Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Эмкость | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Выбросить конфигурацию | Ток нагрузки | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФОД617Д300 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-fod617d300-datasheets-0539.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 4 мкс 3 мкс | 70В | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS8501L3-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 8-СМД | 35В | 35В | 25 мА | 2,2 В | Транзистор с базой | 25 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,7 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 35В | 15% при 16 мА | 220 нс, 350 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N33300W | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-4n33300w-datasheets-0546.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Дарлингтон с базой | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 0,08А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 500% | 30 В | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-3X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100 В | 100 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3 мкс | 14 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100 В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC8102W | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-cny17f3-datasheets-0535.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | да | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Транзистор | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 30 В | 50 мА | 30 В | 50нА | 73% при 10 мА | 117% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 172300 юаней | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-cny17f3-datasheets-0535.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 70В | 50 мА | 70В | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3C92CTX | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 25 недель | 1 | ТО-72-4 | 50В | Транзистор | 1000 В постоянного тока | 400мВ | 1,2 В Макс. | 50 мА | 30 мА | 30 мА | 50В | 30% при 10 мА | 200% при 10 мА | 9 мкс, 6 мкс (макс.) | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY64AYST | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny64agrst-datasheets-6321.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 32В | 32В | 75 мА | Транзистор | 75 мА | 2,4 мкс | 2,7 мкс | ОДИНОКИЙ | 8200 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 32В | 50 мА | 1,32 В | 2,4 мкс 2,7 мкс | 5В | 50 мА | 200нА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 171 юань | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-cny17f3-datasheets-0535.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | да | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 70В | 50 мА | 70В | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F4TM | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-cny17f4tm-datasheets-0583.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 60 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ111ТМ | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-til111tm-datasheets-0584.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 60 мА | 2мА | 30 В | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37300 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-4n37300-datasheets-0534.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNW139 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-cnw139-datasheets-0585.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | нет | ПРИЗНАНИЕ UL, СОВМЕСТИМОСТЬ TTL | е0 | Оловянный свинец | 85°С | -55°С | 1 | 1 | Дарлингтон с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мА | 60 мА | 18В | 500% при 1,6 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| юаней17F3 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-cny17f3-datasheets-0535.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | да | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 70В | 50 мА | 70В | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 173300 юаней | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-cny17f3-datasheets-0535.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 70В | 50 мА | 70В | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ271М | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-mct271m-datasheets-0536.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УЛ ПРИЗНАЛ | 1 | 1 | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 7500Впик | 1,25 В | 60 мА | 30 В | 50 мА | 30 В | 50нА | 45% при 10 мА | 90% при 10 мА | 1 мкс, 48 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОДМ121ДР1В | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-fodm121dr1v-datasheets-0587.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 | 1 | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6325-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6326x009-datasheets-6444.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 25 мА | 6 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 | 145 МВт | 2 | 1 Мбит/с | 25 В | 25 В | 25 мА | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 4,5 В | 1,9 В | 1,33 В | 8мА | 16 % | 8мА | 7% при 16 мА | 300 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6325-X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6326x009-datasheets-6444.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | EAR99 | Нет | 145 МВт | 2 | 145 МВт | 2 | 25 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,0000015с | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 4,5 В | 1,9 В | 8мА | 1,33 В | 8мА | 16 % | 7% при 16 мА | 300 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 65 юанейABST | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny64agrst-datasheets-6321.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | Без свинца | 8 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 32В | 32В | 75 мА | Транзистор | 75 мА | 2,4 мкс | 2,7 мкс | ОДИНОКИЙ | 13900 В постоянного тока | 5В | 300мВ | 32В | 50 мА | 1,32 В | 2,4 мкс 2,7 мкс | 5В | 50 мА | 200нА | 80% при 5 мА | 240% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ55-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $3,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-ild55x007-datasheets-6491.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 16 | Нет | 500мВт | 4 | 500мВт | 4 | 16-СМД | 55В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 55В | 125 мА | 1,25 В | 10 мкс 35 мкс | 60 мА | 125 мА | 400 % | 125 мА | 55В | 100% при 10 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6326-X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6326x009-datasheets-6444.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | EAR99 | Нет | 145 МВт | 2 | 145 МВт | 2 | 25 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,0000015с | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 4,5 В | 1,9 В | 8мА | 1,33 В | 8мА | 35 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4503-500E | Бродком Лимитед | 2,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 25 мА | Без свинца | 22 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Олово | Нет | е3 | 30 В | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 8мА | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХКНР200-500Э | Бродком Лимитед | 0,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 22 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 1 | е3 | 60мВт | 1 | 60мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 15 В | 25 мА | Фотоэлектрические, линеаризованные | 25 мА | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ДВОЙНАЯ ОДНОВРЕМЕННАЯ РАБОТА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 В | 1,6 В | 0,25% при 10 мА | 0,75% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ2-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 16 | Нет | 250 мВт | 4 | 250 мВт | 4 | 16-СМД | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 400 мА | 1,25 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 500% при 10 мА | 1,2 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2531SDVM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n136tvm-datasheets-6270.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9 недель | 720мг | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | 8541.40.80.00 | е3 | Олово (Вс) | 2 | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 250 нс, 260 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОУ135-Х017Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vow136x017t-datasheets-0342.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | 1 | 25 В | 25 мА | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,38 В | 8мА | 25 В | 7% при 16 мА | 200 нс, 1,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS8501-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps8501ax-datasheets-2246.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 8мА | 35В | 35В | 25 мА | 2,2 В | Транзистор с базой | 25 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,7 В | 25 мА | 8мА | 15 % | 8мА | 35В | 15% при 16 мА | 220 нс, 350 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0501R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0500-datasheets-9842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 5 недель | 252 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ВЫХОД ОТКРЫТОГО КОЛЛЕКТОРА | Нет | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 8мА | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 5В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PVI5050NPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПВИ | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-pvi1050npbf-datasheets-0154.pdf | 8-DIP (0,300, 7,62 мм), 4 провода | 2пФ | Без свинца | 2 недели | UL | Нет СВХК | 4 | 1 | 1 | 5В | 5В | 50 мА | 8В | Фотоэлектрический | ИП, СПСТ | 10 мкА | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 5 мкА | 5 мкА | 300 мкс, 220 мкс (макс.) |
