SOC - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

SOC (2776)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль Делина Шyrina Колист Верна - HTS -KOD Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Колист Колист Programmirueemый lologeчeskyйtp Колиство -ложистка
10AS027E3F27I2LG 10as027e3f27i2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e3f27i2lg-datasheets-1554.pdf 27 ММ 27 ММ 672 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E3F27E2SG 10AS027E3F27E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e3f27e2sg-datasheets-1430.pdf 27 ММ 27 ММ 672 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E3F27E2LG 10as027e3f27e2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e3f27e2lg-datasheets-1333.pdf 27 ММ 27 ММ 672 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E2F29I2SG 10as027e2f29i2sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e2f29i2sg-datasheets-1220.pdf 29 ММ 29 ММ 780 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E2F29I2LG 10as027e2f29i2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e2f29i2lg-datasheets-1091.pdf 29 ММ 29 ММ 780 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E2F29E2SG 10AS027E2F29E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e2f29e2sg-datasheets-0926.pdf 29 ММ 29 ММ 780 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E2F29E2LG 10as027e2f29e2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e2f29e2lg-datasheets-0784.pdf 29 ММ 29 ММ 780 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E2F27I2SG 10as027e2f27i2sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e2f27i2sg-datasheets-0622.pdf 27 ММ 27 ММ 672 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E2F27I2LG 10as027e2f27i2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e2f27i2lg-datasheets-0414.pdf 27 ММ 27 ММ 672 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E2F27E2SG 10AS027E2F27E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e2f27e2sg-datasheets-0217.pdf 27 ММ 27 ММ 672 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E2F27E2LG 10as027e2f27e2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e2f27e2lg-datasheets-0123.pdf 27 ММ 27 ММ 672 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS022E4F29I3SG 10AS022E4F29I3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as022e4f29i3sg-datasheets-9527.pdf 29 ММ 29 ММ 780 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 288 288 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E4F29I3LG 10AS022E4F29I3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as022e4f29i3lg-datasheets-9190.pdf 29 ММ 29 ММ 780 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 288 288 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E4F29E3SG 10AS022E4F29E3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10AS022E4F29E3SG-datasheets-9052.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 288 288 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E4F29E3LG 10AS022E4F29E3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10AS022E4F29E3LG-DATASHEETS-8990.pdf 29 ММ 29 ММ 780 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 288 288 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E4F27I3SG 10AS022E4F27I3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022e4f27i3sg-datasheets-8893.pdf 27 ММ 27 ММ 672 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E4F27I3LG 10AS022E4F27I3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022e4f27i3lg-datasheets-8761.pdf 27 ММ 27 ММ 672 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E4F27E3SG 10AS022E4F27E3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022e4f27e3sg-datasheets-8654.pdf 27 ММ 27 ММ 672 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E3F29I2SG 10AS022E3F29I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as022e3f29i2sg-datasheets-8451.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 288 288 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E3F29E2SG 10AS022E3F29E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as022e3f29e2sg-datasheets-8046.pdf 29 ММ 29 ММ 780 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 288 288 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E3F29E2LG 10AS022E3F29E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10AS022E3F29E2LG-DATASHEETS-7952.pdf 29 ММ 29 ММ 780 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 288 288 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E3F27I2SG 10AS022E3F27I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022e3f27i2sg-datasheets-7751.pdf 27 ММ 27 ММ 672 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E3F27I2LG 10AS022E3F27I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022e3f27i2lg-datasheets-7628.pdf 27 ММ 27 ММ 672 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E3F27E2SG 10AS022E3F27E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022e3f27e2sg-datasheets-7460.pdf 27 ММ 27 ММ 672 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022E3F27E2LG 10AS022E3F27E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022e3f27e2lg-datasheets-7351.pdf 27 ММ 27 ММ 672 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022C4U19I3LG 10AS022C4U19I3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022c4u19i3lg-datasheets-7149.pdf 19 мм 19 мм 484 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 0,8 мм Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B484 192 192 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022C4U19E3SG 10AS022C4U19E3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as022c4u19e3sg-datasheets-6937.pdf 19 мм 19 мм 484 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 0,8 мм Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B484 192 192 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022C4U19E3LG 10AS022C4U19E3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10AS022C4U19E3LG-DATASHEETS-6813.pdf 19 мм 19 мм 484 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 0,8 мм Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B484 192 192 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022C3U19I2SG 10AS022C3U19I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10AS022C3U19I2SG-datasheets-6686.pdf 19 мм 19 мм 484 8 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 0,8 мм Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B484 192 192 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
10AS022C3U19I2LG 10AS022C3U19I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10AS022C3U19I2LG-datasheets-6584.pdf 19 мм 19 мм 484 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 0,8 мм Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B484 192 192 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 220000
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)