Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Без свинца	Количество контактов	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Подкатегория	Поставщик пакета оборудования	Выходное напряжение	Прямой ток	Тип выхода	Тип оптоэлектронного устройства	Прямой ток-макс.	Время подъема	Конфигурация	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Обратное напряжение проба	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Текущий коэффициент передачи	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
Х11АВ1ФР2ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11av1a-datasheets-0136.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			Транзистор с базой					4170 В (среднеквадратичное значение)					1,18 В		60 мА				70В	100% при 10 мА	300% при 10 мА	15 мкс, 15 мкс (макс.)	400мВ
H11F3SD	ОН Полупроводник	0,62 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11f2-datasheets-2262.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			МОП-транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				15 В			25 мкс, 25 мкс (макс.)
HCPL2730W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf	8-ДИП (0,400, 10,16 мм)						совместимый					2							Дарлингтон	ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара				2500 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		20 мА			60 мА	7В	300% при 1,6 мА		300 нс, 5 мкс
H11B8153S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b815-datasheets-1175.pdf	4-СМД, Крыло Чайки											1				4-СМД			Дарлингтон					5000 В (среднеквадратичное значение)					1,2 В	300 мкс 250 мкс Макс.	50 мА			80 мА	35В	600% при 1 мА	7500% при 1 мА		1В
Х11Г2С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g2-datasheets-2241.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			да	EAR99	УЛ ПРИЗНАЛ	совместимый	е3	Олово (Вс)	ДА		1		1	Оптопара — транзисторные выходы				Дарлингтон с базой	ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН	0,06А		ОДИНОКИЙ	5300 В (среднеквадратичное значение)	0,26 Вт				1,3 В		60 мА	1000%	80В		80В	1000% при 10 мА		5 мкс, 100 мкс	1В
H11G1300	ОН Полупроводник	14,00 долларов США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g2-datasheets-2241.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)	Без свинца	6								260мВт		260мВт	1			100В	60 мА	Дарлингтон с базой			5 мкс		5300 В (среднеквадратичное значение)		6В	1В	100В	1,3 В						100В	1000% при 10 мА		5 мкс, 100 мкс
Х11Г33С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g2-datasheets-2241.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			Дарлингтон с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				55В	200% при 1 мА		5 мкс, 100 мкс	1,2 В
H11F23SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11f2-datasheets-2262.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			МОП-транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				30 В			25 мкс, 25 мкс (макс.)
HCPL2503S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf	8-СМД, Крыло Чайки						совместимый					1							Транзистор с базой	ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара				2500 В (среднеквадратичное значение)					1,45 В		25 мА			8мА	20 В	12% при 16 мА		450 нс, 300 нс
H11G2W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g2-datasheets-2241.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			Дарлингтон с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				80В	1000% при 10 мА		5 мкс, 100 мкс	1В
Х11Д13С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d2300-datasheets-2258.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			Транзистор с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В		80 мА			100 мА	300В	20% при 10 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
H24B1	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие		Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Не соответствует требованиям RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h24b1-datasheets-1252.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)											1				4-ДИП			Дарлингтон					5300 В (среднеквадратичное значение)							60 мА				30 В	1000% при 5 мА			1В
Х11Г2СД	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия		2000 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g2-datasheets-2241.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			Дарлингтон с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				80В	1000% при 10 мА		5 мкс, 100 мкс	1В
HCPL2731W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf	8-ДИП (0,400, 10,16 мм)						совместимый					2							Дарлингтон	ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара				2500 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		20 мА			60 мА	18В	500% при 1,6 мА		300 нс, 5 мкс
МСТ210С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct2200300-datasheets-2235.pdf	6-СМД, Крыло Чайки						совместимый					1							Транзистор с базой	ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА				5300 В (среднеквадратичное значение)					1,33 В	1 мкс 11 мкс	100 мА			50 мА	30 В	150% при 10 мА		1 мкс, 50 мкс	400мВ
H11F3300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11f2-datasheets-2262.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			МОП-транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				15 В			25 мкс, 25 мкс (макс.)
Х11Д33С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d2300-datasheets-2258.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			Транзистор с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В		80 мА			100 мА	200В	20% при 10 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
H11F1300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11f2-datasheets-2262.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			МОП-транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				30 В			25 мкс, 25 мкс (макс.)
H11F3W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11f2-datasheets-2262.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			МОП-транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				15 В			25 мкс, 25 мкс (макс.)
Х11АВ2ФР2М	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11av1a-datasheets-0136.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			Транзистор с базой					7500Впк					1,18 В		60 мА				70В	50% при 10 мА		15 мкс, 15 мкс	400мВ
H11F2300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11f2-datasheets-2262.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			МОП-транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				30 В			25 мкс, 25 мкс (макс.)
H11D1W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d2300-datasheets-2258.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			Транзистор с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В		80 мА			100 мА	300В	20% при 10 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
Х11А817Д3С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки											1				4-СМД			Транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА			50 мА	70В	300% при 5 мА	600% при 5 мА		200 мВ
H11AG33SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			Транзистор с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,5 В Макс.		50 мА			50 мА	30 В	20% при 1 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
H11D2300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d2300-datasheets-2258.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			Транзистор с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В		80 мА			100 мА	300В	20% при 10 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
H11B3300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)											1				6-ДИП			Дарлингтон с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,35 В		100 мА				25 В	100% при 1 мА		25 мкс, 18 мкс	1В
H11B255300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			Дарлингтон с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,2 В		100 мА				55В	100% при 10 мА		25 мкс, 18 мкс	1В
H11G2300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g2-datasheets-2241.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)											1				6-ДИП			Дарлингтон с базой					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				80В	1000% при 10 мА		5 мкс, 100 мкс	1В
H11F2SD	ОН Полупроводник	1,01 доллар США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11f2-datasheets-2262.pdf	6-СМД, Крыло Чайки											1				6-СМД			МОП-транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				30 В			25 мкс, 25 мкс (макс.)
H11F3300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11f2-datasheets-2262.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)											1				6-ДИП			МОП-транзистор					5300 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В		60 мА				15 В			25 мкс, 25 мкс (макс.)

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии