ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV594 5,5 В. 1 Исиннн 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 8 Толкат 19 млн 50pf СДВИГР 9,2 млн Сэриал, чtobы parallegnonono ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 30000000 ГГ
SN74HC165N SN74HC165N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74hc165n-datasheets-8077.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 8 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) 3,9 мм Оформлена ЗOLOTO Не E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон 2,54 мм 74HC165 1 2/6. HC/UH 10 май Додер 190 млн 50pf СДВИГР 190 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,0052 а Не 25000000 ggц
SN74HC595DR SN74HC595DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) SMD/SMT CMOS 42 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1 Млокс 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не Тргенд 80 мка E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC595 Исиннн 2/6. 150 ° С 85 ° С HC/UH Три-Госдарство 1 Млокс 250 млн 50pf СДВИГР 43 м Серригня или Парлалн, Серригнян 9 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 10 СДВИГР 34 м Не
74HCT595D,118 74HCT595D, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2011 год /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0202.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe 16 Серригн -Станганхартсин E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT595 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Исиннн Н.Квалиирована Hct Три-Госдарство 50pf СДВИГР Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР Верно 63 м
74HC595BQ,115 74HC595BQ, 115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0202.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 3,5 мм 2,5 мм 16 8 16 Серригн -Станганхартсин E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм 74HC595 30 1 Исиннн Н.Квалиирована HC/UH Три-Госдарство СДВИГР Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР Верно 265 м
74HCT595PW,118 74HCT595PW, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT CMOS Rohs3 2011 год /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0202.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe НЕТ SVHC 16 Серригн -Станганхартсин ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HCT595 30 Исиннн Hct 2MA Три-Госдарство 63 м Ncdig 63 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 160 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат 1 Poloshitelgnый kraй 9 20 мг СДВИГР
SN74LV165APWR SN74LV165APWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Ear99 Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV165 5,5 В. 1 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 8 Додер 28 млн 50pf СДВИГР 11,9 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 2 20 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 45 мг СДВИГР 0,05 а Не 50000000 ГГ
CD74HC4094PWR CD74HC4094PWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 1 ММ Ear99 Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Posledowelnыйvod, зaikcyrovannnnnыйs чasami -sdviga, tataksepepen ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. 74HC4094 1 Исиннн 2 HC/UH Три-Госдарство 295 м 50pf ЗaщeLca, rereStr smenы 295 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
CD74HC4094M96 CD74HC4094M96 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ Ear99 Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Posledowelnыйvod, зaikcyrovannnnnыйs чasami -sdviga, tataksepepen Оло Не Тргенд E3 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 4,5 В. 74HC4094 1 Исиннн 2 HC/UH Три-Госдарство 295 м 50pf ЗaщeLca, rereStr smenы 33 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
74HC595D,118 74HC595D, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 100 мг Rohs3 /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0202.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe 16 Серригн -Станганхартсин E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 74HC595 1 Исиннн HC/UH Три-Госдарство СДВИГР Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР Верно 265 м
MM74HC595MX MM74HC595MX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2008 /files/onsemyonductor-mm74hc595n-datasheets-0366.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 10 мм 1,5 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 142.994995mg НЕТ SVHC 16 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар Парллэнг Оло Не E3 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 4,5 В. 74HC595 Исиннн HC/UH Три-Госдарство 40 млн СДВИГР 40 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 5 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 30 мг СДВИГР 24000000 ggц
SN74HC595PWR SN74HC595PWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 42 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74hc595pwr-datasheets-8033.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1 Млокс 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1 ММ Ear99 Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC595 1 Исиннн 2/6. 4 HC/UH Три-Госдарство 250 млн СДВИГР 34 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 10 29 мг СДВИГР Не
SN74AHC594PWR SN74AHC594PWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AHC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74ahc594pwr-datasheets-8040.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Парелхл ДОСТУПАНС ЗOLOTO Не Тргенд E4 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 74AHC594 5,5 В. Исиннн 2/6. AHC/VHC/H/U/V. Толкат 14,4 млн 50pf СДВИГР 14,4 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 0,04 мая СДВИГР 0,05 а Не
SN74LV595APWR SN74LV595APWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT CMOS 170 мг Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1 Млокс 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV595 5,5 В. 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Три-Госдарство 1 Млокс 25,5 млн 50pf СДВИГР 10,2 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 45 мг 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не
74HC165D,652 74HC165D, 652 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2000 /files/nexperiausainc-74hc165pwq100118-datasheets-2074.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe 16 Ear99 Чasы yangirowют E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC165 30 1 Н.Квалиирована HC/UH Додер 50pf Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР Верно 250 млн
MC74HC595ADR2G MC74HC595ADR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 35 мг Rohs3 2005 /files/onsemoronductor-mc74hc595afel-datasheets-0803.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 10 мм 1,75 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 16 41 А. НЕТ SVHC 16 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар Ear99 Оло Не 40 мк E3 БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC595 40 1 Исиннн 2/6. 125 ° С HC/UH Три-Госдарство 225 м СДВИГР 225 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 40 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР
SN74HC165PWR SN74HC165PWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS 29 мг Rohs3 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 61.887009mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC165 1 2/6. HC/UH Додер 190 млн 50pf СДВИГР 190 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй СДВИГР 0,0052 а Не
74HC165PW,112 74HC165PW, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2008 /files/nexperiausainc-74hc165pwq100118-datasheets-2074.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 16 Чasы yangirowют ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC165 30 1 HC/UH Додер 250 млн 50pf Или, СДВИГР 28 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 20 мг СДВИГР
74HC595D,112 74HC595D, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 108 мг Rohs3 /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0202.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,9 мм 16 4 neDe 16 Серригн -Станганхартсин 70 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC595 30 Исиннн Н.Квалиирована 125 ° С HC/UH Три-Госдарство 50pf 16 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР Верно
74HC595PW,112 74HC595PW, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0202.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5,1 мм 950 мкм 4,5 мм СОУДНО ПРИОН 4 neDe 4.535924G 16 ЗOLOTO Не 2 В ~ 6 В. 74HC595 1 1 16-tssop 8 Три-Госдарство 265 м СДВИГР 265 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 160 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 1 9 СДВИГР
74HC165PW,118 74HC165PW, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74hc165pwq100118-datasheets-2074.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe НЕТ SVHC 16 Чasы yangirowют ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC165 30 1 HC/UH 5,2 мая Додер 250 млн 50pf Или, СДВИГР 16 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 4 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
TPIC6C596PWR TPIC6C596PWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-tpic6c596pwr-datasheets-7908.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 60.100989mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 1 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6C596 Исиннн 6C Откргит 80 млн 30pf СДВИГР 80 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
74HC595PW,118 74HC595PW, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nxpusainc-74hc595n112-datasheets-0202.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 4 neDe 16 Серригн -Станганхартсин E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC595 30 1 Исиннн Н.Квалиирована HC/UH Три-Госдарство СДВИГР Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР Верно 265 м
TPIC6A596DWRG4 TPIC6A596DWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м 24 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2,35 мм Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не Тргенд E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6A596 Исиннн 6A Откргит 125 м 30pf СДВИГР 125 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 5 май СДВИГР

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.