Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Х11Б255С1(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 100% | 100% при 10 мА | 25 мкс, 18 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б2С1(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 200% | 200% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО615А-2 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 недель | 4 | Олово | Нет | 70мВт | 1 | 70мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,43 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300 мВ | 70В | 50 мА | 1,43 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300 мВ | |||||||||||||||||||
| Х11Б255С1(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 100% | 100% при 10 мА | 25 мкс, 18 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-4S1(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300 мВ | 300 мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-4M-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300 мВ | 300 мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| EL3H4(A)(TA)-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el3h4g-datasheets-5751.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 6 мкс 8 мкс | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-2S1(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300 мВ | 300 мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-1S(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300 мВ | 300 мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2701-1-F3-HA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps27011f3a-datasheets-7710.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817X2NSZ1B | SHARP/Цокольная технология | 0,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc817x2nsz1b-datasheets-4200.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 недель | неизвестный | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 1 | Транзистор | 0,05 А | 5000В | ОДИНОКИЙ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 260% | 80В | 50 мА | 80В | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ817(Б)-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 4 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | 35В | 20 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 6 мкс 8 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б2-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 200% | 200% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561FL-1Y-F3-KA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561fl1yka-datasheets-5465.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 30 мА | 50 мА | 80В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(D4YH-T6,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | Нет | 240мВт | 1 | Транзистор | 25 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 10 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 75% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817X4NSZ1B | SHARP/Цокольная технология | 0,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 недель | неизвестный | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 1 | Транзистор | 0,05 А | 5000В | ОДИНОКИЙ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 600% | 80В | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА1С(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ817М(Д)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el817s1atuv-datasheets-7286.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 60 мА | 35В | 50 мА | 35В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА1М | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-1M-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300 мВ | 300 мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б1С1(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 500% | 500% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM217CR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФОДМ217 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm217av-datasheets-5515.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 7 недель | 120мг | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА1-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б1С(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 500% | 500% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B255S(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 100% | 100% при 10 мА | 25 мкс, 18 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B1S1(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 500% | 500% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2581AL1-WA | Ренесас Электроникс Америка | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2581al2a-datasheets-5630.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 недель | е6 | Олово/Висмут (Sn98Bi2) | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,03 А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 70В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-1M | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300 мВ | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 60 мА | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B255S(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 100% | 100% при 10 мА | 25 мкс, 18 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL3H4(A)(EB)-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el3h4g-datasheets-5751.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 6 мкс 8 мкс | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА |
