Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ИДЕРИКАТОРАПАТОРАПЕРАПЕР МЕСТОД УПАКОККИ Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй Смерть Колист Вес ИНЕРФЕРА В конце концов Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Колист Коли Кргителнь ТОК На том, что В Встровя Klючite -wreman Вес Колист Колиствоэвов Вес ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. МУЛИПЛЕКСИРОВАНАНА ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) На nanapravyenee -o ШMITTTTTTTTTT Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
HEF4094BT,652 HEF4094BT, 652 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2011 год /files/nexperiausainc-hef4094bts118-datasheets-2475.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe 16 Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Neosnahyonnnый seriйnый stsig prawwwый whod E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 3 В ~ 15 В. Дон Крхлоп 260 4094 30 1 Исиннн Н.Квалиирована Три-Госдарство 50pf Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 5 мг СДВИГР Верно 330 млн
74HC164D,652 74HC164D, 652 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74hct164d653-datasheets-2585.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 3,9 мм 14 4 neDe 14 Ear99 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC164 30 1 Исиннн Н.Квалиирована HC/UH Толкат 50pf Сэриал, чtobы parallegnonono 8 Poloshitelgnый kraй 24 млн СДВИГР Верно 255 м
MC74HC595ADTR2G MC74HC595ADTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 35 мг Rohs3 1998 /files/onsemoronductor-mc74hc595afel-datasheets-0803.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5,1 мм 1 Млокс 1,05 мм 4,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 45 nedely 172.98879 м НЕТ SVHC 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар ЗOLOTO Не E4 БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC595 40 1 Исиннн 2 HC/UH Три-Госдарство 225 м СДВИГР 225 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
SN74HC166DR SN74HC166DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ Ear99 Оформлена ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC166 1 Исиннн 2/6. HC/UH Толкат 190 млн 50pf СДВИГР 190 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 3 29 мг СДВИГР 0,0052 а 25000000 ggц
HEF4094BT,653 HEF4094BT, 653 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2011 год /files/nexperiausainc-hef4094bts118-datasheets-2475.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 4 neDe 16 Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Neosnahyonnnый seriйnый stsig prawwwый whod E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 3 В ~ 15 В. Дон Крхлоп 260 4094 30 1 Исиннн Н.Квалиирована Три-Госдарство 50pf Серригня или Парлалн, Серригнян 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 5 мг СДВИГР Верно 330 млн
SN74LV164APWR SN74LV164APWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74lv164apwr-datasheets-8281.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 57.209338mg НЕТ SVHC 14 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 1 ММ Ear99 Ихпра ЗOLOTO Не Тргенд E4 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV164 5,5 В. 1 Исиннн 8 LV/LV-A/LVX/H. 8 Толкат 24 млн 50pf СДВИГР 24 млн Сэриал, чtobы parallegnonono ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 3 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 4500000000 gц
HCF4094YM013TR HCF4094YM013TR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100, 4000 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 /files/stmicroelectronics-hcf4094bey-datasheets-0371.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 16 200.686274mg 16 Активна (posteDnyй obnownen: 7 мг. Ear99 3 В ~ 20 В. Дон Крхлоп Nukahan HCF4094 20 Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Три-Госдарство 840 м И, зaщelca, rerestr 420 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
HEF4021BT,653 HEF4021BT, 653 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-hef4021bttj-datasheets-8838.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 12 СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe НЕТ SVHC 16 ЗOLOTO Не E4 15 3 В ~ 15 В. Дон Крхлоп 260 4021 30 1 Исиннн Толкат 250 млн 50pf СДВИГР 250 млн Парлэлн или Сейрихан -длсейригно 8 20 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 3 6 мг СДВИГР
SN74LV164ADR SN74LV164ADR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74lv16444adr-datasheets-8190.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 129 387224 м 14 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 158 ММ Ear99 Ихпра ЗOLOTO Не Тргенд E4 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV164 5,5 В. 1 Исиннн 8 LV/LV-A/LVX/H. 8 Толкат 24 млн 50pf СДВИГР 24 млн Сэриал, чtobы parallegnonono ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 3 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 4500000000 gц
TPIC6C596DRG4 TPIC6C596DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-tpic6c596drg4-datasheets-8295.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 155,100241 м НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 158 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не Тргенд E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6C596 Исиннн 6C Откргит 80 млн 30pf СДВИГР 15 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
74HC164PW,112 74HC164PW, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74hct164d653-datasheets-2585.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 14 4 neDe 14 ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC164 30 1 Исиннн HC/UH Толкат 255 м 50pf СДВИГР 255 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
TPIC6B595DWRG4 TPIC6B595DWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 8 537.308512mg НЕТ SVHC 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 2,35 мм ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6B595 Исиннн 5 май Станода Псевригнян Откргит 200 млн СДВИГР 200 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,5а ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 1 9 СДВИГР
74HC164PW,118 74HC164PW, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74hct164d653-datasheets-2585.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 14 4 neDe НЕТ SVHC 14 ЗOLOTO Не E4 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC164 30 1 Исиннн HC/UH 8 Толкат 255 м 50pf СДВИГР 255 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй 8 СДВИГР
SN74HC164PWR SN74HC164PWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS 36 мг Rohs3 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 57.209338mg НЕТ SVHC 14 Активна (Постенни в в дар 1 ММ Ear99 Ихпра ЗOLOTO Не Тргенд 160 мка E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC164 1 Исиннн 125 ° С HC/UH 8 Толкат 255 м 50pf СДВИГР 20 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
TPIC6A595NE TPIC6A595NE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,51 мм 5,08 мм 6,86 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 1.200007G НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 4,57 мм Ear99 Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон 2,54 мм TPIC6A595 Исиннн 6A 50 Откргит 125 м 30pf СДВИГР 125 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 5 май СДВИГР
MC74HC164ADTR2G MC74HC164ADTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2006 /files/onsemoronductor-mc74hc164ang-datasheets-0538.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5,1 мм 1,05 мм 4,5 мм СОУДНО ПРИОН 14 45 nedely НЕТ SVHC 14 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар ЗOLOTO Не E4 БЕЗОПАСНЫЙ 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74HC164 40 1 Исиннн HC/UH Толкат 260 м 50pf СДВИГР 260 м Сэриал, чtobы parallegnonono 8 4 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй 40 мг СДВИГР 30000000 ГГ
SN74HC164DR SN74HC164DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 14 6 122,413241 м НЕТ SVHC 14 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 158 ММ Ear99 Ихпра ЗOLOTO Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC164 1 Исиннн HC/UH Толкат 255 м 50pf СДВИГР 30 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй СДВИГР Не
TPIC6C595DR TPIC6C595DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 148.409754mg 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 158 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6C595 Исиннн 6C Откргит 80 млн 30pf СДВИГР 80 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
TPIC6596DWG4 TPIC6596DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/texasinstruments-tpic6596dwg4-datasheets-8147.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 537.308512mg НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6596 Псевриген Накапливаться Откргит 650 млн СДВИГР 650 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,5а ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 0,5а 1 8 9 СДВИГР
CD4094BE CD4094BE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 4000b Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 6 мг Rohs3 /files/texasinstruments-cd4094be-datasheets-8151.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 1 Млокс 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря 3,9 мм Ear99 ТАКОДЕПАН ЗOLOTO Не E4 3v ~ 18v Дон CD4094 1 Исиннн 2 Три-Госдарство 840 м 50pf СДВИГР 190 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 100 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3 Poloshitelgnый kraй СДВИГР
TPIC6595DWR TPIC6595DWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 537.308512mg 20 Активна (Постенни в в дар 2,35 мм ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6595 Псевриген Исиннн 5 май ШMITTTTTTTTTT Накапливаться 45 Откргит 650 млн ЗaщeLca, rereStr smenы 650 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2A ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 0,625 мкс 0,5а 1 8 9 СДВИГР
74HCT594D,112 74HCT594D, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2011 год /files/nexperiausainc-74hc594db118-datasheets-1771.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 16 Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не E4 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74HCT594 30 Исиннн Hct Толкат 48 м СДВИГР 48 м Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 Poloshitelgnый kraй 9 20 мг СДВИГР
SN74LV595ADR SN74LV595ADR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 158 ММ Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не Тргенд E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV595 5,5 В. 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Три-Госдарство 25,5 млн 50pf СДВИГР 25,5 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 45 мг 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 50000000 ГГ
TPIC6595N TPIC6595N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,33 ММ 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 1.1991G НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в в дар 4,57 мм Не 15 Мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 4,5 n 5,5. Дон 2,54 мм TPIC6595 230 м Псевриген Исиннн ШMITTTTTTTTTT Накапливаться 45 Откргит 650 млн СДВИГР 650 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2A ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ 0,625 мкс 0,5а 1 8 9 СДВИГР
SN74HC594DR SN74HC594DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 40 мг Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1 Млокс 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 158 ММ Ear99 Не Тргенд E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC594 1 Исиннн 2/6. 4 HC/UH Толкат 185 м 50pf СДВИГР 25 млн Сэриал, чtobы parallegnonono 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 10 СДВИГР Не
HV5523K7-G HV5523K7-G ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 0,8 мм Rohs3 2011 год /files/microchiptechnology-hv5523k7gm933-datasheets-9620.pdf 44-VFQFN PAD 7 мм 7 мм 44 7 44 Ear99 Не E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 4,5 n 5,5. Квадран 260 0,5 мм HV5523 40 1 Исиннн Дни в плазме AC плазма Откргит ЗaщeLca, rereStr smenы Сэриал, чtobы parallegnonono 32 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Не СДВИГР
SN74HC595N SN74HC595N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74hc595n-datasheets-8093.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) 3,9 мм Ear99 Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не N (R-PDIP-T) E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 2 В ~ 6 В. Дон 74HC595 1 Исиннн 2/6. 4 HC/UH Три-Госдарство 250 млн 50pf СДВИГР 250 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 10 29 мг СДВИГР Не 25000000 ggц
74LVC595ABQ,115 74LVC595ABQ, 115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvc595ad118-datasheets-3018.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 3,5 мм 2,5 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 16 8 16 ЗOLOTO Не E4 1,65, ~ 3,6 В. Квадран 260 3,3 В. 0,5 мм 74LVC595 3,6 В. 30 Исиннн LVC/LCX/Z. Три-Госдарство 18,2 млн СДВИГР 18,2 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 СДВИГР
SN74LV595ARGYR Sn74lv595argyr Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 2 (1 годы) CMOS Rohs3 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 4 мм 1 ММ 3,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 6 37.194574mg НЕТ SVHC 16 Активна (Постенни в в дар 900 мкм Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod ЗOLOTO Не Тргенд E4 2В ~ 5,5 В. Квадран 260 2,5 В. 0,5 мм 74LV595 5,5 В. 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Три-Госдарство 25,5 млн 50pf СДВИГР 25,5 млн Серригня или Парлалн, Серригнян 8 20 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 45 мг 0,02 мая СДВИГР 0,05 а Не 50000000 ГГ
NPIC6C596APWJ NPIC6C596APWJ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2010 ГОД /files/nexperiausainc-npic6c596apwwwj-datasheets-3982.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 4 neDe 172.98879 м НЕТ SVHC 16 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 2,3 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 0,65 мм PIC6C596 5,5 В. 2,3 В. 1 Исиннн NPIC 8 Откргит СДВИГР 97 м Серригня или Парлалн, Серригнян ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 8 СДВИГР

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.