Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6Н138 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 1,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n139sta-datasheets-5432.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1,6 мА | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | Неизвестный | 8 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 1 | НПН | 100мВт | 1 | 0,000008 нс | 1 | 7В | 100мВт | 7В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД | 35 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00005 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2000 % | 300% при 1,6 мА | 1,4 мкс, 8 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620A-1X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh620a3x001-datasheets-4684.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 6 недель | 4 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139М-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n139sta-datasheets-5432.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 0,000016 нс | 1 | 18В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД | 60 мкс | 25 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00009 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2000 % | 18В | 500% при 1,6 мА | 200 нс, 1,7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620AGB-X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh620aa-datasheets-5753.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2701-1-ВА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps27011f3a-datasheets-7710.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 недель | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 1 | 1 | 40В | Транзистор | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-1X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 4 | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ117ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-til117m-datasheets-1114.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 2 недели | 855мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 7500Впк | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 50% | 30 В | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627M(TP5,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-СМД (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | 1 | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 60 мкс 30 мкс | 50 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 110 мкс, 30 мкс | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH1690BT-X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh1690at-datasheets-8479.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | 6 недель | 4 | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 0,000005 с | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH617A-2X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,83 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh617a3x006-datasheets-4512.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 11 недель | 4 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ ДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 400мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135М | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n135s1ta-datasheets-4766.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 5е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 1,5 мкс | 1,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615AY-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | 4 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 | 70В | 70В | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,25 В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n135s1ta-datasheets-4766.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 5е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 1,5 мкс | 1,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135М-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n135s1ta-datasheets-4766.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 5е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 1,5 мкс | 1,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 117 юаней-2X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny1174-datasheets-5610.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 11 недель | 6 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 1 | 70В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2711-1-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | 2,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps27111f3a-datasheets-5039.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 40В | 40 мА | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 40 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-1X008T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | 4 | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 70В | 60 мА | 1,35 В | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615AY-X018T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F2VM | ОН Полупроводник | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 недели | 855мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 24 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 70В | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-4X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 117 юаней-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny1174-datasheets-5610.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 11 недель | 6 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2301(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2301tple-datasheets-4193.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 1 | 10 мА | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 50 мА | 40В | 50% при 1 мА | 600% при 1 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139С(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n139sta-datasheets-5432.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | ТР | 1 | 100мВт | 1 | 0,000016 нс | 1 | 18В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД | 60 мкс | 25 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00009 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2000 % | 18В | 500% при 1,6 мА | 200 нс, 1,7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ТВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 2 недели | 864 мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 4Н28 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 10% | 30 В | 50нА | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| 117 юаней-3X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny1174-datasheets-5610.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 11 недель | 6 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-3X018 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a3x018t-datasheets-9093.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY174SVM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 2 недели | 810мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 6 мкс | 3,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 70В | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139М | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n139sta-datasheets-5432.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | 8 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 0,000016 нс | 1 | 18В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД | 60 мкс | 25 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00009 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2000 % | 18В | 500% при 1,6 мА | 200 нс, 1,7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АВ1АВМ | ОН Полупроводник | 3,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 7 недель | 855мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,18 В | 50нА | 100% при 10 мА | 300% при 10 мА | 15 мкс, 15 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ113С(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 300% | 300% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) |
