SOC - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

SOC (2776)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль Делина Шyrina Колист Верна - HTS -KOD Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Колист Колист Programmirueemый lologeчeskyйtp Колиство -ложистка
10AS048E3F29E2SG 10as048e3f29e2sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as048e3f29e2sg-datasheets-5213.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 480000
10AS048E3F29E2LG 10as048e3f29e2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as048e3f29e2lg-datasheets-5119.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 480000
10AS048E2F29I2SG 10as048e2f29i2sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as048e2f29i2sg-datasheets-5009.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 480000
10AS048E2F29I2LG 10as048e2f29i2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as048e2f29i2lg-datasheets-4906.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 480000
10AS048E2F29E2SG 10as048e2f29e2sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as048e2f29e2sg-datasheets-4656.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 480000
10AS048E2F29E2LG 10as048e2f29e2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as048e2f29e2lg-datasheets-4584.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 480000
10AS032H4F35I3SG 10AS032H4F35I3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H4F35I3SG-datasheets-4055.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H4F35I3LG 10AS032H4F35I3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H4F35I3LG-DATASHEETS-3953.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H4F35E3SG 10AS032H4F35E3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H4F35E3SG-datasheets-3862.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H4F35E3LG 10AS032H4F35E3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H4F35E3LG-DATASHEETS-3759.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H4F34I3SG 10AS032H4F34I3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H4F34I3SG-datasheets-3660.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H4F34I3LG 10AS032H4F34I3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H4F34I3LG-datasheets-3564.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H4F34E3SG 10AS032H4F34E3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H4F34E3SG-datasheets-3426.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H4F34E3LG 10AS032H4F34E3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H4F34E3LG-datasheets-3322.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H3F35I2SG 10AS032H3F35I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H3F35I2SG-datasheets-3278.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H3F35I2LG 10AS032H3F35I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H3F35I2LG-datasheets-3034.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H3F35E2SG 10AS032H3F35E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H3F35E2SG-datasheets-2925.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H3F35E2LG 10AS032H3F35E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H3F35E2LG-DATASHEETS-2863.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H3F34I2SG 10AS032H3F34I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H3F34I2SG-datasheets-2736.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H3F34I2LG 10AS032H3F34I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H3F34I2LG-datasheets-2630.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H3F34E2SG 10AS032H3F34E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H3F34E2SG-datasheets-2545.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H3F34E2LG 10AS032H3F34E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H3F34E2LG-datasheets-2470.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H2F35I2SG 10AS032H2F35I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H2F35I2SG-datasheets-2336.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H2F35I2LG 10AS032H2F35I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H2F35I2LG-DATASHEETS-2229.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H2F35E2SG 10AS032H2F35E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H2F35E2SG-datasheets-1941.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H2F35E2LG 10AS032H2F35E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10AS032H2F35E2LG-datasheets-1798.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H2F34I2SG 10AS032H2F34I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H2F34I2SG-datasheets-1629.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H2F34I2LG 10AS032H2F34I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H2F34I2LG-datasheets-1539.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H2F34E2SG 10AS032H2F34E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H2F34E2SG-datasheets-1286.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
10AS032H2F34E2LG 10AS032H2F34E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10AS032H2F34E2LG-datasheets-1223.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 320000
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)