Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Логическая функция | Конфигурация | Задержка распространения | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HCPL-3700-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 17 недель | 8 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 305мВт | 18В | 2В | 1 | 305мВт | 0,00004 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 20 В | 50 мА | Дарлингтон | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,03 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 30 мА | 20 мкс 0,3 мкс | 30 мА | 4 мкс, 10 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК81063С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 50% при 10 мА | 150% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК8106300 | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 | 250 мВт | 1 | 70В | 70В | Транзистор | 1 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,15 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 50% при 10 мА | 150% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-054L-060E | Бродком Лимитед | $3,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 150 мА | 17 недель | 8 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМ TTL, ПРИЗНАНО UL, ОДОБРЕНО VDE | е3 | Олово (Вс) | 36мВт | 2 | 2 | 1 Мбит/с | 24В | 24В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 20 мА | 8мА | 93% при токе 3 мА | 200% при 3 мА | 200 нс, 380 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК8105300 | ОН Полупроводник | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 | 250 мВт | 1 | 30В | 30В | Транзистор | 1 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,15 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 65% при 10 мА | 133% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LOC112S | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 2,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,65 мм | 3,3 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | 8 | 500мВт | 1 | 1 | 8-СМД | 10 мА | 1,2 В | Фотоэлектрические, линеаризованные | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC8106SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 50% при 10 мА | 150% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL3700SV | ОН Полупроводник | $3,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl3700v-datasheets-5319.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 5 недель | 792мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 305мВт | 5В | 1 | 210мВт | 0,00004 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 30 мА | 20 В | 50 мА | Дарлингтон | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 45 мкс | 500 нс | 6 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 30 мА | 45 мкс 0,5 мкс | 30 мА | 6 мкс, 25 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCNW139 | Бродком Лимитед | 0,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 12 мА | Содержит свинец | 22 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 135 МВт | 4,5 В | 135 МВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100 кбит/с | 18В | 100 мВ | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 0,000007 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 60 мА | 1,45 В | 60 мА | 4500 % | 200% при 12 мА | 11 мкс, 11 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2730 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ UL, СОВМЕСТИМОСТЬ TTL | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 135 МВт | 135 МВт | 2 | Оптопара — транзисторные выходы | 7В | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,000035 с | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 100 мВ | 60 мА | 1,4 В | 12 мА | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 5 мкс, 10 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-253L | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl253l-datasheets-3480.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР, ПРИЗНАН УЛ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 2 | 100мВт | 2 | 1 Мбит/с | 7В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4562#060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 20 В | 12 мА | Транзистор с базой | 12 мА | ЛИНЕЙНАЯ ВЫХОДНАЯ ИС оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 В | 8мА | 1,3 В | 8мА | 45 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2409(ТП,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2409f-datasheets-0318.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | Нет | 100мВт | 1 | 1 | 20 В | Транзистор | 25 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 16 мА | 1,57 В | 25 мА | 16 мА | 20% при 16 мА | 800 нс, 800 нс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-253Л-520 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl253l520-datasheets-3493.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР, ПРИЗНАН УЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 2 | 2 | 1 Мбит/с | 7В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2730#320 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 135 МВт | 4,5 В | 2 | 2 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,1 Мбит/с | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мВ | 60 мА | 1,4 В | 12 мА | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 5 мкс, 10 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACFL-5212T-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, R²Coupler™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 12-БСОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 17 недель | 12 | 8541.40.80.00 | е3 | Олово (Вс) | 30мВт | 2 | 20 В | Транзистор | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 8мА | 20 В | 32% при 10 мА | 100% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2531#020 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Основание, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 2 | 100мВт | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,7 В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3700-520E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 305мВт | 18В | 2В | 1 | 0,00004 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 30 мА | 20 В | Дарлингтон | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05А | 0,03 А | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 30 мА | 20 мкс 0,3 мкс | 30 мА | 4 мкс, 10 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2731#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 135 МВт | 2 | 135 МВт | 2 | Оптопара — транзисторные выходы | 18В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,7 В | 100 мВ | 60 мА | 1,4 В | 12 мА | 60 мА | 500% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 5 мкс, 10 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ621-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq621gbx001-datasheets-6765.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 16 | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ UL, СОВМЕСТИМОСТЬ С CMOS | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 500мВт | 4 | 500мВт | 4 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,3 В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100 нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ74-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $3,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq74x009-datasheets-6715.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | Нет | 500мВт | 4 | 16-СМД | 20 В | 1,3 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 20 В | 1,3 В | 60 мА | 35 % | 20 В | 12,5% при 16 мА | 3 мкс, 3 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2533-300E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl2533300e-datasheets-3449.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | 45мВт | 2 | 8-ДИП Крыло чайки | 7В | 7В | 25 мА | 1,5 В | Транзистор | 25 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 22 % | 8мА | 7В | 15% при 8 мА | 800 нс, 1 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCNW139#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 135 МВт | 4,5 В | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 18В | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,45 В | 20 мА | 60 мА | 4500 % | 200% при 12 мА | 11 мкс, 11 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4562#520 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 20 В | 12 мА | Транзистор с базой | 12 мА | ЛИНЕЙНАЯ ВЫХОДНАЯ ИС оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 В | 8мА | 1,3 В | 8мА | 45 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3914(ТП15,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $3,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3914tp15f-datasheets-6255.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 20 мА | 12 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 7В | 10 В | 30 мА | Фотоэлектрический | 30 мА | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,3 В | 20 мкА | 20 мкА | 300 мкс, 600 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-054L-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 8 | EAR99 | 5В | 45мВт | 2 | 45мВт | 24В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 93% при токе 3 мА | 200% при 3 мА | 200 нс, 380 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0370-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1999 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 22 недели | 8 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 275 МВт | 18В | 2В | 1 | 275 МВт | 0,00004 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 20 В | 50 мА | Дарлингтон | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,03 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 30 мА | 20 мкс 0,3 мкс | 30 мА | 4 мкс, 10 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCNR200-050E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 60мВт | 1 | 60мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 15 В | 25 мА | Фотоэлектрические, линеаризованные | 25 мА | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ДВОЙНАЯ ОДНОВРЕМЕННАЯ РАБОТА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 В | 1,6 В | 0,25% при 10 мА | 0,75% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCNW136 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 11,15 мм | 5,1 мм | 9 мм | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, СОВМЕСТИМ С CMOS, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | И | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 8мА | 1,68 В | 8мА | 50 % | 15% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2531#520 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 2 | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,7 В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс |
