SOC - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

SOC (2776)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Вернояж Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль Делина Шyrina Колист Верна - HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Колист Колист Programmirueemый lologeчeskyйtp Колиство -ложистка
10AS027H4F34E3SG 10AS027H4F34E3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h4f34e3sg-datasheets-6019.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H4F34E3LG 10AS027H4F34E3LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h4f34e3lg-datasheets-5922.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H3F35I2LG 10AS027H3F35I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10as027h3f35i2lg-datasheets-5747.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H3F35E2SG 10AS027H3F35E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10as027h3f35e2sg-datasheets-5608.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H3F35E2LG 10AS027H3F35E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10as027h3f35e2lg-datasheets-5499.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H3F34I2SG 10AS027H3F34I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h3f34i2sg-datasheets-5394.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H3F34I2LG 10AS027H3F34I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h3f34i2lg-datasheets-5269.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H3F34E2SG 10AS027H3F34E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h3f34e2sg-datasheets-5211.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H3F34E2LG 10AS027H3F34E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h3f34e2lg-datasheets-4963.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H2F35I2SG 10AS027H2F35I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10as027h2f35i2sg-datasheets-4867.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H2F35I2LG 10AS027H2F35I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 35 ММ 35 ММ 1152 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H2F35E2SG 10AS027H2F35E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10as027h2f35e2sg-datasheets-4499.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H2F35E2LG 10AS027H2F35E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,5 мм В 2016 /files/altera-10as027h2f35e2lg-datasheets-4378.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H2F34I2SG 10AS027H2F34I2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h2f34i2sg-datasheets-4183.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H2F34I2LG 10AS027H2F34I2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h2f34i2lg-datasheets-4079.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H2F34E2SG 10AS027H2F34E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h2f34e2sg-datasheets-3806.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027H2F34E2LG 10AS027H2F34E2LG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,65 мм В 2016 /files/altera-10as027h2f34e2lg-datasheets-3716.pdf 35 ММ 35 ММ 1152 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B1152 384 384 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E4F29I3SG 10as027e4f29i3sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e4f29i3sg-datasheets-3086.pdf 29 ММ 29 ММ 780 14 8542.39.00.01 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E4F29I3LG 10as027e4f29i3lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e4f29i3lg-datasheets-2969.pdf 29 ММ 29 ММ 780 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E4F29E3SG 10AS027E4F29E3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e4f29e3sg-datasheets-2898.pdf 29 ММ 29 ММ 780 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E4F29E3LG 10as027e4f29e3lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e4f29e3lg-datasheets-2633.pdf 29 ММ 29 ММ 780 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E4F27I3SG 10as027e4f27i3sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e4f27i3sg-datasheets-2506.pdf 27 ММ 27 ММ 672 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E4F27I3LG 10as027e4f27i3lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e4f27i3lg-datasheets-2417.pdf 27 ММ 27 ММ 672 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E4F27E3SG 10AS027E4F27E3SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e4f27e3sg-datasheets-2346.pdf 27 ММ 27 ММ 672 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E4F27E3LG 10as027e4f27e3lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e4f27e3lg-datasheets-2256.pdf 27 ММ 27 ММ 672 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E3F29I2SG 10as027e3f29i2sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e3f29i2sg-datasheets-2130.pdf 29 ММ 29 ММ 780 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E3F29I2LG 10as027e3f29i2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e3f29i2lg-datasheets-2033.pdf 29 ММ 29 ММ 780 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E3F29E2SG 10AS027E3F29E2SG Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e3f29e2sg-datasheets-1929.pdf 29 ММ 29 ММ 780 12 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E3F29E2LG 10as027e3f29e2lg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 3,35 мм В 2016 /files/altera-10as027e3f29e2lg-datasheets-1814.pdf 29 ММ 29 ММ 780 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Drugoй 100 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B780 360 360 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
10AS027E3F27I2SG 10as027e3f27i2sg Алтерна
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 3,25 мм В 2016 /files/altera-10as027e3f27i2sg-datasheets-1754.pdf 27 ММ 27 ММ 672 14 8542.39.00.01 В дар Униджин М Nukahan 0,9 В. 1 ММ Промлэнно 100 ° С -40 ° С 0,93 В. 0,87 В. Nukahan Проэгриммир 0,9 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B672 240 240 Polewoй programmirueemый -mascivyworothet 270000
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)