Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Без свинца	Масса	Количество контактов	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Подкатегория	Количество цепей	Поставщик пакета оборудования	Выходное напряжение	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Максимальный входной ток	Тип оптоэлектронного устройства	Прямой ток-макс.	Время подъема	Конфигурация	Напряжение – изоляция	Обратное напряжение проба	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Выходной ток на канале	Текущий коэффициент передачи	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Темный ток-Макс.	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
МОКД211Р1ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd211r1m-datasheets-6451.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)													2					8-СОИК				Транзистор						2500 В (среднеквадратичное значение)					1,25 В	3,2 мкс 4,7 мкс	60 мА				150 мА	30 В		20% при 10 мА		7,5 мкс, 5,7 мкс	400мВ
МОК211Р1ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	100°С	-40°С	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc213r1vm-datasheets-0129.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)	Без свинца		8									250 мВт	1	250 мВт	1		1	8-СОИК	30 В	60 мА	1,5 В	Транзистор с базой				3,2 мкс		2500 В (среднеквадратичное значение)	6В	400мВ	30 В	150 мА	1,15 В	3,2 мкс 4,7 мкс	60 мА	150 мА			150 мА	30 В		20% при 10 мА		7,5 мкс, 5,7 мкс	400мВ
ХМА2701BR4V	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	40В		80% при 5 мА	160% при 5 мА		300мВ
МОК212Р2ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc213r2m-datasheets-4915.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)	Без свинца	251,998911мг	8	да			Нет					250 мВт		250 мВт	1				30 В	60 мА		Транзистор с базой	60 мА			3,2 мкс		2500 В (среднеквадратичное значение)	6В	400мВ	30 В	150 мА	1,15 В	3,2 мкс 4,7 мкс		150 мА			150 мА			50% при 10 мА		7,5 мкс, 5,7 мкс
ХМА121CR3	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия		2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1									Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА		400мВ
ХМА121БР2В	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		50% при 5 мА	150% при 5 мА		400мВ
МОК213Р1ВМ	ОН Полупроводник	0,13 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc213r1vm-datasheets-0129.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)													1					8-СОИК				Транзистор с базой						2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	3,2 мкс 4,7 мкс	60 мА				150 мА	30 В		100% при 10 мА		7,5 мкс, 5,7 мкс	400мВ
ХМА121БР1В	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		50% при 5 мА	150% при 5 мА		400мВ
МОК216Р1ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			/files/onsemiconductor-moc215m-datasheets-2716.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)													1					8-СОИК				Транзистор с базой						2500 В (среднеквадратичное значение)					1,07 В	3,2 мкс 4,7 мкс	60 мА				150 мА	30 В		50% при 1 мА		7,5 мкс, 5,7 мкс	400мВ
МОК217ВМ	ОН Полупроводник	14,91 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd217r1m-datasheets-6511.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)	Без свинца	252 мг	8	да			Нет					250 мВт		250 мВт	1				30 В	60 мА		Транзистор с базой	60 мА			3 мкс		2500 В (среднеквадратичное значение)	6В	400мВ	400мВ	150 мА	1,07 В	3,2 мкс 4,7 мкс		150 мА			150 мА			100% при 1 мА		7,5 мкс, 5,7 мкс
ХМХА2801АР3	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf	4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм)													1									Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс					50 мА	80В		80% при 5 мА	160% при 5 мА		300мВ
ХМА121CR2	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА		400мВ
ХМА2701АР1В	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	40В		150% при 5 мА	300% при 5 мА		300мВ
ХМА121CR3V	ОН Полупроводник	0,08 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки	Без свинца		4									150 мВт		150 мВт	1				80В	50 мА		Транзистор				3 мкс		3750 В (среднеквадратичное значение)	6В	400мВ	80В	80 мА	1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс		80 мА			80 мА			100% при 5 мА	200% при 5 мА
ХМА121Ф	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки	Без свинца		4									150 мВт		150 мВт	1				80В	50 мА		Транзистор				3 мкс		3750 В (среднеквадратичное значение)	6В	400мВ	80В	80 мА	1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс		80 мА			80 мА			100% при 5 мА	600% при 5 мА
Х11АА2СМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf	6-СМД, Крыло Чайки													1					6-СМД				Транзистор с базой						7500Впик					1,17 В		60 мА				50 мА	30 В		10% при 10 мА			400мВ
Х11АВ1А	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11av1a-datasheets-0136.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)				да	EAR99	УЛ ПРИЗНАЛ		совместимый	е3	Олово (Вс)	НЕТ		1		1	Оптопара — транзисторные выходы						Транзистор с базой		Транзисторный выход оптопара	0,06А		ОДИНОКИЙ	4170 В (среднеквадратичное значение)					1,18 В		60 мА		100%	70В		70В	50нА			15 мкс, 15 мкс (макс.)	400мВ
МОК216ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc215m-datasheets-2716.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)	Без свинца	251,998911мг	8	да			Нет					250 мВт		250 мВт	1				30 В	60 мА		Транзистор с базой	60 мА			3 мкс		2500 В (среднеквадратичное значение)	6В	400мВ	30 В	150 мА	1,07 В	3,2 мкс 4,7 мкс		150 мА			150 мА			50% при 1 мА		7,5 мкс, 5,7 мкс
МОК217Р1ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc215m-datasheets-2716.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)													1					8-СОИК				Транзистор с базой						2500 В (среднеквадратичное значение)					1,07 В	3,2 мкс 4,7 мкс	60 мА				150 мА	30 В		100% при 10 мА		7,5 мкс, 5,7 мкс	400мВ
ХМА121CR1	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА		400мВ
ХМА121ФР2	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1									Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА		400мВ
ХМА121ФР4В	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА		400мВ
МОК206Р2ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		/files/onsemiconductor-moc208m-datasheets-2490.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)	Без свинца	251,998911мг	8	да			Нет					250 мВт		250 мВт	1				70В	60 мА		Транзистор с базой	60 мА			3,2 мкс		2500 В (среднеквадратичное значение)	6В	400мВ	70В	150 мА	1,15 В	3,2 мкс 4,7 мкс		150 мА			150 мА	30 В		63% при 10 мА	125% при 10 мА	7,5 мкс, 5,7 мкс
МОК208Р1ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc208m-datasheets-2490.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)													1					8-СОИК				Транзистор с базой						2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	3,2 мкс 4,7 мкс	60 мА				150 мА	70В		40% при 10 мА	125% при 10 мА	7,5 мкс, 5,7 мкс	400мВ
ХМА121ФР3В	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА		400мВ
Х11АА1ТМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1					6-ДИП				Транзистор с базой						4170 В (среднеквадратичное значение)					1,17 В		60 мА				50 мА	30 В		20% при 10 мА			400мВ
МОК205Р1ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc208m-datasheets-2490.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)													1					8-СОИК				Транзистор с базой						2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	3,2 мкс 4,7 мкс	60 мА				150 мА	30 В		40% при 10 мА	80% при 10 мА	7,5 мкс, 5,7 мкс	400мВ
МОК208Р2ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc208m-datasheets-2490.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)													1					8-СОИК				Транзистор с базой						2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	3,2 мкс 4,7 мкс	60 мА				150 мА	70В		40% при 10 мА	125% при 10 мА	7,5 мкс, 5,7 мкс	400мВ
ХМА121ФР4	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hma124r1-datasheets-3624.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1					4-СМД				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				80 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА		400мВ
ХМХА2801Р1В	ОН Полупроводник	2,96 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf	4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм)													1					4-мини-квартира				Транзистор						3750 В (среднеквадратичное значение)					1,3 В Макс.	3 мкс 3 мкс	50 мА				50 мА	80В		80% при 5 мА	600% при 5 мА		300мВ

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии