| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Уровень скрининга | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Минимальное входное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Задержка распространения | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI823H2CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H8CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H7CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДУМ4121КРИЗ-РЛ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum4121briz-datasheets-9741.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 8 | 8 недель | CSA, UR, VDE | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ4121 | 8 | 6,5 В | 2,5 В | 1 | 30 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,3А | 0,042 мкс | 0,053 мкс | 18нс 18нс | 42нс, 53нс | 150 кВ/мкс | 13нс | 11,6 В~35 В | 2,3А | 15 В | 4,5 В | ДА | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х2АБ-ИС1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H4CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H1CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM6132ARWZ-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | IsoPower®, iCoupler® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adum6132arwz-datasheets-0014.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | Содержит свинец | 350 мА | 16 | 8 недель | ЦГА, УР | 5,5 В | 4,5 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 8543.70.99.60 | 1 | 350 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ6132 | 16 | 30 | 275 Вт | Не квалифицированный | 22 мА | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 100 нс | 15 нс | 15 нс | 100 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,2 А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 200 мА 200 мА | 15 нс 15 нс Макс. | 100 нс, 100 нс | 50 кВ/мкс | 12,5 В~17 В | 200 мА | 10 нс | 15 В | ДА | |||||||||||||||||||||||
| 1ED020I12FXUMA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-1ed020i12fxuma2-datasheets-2263.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,52 мм | 16 | 22 недели | 16 | EAR99 | Нет | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 5,5 В | 4,5 В | 1 | 700мВт | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT | 600 нс | 4500 В (среднеквадратичное значение) | 2А | 0,75 мкс | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 13 В~20 В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM4223CRWZ-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adum3223brzrl7-datasheets-8837.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | Содержит свинец | 16 | 20 недель | CSA, UR, VDE | 5В | 3,3 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ДРУГОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ = 4,5–18 В. | Олово | Нет | 8543.70.99.60 | 2 | 1,4 мА | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ4223 | 16 | 2 | 30 | 2,77 Вт | 4А | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 54 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 12нс 12нс | 54нс, 54нс | 50 кВ/мкс | 11,5 В~18 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х8АБ-ИС1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM3220WBRZ-RL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3220arzrl7-datasheets-8829.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 22 недели | CSA, UR, VDE | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | АДУМ3220 | 8 | 5,5 В | 3В | 2 | НЕ УКАЗАН | 17 мА | АЭК-Q100 | 4А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПЕРЫВНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ; ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 20 нс 20 нс | 60 нс, 60 нс | 25 кВ/мкс | 4,5 В~18 В | 10 В | 4,5 В | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H6CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДУМ4121-1АРИЗ-РЛ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum4121briz-datasheets-9741.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 8 | 8 недель | CSA, UR, VDE | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ4121 | 8 | 6,5 В | 2,5 В | 1 | 30 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,3А | 0,042 мкс | 0,053 мкс | 18нс 18нс | 42нс, 53нс | 150 кВ/мкс | 13нс | 4,5 В~35 В | 2,3А | 15 В | 4,5 В | ДА | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х1АБ-ИС1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДУМ4121АРИЗ-РЛ | Аналоговые устройства Inc. | $10,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum4121briz-datasheets-9741.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 8 | 8 недель | CSA, UR, VDE | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ4121 | 8 | 6,5 В | 2,5 В | 1 | 30 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,3А | 0,042 мкс | 0,053 мкс | 18нс 18нс | 42нс, 53нс | 150 кВ/мкс | 13нс | 4,5 В~35 В | 2,3А | 15 В | 4,5 В | ДА | 35В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H3CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H6CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H2CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823H7AB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х2АБ-ИС1Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H7BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM3224WARZ-RL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1 МГц | 4А | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adum3224warz-datasheets-9769.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 1 | 5,5 В | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ3224 | 16 | 3В | 2 | 30 | 1 Мбит/с | 3,2 мА | 3В | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,059 мкс | 0,059 мкс | 12нс 12нс | 54нс, 54нс | 25 кВ/мкс | 4,5 В~18 В | 12 В | 4,5 В | 18В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H8BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H5CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H5BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H3CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H8CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х6АБ-ИС1Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х5АБ-ИС1Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.