Фотоэлектрические оптоизоляторы - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин ТИПВ Статус Ройс Опуликовано Техниль На PakeT / KORPUES Вес Проспна СОУДНО ПРИОН МАССА DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН МАКСИМАЛЕВАЯ Надо Колист. Каналов R. Вернее Колист Подкейгория Колист ПАКЕТИВАЕТСЯ МАКСИМАЛНА В конце концов Vpreged VpreDnoE Втипа МАКСИМАЛНГАН Оптохлектроннтип -вустроства Ведьтока-макс Веса Коунфигура Naprayжeniee - yзolyahip Опрена Sprawoчnoe hanpryaeneee Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) МАККСКОЛЕРНА На Vremeni / vremeny -vremeneni (typ) Current - DC Forward (if) (max) В канусе КОГФИГИОНТА Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN Ток - На ТЕМНЕСА Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
HMHA2801CR1 HMHA2801CR1 На то, чтобы 4,42 доллара
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf 4 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) 1 4-минутнг Флат Траншистор 3750vrms 1,3 В 3 мкс 3 мкс 50 май 50 май 80 200% @ 5MA 400% @ 5MA 300 м
FOD2711S FOD2711S На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ТОК ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod2711v-datasheets-0151.pdf 8-SMD, крхло 20 май СОУДНО ПРИОН 8 1 145 м 1 1 8-SMD 30 30 20 май 1,5 В. Траншистор 5000 дней 400 м 30 50 май 1,5 В 50 май 50 май 30 100% @ 10ma 200% @ 10ma 400 м
H11AA3SR2VM H11AA3SR2VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) AC, DC https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf 6-SMD, кргло 1 Траншистор С.Б.А. 7500VPK 1,17 60 май 50 май 30 50% @ 10ma 400 м
MOC256R2VM MOC256R2VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) AC, DC ROHS COMPRINT 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-moc256vm-datasheets-0176.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 252 м 8 в дар Не 250 м 250 м 1 30 60 май Траншистор С.Б.А. 60 май 2500vrms 400 м 400 м 150 май 1,2 В. 150 май 150 % 150 май 20% @ 10ma
MOCD208R2VM MOCD208R2VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-mocd208r2m-datasheets-5060.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 251.998911mg 8 в дар Не 250 м 250 м 2 70В 60 май Траншистор 60 май 1,6 мкс 2500vrms 400 м 70В 150 май 1,25 3,2 мкс 4,7 мкс 150 май 150 май 40% @ 10ma 125% @ 10ma 7,5 мкс, 5,7 мкс
H11AA4TM H11AA4TM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) AC, DC https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) 1 6-Dip Траншистор С.Б.А. 4170vrms 1,17 60 май 50 май 30 100% @ 10ma 400 м
H11AA2M H11AA2M На то, чтобы $ 0,53
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С AC, DC ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 6 250 м 1 250 м 1 1 6-Dip 30 60 май 1,5 В. Траншистор С.Б.А. 7500VPK 400 м 30 50 май 1,17 60 май 50 май 30 10% @ 10ma 400 м
MOC212R1VM MOC212R1VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-moc213r1vm-datasheets-0129.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 1 8 лейт Траншистор С.Б.А. 2500vrms 1,15 В. 3,2 мкс 4,7 мкс 60 май 150 май 30 50% @ 10ma 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
FOD2711T FOD2711T На то, чтобы $ 0,53
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ТОК ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod2711v-datasheets-0151.pdf 30 8-DIP (0,400, 10,16 ММ) СОУДНО ПРИОН 8 1 1 8-Dip 30 20 май 1,5 В. Траншистор 5000 дней 400 м 400 м 50 май 1,5 В 50 май 50 май 30 100% @ 10ma 200% @ 10ma 400 м
HCPL2503SV HCPL2503SV На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf 8-SMD, крхло Сообщите 1 Траншистор С.Б.А. Логика IC -ыvod Optocoupler 2500vrms 1,45 25 май 8 май 20 12% @ 16ma 450NS, 300NS
H11AA2SR2VM H11AA2SR2VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) AC, DC https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf 6-SMD, кргло 1 6-SMD Траншистор С.Б.А. 7500VPK 1,17 60 май 50 май 30 10% @ 10ma 400 м
HMA121BR2 HMA121BR2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf 4-SMD, крхло 1 4-SMD Траншистор 3750vrms 1,3 В 3 мкс 3 мкс 50 май 80 май 80 50% @ 5MA 150% @ 5MA 400 м
FOD2711V FOD2711V На то, чтобы $ 0,47
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod2711v-datasheets-0151.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 10 май 10 кг СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 8 1% 145 м 1 30 30 20 май Траншистор 5000 дней 1,24 400 м 30 50 май 1,5 В 50 май 100% @ 10ma 200% @ 10ma
H11AA2SR2M H11AA2SR2M На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) AC, DC https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf 6-SMD, кргло 1 6-SMD Траншистор С.Б.А. 7500VPK 1,17 60 май 50 май 30 10% @ 10ma 400 м
HMA121ER2V HMA121ER2V На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf 4-SMD, крхло 1 Траншистор 3750vrms 1,3 В 3 мкс 3 мкс 50 май 80 май 80 150% @ 5MA 300% @ 5MA 400 м
HMHA2801CR3 HMHA2801CR3 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf 4 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) 1 4-минутнг Флат Траншистор 3750vrms 1,3 В 3 мкс 3 мкс 50 май 50 май 80 200% @ 5MA 400% @ 5MA 300 м
FOD2711SV FOD2711SV На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod2711v-datasheets-0151.pdf 8-SMD, крхло 1 8-SMD Траншистор 5000 дней 1,5 В 50 май 30 100% @ 10ma 200% @ 10ma 400 м
HMA121FR1 HMA121FR1 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf 4-SMD, крхло 1 4-SMD Траншистор 3750vrms 1,3 В 3 мкс 3 мкс 50 май 80 май 80 100% @ 5MA 600% @ 5MA 400 м
HMHA2801CR4 HMHA2801CR4 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf 4 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) 1 4-минутнг Флат Траншистор 3750vrms 1,3 В 3 мкс 3 мкс 50 май 50 май 80 200% @ 5MA 400% @ 5MA 300 м
MOC215R1VM MOC215R1VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-moc215m-datasheets-2716.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 1 8 лейт Траншистор С.Б.А. 2500vrms 1,07 3 мкс 3 мкс 60 май 150 май 30 20% @ 1MA 4 мкс, 4 мкс 400 м
FOD816 FOD816 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -30 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) AC, DC ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod816300w-datasheets-1658.pdf 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 4 в дар E3 Олово (sn) 200 м 5,5 В. 1 9e-8 ns 1 OptoCoupler - IC -ыхODы 35 Дэйрлингтон Логика IC -ыvod Optocoupler 0,025а 60 мкс 5000 дней 1V 1V 80 май 1,2 В. 60 мкс 53 мкм 50 май 75 май 600% @ 1MA 7500% @ 1MA
MOC206R1VM MOC206R1VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-moc208m-datasheets-2490.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 1 8 лейт Траншистор С.Б.А. 2500vrms 1,15 В. 3,2 мкс 4,7 мкс 60 май 150 май 30 63% @ 10ma 125% @ 10ma 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
H11AA3SR2M H11AA3SR2M На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) AC, DC https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf 6-SMD, кргло 1 6-SMD Траншистор С.Б.А. 7500VPK 1,17 60 май 50 май 30 50% @ 10ma 400 м
HMHA2801AR1V HMHA2801AR1V На то, чтобы $ 9,60
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf 4 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) 1 4-минутнг Флат Траншистор 3750vrms 1,3 В 3 мкс 3 мкс 50 май 50 май 80 80% @ 5MA 160% @ 5MA 300 м
FOD816W FOD816W На то, чтобы $ 1,45
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -30 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) AC, DC https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod816300w-datasheets-1658.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 ММ) 1 4-Dip Дэйрлингтон 5000 дней 1,2 В. 60 мкс 53 мкм 50 май 80 май 35 600% @ 1MA 7500% @ 1MA 1V
MOC215R2VM MOC215R2VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-moc215m-datasheets-2716.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 1 8 лейт Траншистор С.Б.А. 2500vrms 1,07 3 мкс 3 мкс 60 май 150 май 30 20% @ 1MA 4 мкс, 4 мкс 400 м
FOD2711 FOD2711 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod2711v-datasheets-0151.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 10 май 10 кг СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 8 в дар Ear99 Ульюргин E3 Олово (sn) 1 145 м 1 30 20 май Траншистор Одинокий 5000 дней 400 м 30 50 май 1,5 В 50 май 70В 50NA 100% @ 10ma 200% @ 10ma
H11AA3M H11AA3M На то, чтобы $ 1,17
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С AC, DC ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 6 250 м 1 250 м 1 1 6-Dip 30 60 май 1,5 В. Траншистор С.Б.А. 7500VPK 400 м 30 50 май 1,17 60 май 50 май 30 50% @ 10ma 400 м
MOCD211R1VM MOCD211R1VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-mocd211r1m-datasheets-6451.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 2 8 лейт Траншистор 2500vrms 1,25 3,2 мкс 4,7 мкс 60 май 150 май 30 20% @ 10ma 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
MOC211R1VM MOC211R1VM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С ТОК ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-moc213r1vm-datasheets-0129.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 8 250 м 1 250 м 1 1 8 лейт 30 60 май 1,5 В. Траншистор С.Б.А. 3,2 мкс 2500vrms 400 м 30 150 май 1,15 В. 3,2 мкс 4,7 мкс 60 май 150 май 150 май 30 20% @ 10ma 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.