Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Без свинца	Количество контактов	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Подкатегория	Количество цепей	Поставщик пакета оборудования	Максимальное выходное напряжение	Выходное напряжение	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Максимальный входной ток	Тип оптоэлектронного устройства	Прямой ток-макс.	Время подъема	Осень (тип.)	Конфигурация	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Обратное напряжение проба	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Выходной ток на канале	Текущий коэффициент передачи	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Темный ток-Макс.	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
H11AA814W	ОН Полупроводник	0,27 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	100°С	-55°С	переменный ток, постоянный ток	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)	Без свинца	4									200мВт	1	200мВт	1		1	4-ДИП		70В	50 мА	1,5 В	Транзистор				18 мкс	18 мкс		5300 В (среднеквадратичное значение)			200 мВ	70В	50 мА	1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА	50 мА			50 мА	70В		20% при 1 мА	300% при 1 мА		200 мВ
Х11АГ33С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf	6-СМД, Крыло Чайки												1					6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,5 В Макс.		50 мА				50 мА	30 В		20% при 1 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
Х11АА814С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												1					4-СМД					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		20% при 1 мА	300% при 1 мА		200 мВ
Х11АВ2АМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11av1a-datasheets-0136.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)												1					6-ДИП					Транзистор с базой							7500Впик						1,18 В		60 мА					70В		50% при 10 мА		15 мкс, 15 мкс	400мВ
PS2581L1-LA	КЛЭ		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	НЕПОК	Поверхностный монтаж	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	100°С	-55°С	округ Колумбия	Соответствует ROHS3			4-ДИП (0,400, 10,16 мм)		4				Нет					150 мВт	1	700мВт	1			4-ДИП			80 мА	1,4 В	Транзистор	80 мА						5000 В (среднеквадратичное значение)		6В	300мВ	80В	50 мА	1,17 В	3 мкс 5 мкс	80 мА				50 мА	80В		200% при 5 мА	400% при 5 мА		300мВ
Х11АГ2300	ОН Полупроводник	0,53 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)	Без свинца	6									260мВт	1						30 В	30 В			Транзистор с базой				5 мкс			5300 В (среднеквадратичное значение)			400мВ	400мВ		1,5 В Макс.			50 мА						50% при 1 мА		5 мкс, 5 мкс
Х11АА43С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток		2001 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf	6-СМД, Крыло Чайки												1					6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В		100 мА					30 В		100% при 10 мА			400мВ
H11B1S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			да	EAR99	УТВЕРЖДЕНО УЛ		совместимый	е3	Олово (Вс)	ДА		1		1	Оптопара — транзисторные выходы							Дарлингтон с базой		ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН	0,08А			ОДИНОКИЙ	5300 В (среднеквадратичное значение)	0,25 Вт					1,2 В		100 мА		500%	25 В		25 В		500% при 1 мА		25 мкс, 18 мкс	1В
Х11АГ13С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf	6-СМД, Крыло Чайки												1					6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,5 В Макс.		50 мА				50 мА	30 В		100% при 1 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
H11A817C3S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												1					4-СМД					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		200% при 5 мА	400% при 5 мА		200 мВ
H11AG1SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf	6-СМД, Крыло Чайки												1					6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,5 В Макс.		50 мА				50 мА	30 В		100% при 1 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
ПС2566Л2-1-А	КЛЭ		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	НЕПОК		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток				4-ДИП (0,300, 7,62 мм)												1										Дарлингтон							5000 В (среднеквадратичное значение)						1,17 В	100 мкс 100 мкс	80 мА				200 мА	40В		200% при 1 мА			1В
H11AA8143SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												1					4-СМД					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		20% при 1 мА	300% при 1 мА		200 мВ
H11AG3300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)												1					6-ДИП					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,5 В Макс.		50 мА				50 мА	30 В		20% при 1 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
Х11АА33С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf	6-СМД, Крыло Чайки												1					6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В		100 мА					30 В		50% при 10 мА			400мВ
H11AG2	ОН Полупроводник	$4,53	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)	Без свинца	6									260мВт		260мВт	1				30 В	30 В	50 мА		Транзистор с базой				5 мкс			5300 В (среднеквадратичное значение)		6В	400мВ	30 В		1,5 В Макс.			50 мА						50% при 1 мА		5 мкс, 5 мкс
Х11АГ2С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf	6-СМД, Крыло Чайки												1					6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,5 В Макс.		50 мА				50 мА	30 В		50% при 1 мА		5 мкс, 5 мкс	400мВ
Х11АА814А300В	ОН Полупроводник	0,30 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	100°С	-55°С	переменный ток, постоянный ток	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)	Без свинца	4									200мВт	1				1	4-ДИП		70В			Транзистор				2,4 мкс			5300 В (среднеквадратичное значение)			200 мВ	200 мВ	50 мА	1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА	50 мА			50 мА	70В		50% при 1 мА	150% при 1 мА		200 мВ
H11AA3300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток		2001 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)												1					6-ДИП					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В		100 мА					30 В		50% при 10 мА			400мВ
H11A817DW	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)												1					4-ДИП					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		300% при 5 мА	600% при 5 мА		200 мВ
H11A817D3SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												1					4-СМД					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		300% при 5 мА	600% при 5 мА		200 мВ
H11AA4SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf	6-СМД, Крыло Чайки	Без свинца	6						е3	Олово (Вс)		350мВт	1	350мВт						30 В	100 мА		Транзистор с базой		ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА					5300 В (среднеквадратичное значение)			400мВ	30 В		1,2 В									100% при 10 мА
H11A8173SD	ОН Полупроводник	0,53 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	100°С	-55°С	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки	Без свинца										200мВт	1				1	4-СМД		70В			Транзистор				2,4 мкс			5300 В (среднеквадратичное значение)			200 мВ	200 мВ	50 мА	1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА	50 мА			50 мА	70В		50% при 5 мА	600% при 5 мА		200 мВ
H11A43SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия		2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf	6-СМД, Крыло Чайки												1					6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА					30 В		10% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	400мВ
Х11А817А3С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												1					4-СМД					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		80% при 5 мА	160% при 5 мА		200 мВ
H11A817CS	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												1					4-СМД					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		200% при 5 мА	400% при 5 мА		200 мВ
Х11А4М	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)					ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		неизвестный					1		1								Транзистор с базой		Транзисторный выход оптопара	0,06А			ОДИНОКИЙ	7500Впик						1,18 В		60 мА		10%	30 В		30 В	50нА	10% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	400мВ
Х11АА814А300	ОН Полупроводник	2,61 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)												1					4-ДИП					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		50% при 1 мА	150% при 1 мА		200 мВ
H11A3SD	ОН Полупроводник	0,08 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия		2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf	6-СМД, Крыло Чайки												1					6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	400мВ
Х11АА814АС	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf	4-СМД, Крыло Чайки												1					4-СМД					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		50% при 1 мА	150% при 1 мА		200 мВ

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии