Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Ток нагрузки | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Испытательное напряжение | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Скорость передачи данных | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ACPL-W50L-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-acplw50l000e-datasheets-9084.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 10 мА | 22 недели | CSA, МЭК, УЛ | Нет СВХК | 6 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМ ТТЛ, ПРИЗНАН УЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 45мВт | 2,7 В | 1 | 45мВт | 1 | 1 Мбит/с | 24В | 24В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | 1 мкс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 330 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 93% при токе 3 мА | 200% при 3 мА | 200 нс, 380 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139СМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n139sm-datasheets-1489.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 720мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 6Н139 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100 кбит/с | 18В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 60 мкс | 25 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,3 В | 60 мА | 1600 % | 18В | 500% при 1,6 мА | 240 нс, 1,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM8801CV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОптоХит™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm8801cv-datasheets-1494.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 10 недель | 120мг | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 150 мВт | 1 | 1 | 75В | Транзистор | 20 мА | 0,02 А | ОДИНОКИЙ | 0,00002 с | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 30 мА | 1,35 В | 5 мкс 5,5 мкс | 20 мА | 30 мА | 200% при 1 мА | 400% при 1 мА | 6 мкс, 6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПВ2111В | Электромонтажные работы Панасоник | $3,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2000 г. | 1,5 кВ | 4-SMD, плоские выводы | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 1 | 75мВт | 1 | 8,2 В | 8мкА | 3мА | Фотоэлектрический | 8мкА | 50 мА | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 800 мкс | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 50 мА | 5В | 800 мкс, 100 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-053L-500E | Бродком Лимитед | 1,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 мА | Без свинца | 22 недели | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 2 | 100мВт | 2 | 1 Мбит/с | 7В | 7В | 25 мА | Транзистор | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 350 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО617А-9 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo617a4x016-datasheets-4811.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 11 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 | 1 | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-847-00GE | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 17 недель | Нет СВХК | 16 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 70В | 70В | 30 мА | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 0,000018 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 130% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620A-2 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh620a3x001-datasheets-4684.pdf | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 4 | Олово | Нет | 6В | 150 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 2 мкс | 2 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0501 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-hcpl0500-datasheets-9842.pdf | 30 В | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 мА | Без свинца | 5 недель | 252 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 8мА | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 450 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 5В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F2SM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 24 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО618А-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo618a2-datasheets-5667.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 80В | 80В | 60 мА | 1,1 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 14 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,1 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 160% при 1 мА | 320% при 1 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(LA-TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2924v4gbtre-datasheets-6833.pdf | 16-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 16 | неизвестный | 4 | 80В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPI7010 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | 2,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-opi7010-datasheets-1570.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | 4-ДИП | 30 В | 10 мА | Транзистор | 6000 В постоянного тока | 400мВ | 30мВ | 1,2 В Макс. | 50 мА | 100 % | 30 В | 100% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2703(TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2703tpe-datasheets-0873.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | 1 | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,47 В | 20 мА | 80 мА | 18В | 900% при 500 мкА | 8000% при 500 мкА | 330 нс, 2,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W50L-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-acplw50l500e-datasheets-9008.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 230 мА | 22 недели | 6 | EAR99 | Нет | 45мВт | 1 | 45мВт | 24В | 24В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 93% при токе 3 мА | 200% при 3 мА | 200 нс, 380 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХКНВ4504-500Э | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 8мА | 1,59 В | 8мА | 19% при 16 мА | 63% при 16 мА | 200 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н138-000Э | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/broadcom-6n138000e-datasheets-9011.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 мА | Без свинца | 22 недели | CSA, UL, VDE | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Олово | Нет | е3 | 135 МВт | 6Н138 | 135 МВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100 кбит/с | 7В | 100 мВ | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | 32 мкс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2,5 кВ | 35 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 32 мкс | 0,000035 с | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 7В | 1,4 В | 60 мА | 60 мА | 100 кбод | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 1,6 мкс, 10 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6186-5 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh618a3x017t-datasheets-5215.pdf | 1,1 В | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 55В | 55В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 100 мА | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 55В | 250% при 1 мА | 500% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4562-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 6мА | Без свинца | 22 недели | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 20 В | 20 В | 12 мА | Транзистор с базой | 12 мА | ЛИНЕЙНАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 В | 8мА | 1,3 В | 8мА | 45 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 11 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH617A-4X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh617a3x006-datasheets-4512.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 11 недель | 4 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ ДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 400мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP109(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshiba-tlp109e-datasheets-8991.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 18 недель | 5 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 Мбит/с | 20 В | 8мА | 20 мА | Транзистор | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,64 В | 5В | 8мА | 20 % | 20% при 16 мА | 800 нс, 800 нс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4504-560E | Бродком Лимитед | $2,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 22 недели | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 25% при 16 мА | 60% при 16 мА | 200 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QT851 | КТ Брайтек (QTB) | 1,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/qtbrightekqtb-qt851-datasheets-1401.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 6 мкс 8 мкс | 80 мА | 100 мА | 350В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL4503SDM | ОН Полупроводник | $4,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n136sdm-datasheets-9488.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 9 недель | 720мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ПРИЗНАНИЕ UL, СОВМЕСТИМОСТЬ С CMOS | Олово | е3 | 100мВт | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 250 нс, 260 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н35ВМ | ОН Полупроводник | 0,72 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 5 недель | 855мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Олово | Нет | е3 | 150 мВт | 4Н35 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 1,18 В | 100% | 30 В | 50нА | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH619A-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh619ax007-datasheets-6080.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 15 недель | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Дарлингтон | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3,5 мкс 14,5 мкс | 60 мА | 1000% | 300В | 125 мА | 300В | 200нА | 1000% при 1 мА | 4,5 мкс, 29 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-827-300E | Бродком Лимитед | 0,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 17 недель | CSA, UL, VDE | Нет СВХК | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 200мВт | 2 | 200мВт | 2 | 70В | 70В | 30 мА | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,4 В | 70В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH617A-2X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh617a3x006-datasheets-4512.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 11 недель | 4 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ ДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 400мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 14 мкс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 6В | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH610A-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 6 недель | БСИ, CSA, МЭК | Нет СВХК | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 4 с | 15 с | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ |
