Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Пропускная способность | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4Н28СМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 4Н28 | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000002 с | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 10% | 50нА | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-2XSM | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 2 недели | Нет СВХК | 6 | 1 | 6-СМД | 70В | 60 мА | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135 | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 0,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/isocom-6n135-datasheets-3345.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 2 недели | неизвестный | 1 | 1 | 1 Мбит/с | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 150 нс, 700 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| К844П | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-k814p-datasheets-1054.pdf | 1,25 В | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 20 мм | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 16 | Нет | 250мВт | 4 | 250мВт | 4 | 16-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,6 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 20% при 5 мА | 300% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АВ1СМ | ОН Полупроводник | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 10 мА | Без свинца | 7 недель | 810мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 250мВт | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,18 В | 50нА | 100% при 10 мА | 300% при 10 мА | 15 мкс, 15 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0452 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-hcpl0452-datasheets-1388.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-4XSM | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 2 недели | Нет СВХК | 6 | 1 | 6-СМД | 70В | 60 мА | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП2309(Е) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2309tple-datasheets-5548.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | 5 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 6-СО, 5 выводов | 20 В | 25 мА | 1,55 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,55 В | 25 мА | 8мА | 15 % | 8мА | 20 В | 15% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135М | ОН Полупроводник | 0,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n136sdm-datasheets-9488.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 9 недель | 891 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | Олово | 100мВт | 6Н135 | 1 | 100мВт | 1 | 8-ДИП | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | 1,7 В | Транзистор с базой | 25 мА | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 230 нс, 450 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД817B3S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod817300-datasheets-5269.pdf | 1,2 В | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | Без свинца | 9 недель | 0г | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | 200мВт | 1 | 70В | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ5211М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211sr2m-datasheets-1502.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 7 недель | 855мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | Транзисторный выход оптопара | 20 мкс | 30 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00002 с | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,25 В | 150 мА | 150% | 150% при 1,6 мА | 14 мкс, 2,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(V4-GB,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2924v4gbtre-datasheets-6833.pdf | 16-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | неизвестный | 4 | 80В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-3X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 173 юаняTVM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 60 мА | Без свинца | 5 недель | 864 мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Олово | Нет | е3 | 250мВт | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 6 мкс | 24 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 50 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISQ74X | ООО «Изоком Компонентс 2004» | $3,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 2 недели | Нет СВХК | 16 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 4 | 4 | 50В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 2,6 мкс | 2,2 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 12,5% | 50нА | 12,5% при 16 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК8101 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-moc8101x017t-datasheets-5129.pdf | 1,25 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 6 | Олово | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 30 В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP293-4(ЛГБ,Э | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2934latre-datasheets-9453.pdf | 16-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | УТВЕРЖДЕНО УЛ | неизвестный | 4 | 4 | 80В | Транзистор | 0,05А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 80нА | 100% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620A-3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh620a3x001-datasheets-4684.pdf | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 4,3 мм | Без свинца | 15 недель | UL | Нет СВХК | 4 | Олово | Нет | 6В | 150 мВт | 1 | 250мВт | 1 | 100°С | 100°С | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 2 мкс | 2 мкс | 2,3 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-J454-000E | Бродком Лимитед | 2,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplj454000e-datasheets-3399.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 8-ДИП | 20 В | 20 В | 25 мА | 1,85 В | Транзистор | 25 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 8мА | 1,59 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 60% при 16 мА | 500 нс, 800 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2712A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fod2712ar2-datasheets-9540.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,13 мм | 20 мА | 3,63 мм | 4,16 мм | 10 кГц | Без свинца | 6 недель | 251,998911мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 145 МВт | 1 | 145 МВт | 1 | 30 В | 70В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,24 В | 70В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17-3X юаней | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 2 недели | Нет СВХК | 6 | 1 | 6-ДИП | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АВ1АМ | ОН Полупроводник | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8,89 мм | 3,53 мм | 6,6 мм | Без свинца | 7 недель | 855мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 15 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,18 В | 50нА | 100% при 10 мА | 300% при 10 мА | 15 мкс, 15 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСП827Х | ООО «Изоком Компонентс 2004» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/isocom-isp827x-datasheets-3288.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 недели | неизвестный | 2 | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 35В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT2ESM | ОН Полупроводник | 0,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct2em-datasheets-5992.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | 1,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000005 с | 7500Впк | 3В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 1,5 мкс | 50 мА | 20% | 50 мА | 50нА | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н33СМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n32vm-datasheets-4586.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 80 мА | Без свинца | 7 недель | 810мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 4Н33 | 1 | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 60В | 80 мА | Дарлингтон с базой | 80 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 5 мкс | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 1В | 150 мА | 1,2 В | 150 мА | 500 % | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ61С | ОН Полупроводник | 1,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct6s-datasheets-4774.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 5 недель | 774 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е3 | Олово (Вс) | 400мВт | 400мВт | 2 | 30 В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 0,03 А | 2,4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 25В | 1,5 В | 400мВ | 400мВ | 30 мА | 1,2 В | 30 мА | 50% | 100нА | 50% при 5 мА | 2,4 мкс, 2,4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н29СМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n32vm-datasheets-4586.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 2 недели | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 4Н29 | 1 | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 80 мА | Дарлингтон с базой | 80 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 5 мкс | 40 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00004 с | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 1В | 150 мА | 1,2 В | 150 мА | 100 % | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561L-1-HA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОКД211М | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd211r2m-datasheets-8645.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,13 мм | 60 мА | 3,43 мм | 4,16 мм | Без свинца | 7 недель | 252 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Олово | Нет | е3 | 250мВт | 250мВт | 2 | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 0,15 А | 3,2 мкс | 4,7 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,5 В | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,25 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 150 мА | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139С | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-6n138s-datasheets-0751.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | да | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Дарлингтон с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В | 20 мА | 60 мА | 18В | 500% при 1,6 мА | 1,5 мкс, 7 мкс |
