Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Ширина | Без свинца | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Ведущая презентация | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Расстояние между строками | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PC357N1TJ00F | Острая микроэлектроника | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 5,3 мм | Без свинца | UL | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 6В | 170 мВт | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||
| ПК364NTJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | Нет | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 10 мА | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N9TJ00F | Острая микроэлектроника | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 4 | Нет | 6В | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||
| FOD2743CT | ОН Полупроводник | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2743bsv-datasheets-9524.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 70В | 20 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,07 В | 50 мА | 50% при 1 мА | 100% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODB101 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Микропара™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodb102-datasheets-3619.pdf | 4-ТЕБГА | 1 | 4-БГА (3,5х3,5) | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 1 мкс 5 мкс | 30 мА | 50 мА | 75В | 100% при 1 мА | 3 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81710NSZJF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 3мА | 50 мА | 80В | 100% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N7TJ00F | Острая микроэлектроника | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 4,4 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | 6В | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 7 мм | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||
| PC451TJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -25°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc451tj0000f-datasheets-4679.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 1 | 350В | Транзистор | 50 мА | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 350В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 350В | 40% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0530R1 | ОН Полупроводник | 1,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0531-datasheets-1278.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0730R2 | ОН Полупроводник | $9,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl0700r2-datasheets-9793.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,6 мА | Без свинца | 252 мг | Нет СВХК | 8 | да | 100мВт | 100мВт | 2 | 100 кбит/с | 7В | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,35 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 5000% при 1,6 мА | 2 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123FY5J00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 4 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | е6/е2 | ОЛОВО ВИСМУТ/ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC457L0YIT0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПИК™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Без свинца | 5 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,7 В | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 400 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7BCJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 160% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| FOD2742CV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2742br2-datasheets-6180.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 70В | 20 мА | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,2 В | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД2712R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2712r1v-datasheets-9215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 30В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2743CSV | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2743bsv-datasheets-9524.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 | 1 | 70В | 20 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,07 В | 50 мА | 50% при 1 мА | 100% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7CDJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc3h7cdj000f-datasheets-4660.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 1 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 6В | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 1 мА | 240% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||
| PC357N6TJ00F | Острая микроэлектроника | $5,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 6В | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 400% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||
| FOD2743CV | ОН Полупроводник | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2743bsv-datasheets-9524.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 70В | 20 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,07 В | 50 мА | 50% при 1 мА | 100% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2741CT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod2741bsdv-datasheets-9350.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | совместимый | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 30В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364Н1Т000Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | Нет | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 10 мА | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД050LR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod053lr2-datasheets-0006.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 100мВт | 1 | 1 | 8-СОИК | 7В | 7В | 25 мА | 1,45 В | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 7В | 15% при 16 мА | 50% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N0TJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 6В | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| PC367N1TJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 10 мА | 1,4 В | Транзистор | 10 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 150% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-TELS,F) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОДМ452Р1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm453-datasheets-4762.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Без свинца | 5 | 100мВт | 100мВт | 1 | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,6 В | 8мА | 8мА | 20% при 16 мА | 50% при 16 мА | 400 нс, 350 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q64Q5J00F | Острая микроэлектроника | $12,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q64q5j00f-datasheets-9491.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | 170 мВт | 4 | 170 мВт | 4 | 4 | 16-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 400% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| PC357N4TJ00F | Острая микроэлектроника | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 5,3 мм | Без свинца | UL | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 6В | 170 мВт | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||
| ФОДБ102В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Микропара™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodb102-datasheets-3619.pdf | 4-ТЕБГА | 1 | 4-БГА (3,5х3,5) | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 1 мкс 5 мкс | 30 мА | 50 мА | 75В | 100% при 1 мА | 3 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC354NTJ000F | Острая микроэлектроника | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/sharpsocletechnology-pc354n1j000f-datasheets-0832.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | 5,3 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | 2,54 мм | Нет | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 400% при 1 мА | 200 мВ |
