Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактTriac OptoIsolators (1635)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | СОУДНО ПРИОН | Верна - | Агентево | Колист | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | Найналайно | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | МАКСИМАЛНА | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Колист. Каналов | R. | Колист | ПАКЕТИВАЕТСЯ | МАКСИМАЛНГАН | В конце концов | Вес | Vpreged | VpreDnoE | Втипа | В. | RMS Current (IRMS) | Оптохлектроннтип -вустроства | Ведьтока-макс | Ток-ток | Коунфигура | Naprayжeniee - yзolyahip | DerжaTTHTOK | Опрена | Klючite -wreman | На | Current - DC Forward (if) (max) | В канусе | На | Current - Hold (ih) | Current - On State (it (rms)) (MMaks) | САМАМА | Ток - С. | Статистский DV/DT (мин) | Веселит |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FODM3022 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fodm3011r3v-datasheets-4617.pdf | 4-SMD, крхло | СОУДНО ПРИОН | BSI, CSA, UL | 4 | 1 | 300 м | 1 | 70 май | 280В | 70 май | 60 май | Триак | 3750vrms | 300 мк | 3В | 1,2 В. | 70 май | 400 | 300 мкарип | Не | 10 май | 10 В/мкс (тип) | ||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3011 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fodm3011r3v-datasheets-4617.pdf | 4-SMD, крхло | СОУДНО ПРИОН | BSI, CSA, UL | 4 | 1 | 300 м | 70 май | 175V | 60 май | Триак | 3750vrms | 300 мк | 1,2 В. | 70 май | 250 | 300 мкарип | Не | 10 май | 10 В/мкс (тип) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tlp160j (ift7, u, c, f | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Triac Optocoupler | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP266J (T7, e | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | 6 SOIC (0,179, Ирина 4,55 мм), 4 Свина | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Триак | 3750vrms | 30 мкс | 1,27 | 50 май | 600 | 600 мк | 70 май | В дар | 10 май | 200 -мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP265J (T7, e | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | 6 SOIC (0,179, Ирина 4,55 мм), 4 Свина | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Триак | 3750vrms | 100 мкс | 1,27 | 50 май | 600 | 1MA | 70 май | Не | 10 май | 500 v/mks (typ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tlp160g (ift7, u, f) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Triac Optocoupler | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tlp161g (ift5, u, c, f | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Optocoupler Triac Optocoupler C nulevыm crsvr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pc3sf11yvzah | Оправовов | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 6-Dip (0,400, 10,16 мм), 5 проводников | BSI, CSA, Demko, Fimko, Semko, UR, VDE | 1 | Триак | 5000 дней | 100 мкс (MMAKS) | 1,2 В. | 50 май | 600 | 3,5 мая | 100 май | Не | 10 май | 1 кв/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3032 (S, C, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 6-Dip (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | Сэмко, | 1 | Триак | 5000 дней | 250 | 100 май | В дар | 10 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD21NTZBH | Оправовов | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 6-Dip (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | Csa, ur | 1 | Триак | 5000 дней | 50 мкс (MMAKS) | 1,2 В. | 50 май | 600 | 3,5 мая | 100 май | В дар | 7ma | 1 кв/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161G (T7TL, U, C, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD11YTZBF | Оправовов | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | 100 ° С | -30 ° С | ROHS COMPRINT | 2004 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpsocletechnology-pc3sd11ytzah-datasheets-1679.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | CSA, UR, VDE | 6 | Не | 1,2 В. | 1,4 В. | 1 | 6-Dip | 100 май | 50 май | 1,2 В. | Триак | 100 мкс | 100 май | 5000 дней | 3,5 мая | 100 мкс (MMAKS) | 1,2 В. | 50 май | 100 май | 600 | 3,5 мая | 100 май | Не | 7ma | 1 кв/мкс | |||||||||||||||||||||
| PC3SD21YXPCH | Sharp/Socle Technology | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C4M | Central Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | Neprigodnnый | ROHS COMPRINT | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemyonductorcorp-h11c4m-datasheets-4906.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | 1 | 1 | Скрип | 150 май | 0,05а | Одинокий | 5000 дней | 500 мк | 1,5 В | 50 май | 400 | 150 май | Не | 20 май | 20 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161J (T5TL, U, C, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SF21YVZBH | Оправовов | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -30 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 6-Dip (0,400, 10,16 мм), 5 проводников | 16 | BSI, CSA, Demko, Fimko, Semko, UR, VDE | 1 | Триак | 5000 дней | 50 мкс (MMAKS) | 1,2 В. | 50 май | 800 | 3,5 мая | 100 май | В дар | 7ma | 500 -мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SD11YXPCH | Оправовов | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -30 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 5-SMD, крхло | 16 | CSA, UR, VDE | 1 | Триак | 5000 дней | 100 мкс (MMAKS) | 1,2 В. | 50 май | 800 | 3,5 мая | 100 май | Не | 5 май | 50 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BRT12-F | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision brt22h-datasheets-4880.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | CQC, UL | 1 | 6-Dip | Триак | 5300vrms | 1,1 В. | 20 май | 600 | 500 мк | 300 май | Не | 1,2 мая | 10 кв/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BRT23-M | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision brt22h-datasheets-4880.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | CQC, UL | 1 | 6-Dip | Триак | 5300vrms | 35 мкс | 1,16 В. | 60 май | 800 | 500 мк | 300 май | В дар | 3MA | 10 кв/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BRT22-F | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision brt22h-datasheets-4880.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | CQC, UL | в дар | Ear99 | Веса, | НЕИ | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 1 | 1 | Триак | 0,06а | 0,3а | Одинокий | 5300vrms | 35 мкс | 1,16 В. | 60 май | 600 | 500 мк | 300 май | В дар | 1,2 мая | 10 кв/мкс | 1,2 мая | |||||||||||||||||||||||||
| TLP161G (T7TR, U, C, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BRT23-H | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision brt22h-datasheets-4880.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | CQC, UL | 1 | 6-Dip | Триак | 5300vrms | 35 мкс | 1,16 В. | 60 май | 800 | 500 мк | 300 май | В дар | 2MA | 10 кв/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD21YXPLH | Оправовов | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD21NTZAH | Оправовов | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3042 (TP1, S, C, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | ROHS COMPRINT | 2010 ГОД | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp3042tp1scf-datasheets-4925.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | 8 | BSI, SEMKO, UR | 5 | 1,15 В. | 1,3 В. | 1 | Триак | 5000 дней | 50 май | 400 | 600 мкарип | 100 май | В дар | 10 май | 200 -мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BRT12-H | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision brt22h-datasheets-4880.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | CQC, UL | 1 | 6-Dip | Триак | 5300vrms | 1,1 В. | 20 май | 600 | 500 мк | 300 май | Не | 2MA | 10 кв/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3031 (S, C, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 6-Dip (0,300, 7,62 мм), 5 проводников | Сэмко, | 1 | Триак | 5000 дней | 250 | 100 май | В дар | 15 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD11YXPCH | Оправовов | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -30 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpsocletechnology-pc3sd11ytzah-datasheets-1679.pdf | 5-SMD, крхло | 16 | CSA, UR, VDE | 1 | Триак | 5000 дней | 100 мкс (MMAKS) | 1,2 В. | 50 май | 600 | 3,5 мая | 100 май | Не | 5 май | 1 кв/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160J (OMT5TRUC, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP768J (S, C, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT |
