Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Triac OptoIsolators - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Опрегиону Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Вес Колист Верна - Агентево Колист PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Найналайно DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МАКСИМАЛНА КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Колист. Каналов R. Колист КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ МАКСИМАЛНГАН В конце концов Вес Vpreged Верна Втипа MATERIOLTRANSHOTORA Коунфигура Прилоэна Пола Power Dissipation-Max (ABS) DS Breakdown Tarstage-Min ТЕГЕЙНОЛОГИЯ ФЕТ Naprayжeniee - yзolyahip DerжaTTHTOK На то, что вы можете Klючite -wreman На Current - DC Forward (if) (max) В канусе На Current - Hold (ih) Current - On State (it (rms)) (MMaks) САМАМА Ток - С. Статистский DV/DT (мин) Дренан-ток-ток (abs) (id) Ипюльснтк Слифно -Тока (IDM)
H11C3W H11C3W На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) В 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 30 май 500 -мкс
H11C2W H11C2W На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) В 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C2300 H11C2300 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) Я 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C23SD H11C23SD На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-SMD, кргло Я 1 6-SMD Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C5300 H11C5300 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) Я 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 400 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C4300 H11C4300 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) Я 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 400 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C3300W H11C3300W На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) Я 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 30 май 500 -мкс
H11C1300W H11C1300W На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) Я 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C3SD H11C3SD На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-SMD, кргло В 1 6-SMD Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 30 май 500 -мкс
H11C4300W H11C4300W На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) Я 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 400 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C33SD H11C33SD На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-SMD, кргло Я 1 6-SMD Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 30 май 500 -мкс
VO4157M VO4157M PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 100 ° С -55 ° С Rohs3 2012 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo4157h-datasheets-1914.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) 10 май 6 Cur, fimko, ur 6 Не 1,2 В. 1,4 В. 1 600 м 1 6-Dip 300 май 700 300 май 60 май 1,2 В. Триак 5300vrms 500 мк 1,2 В. 60 май 300 май 700 500 мк 300 май В дар 3MA 5 кв/мкс
H11C4S H11C4S На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-SMD, кргло В 1 6-SMD Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 400 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C1SD H11C1SD На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-SMD, кргло В 1 6-SMD Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
4N40SD 4n40sd На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-SMD, кргло В 1 6-SMD Скрип 5300vrms 50 мкс (MMAKS) 1,1 В. 60 май 400 1MA 300 май Не 14ma 500 -мкс
H11C2SD H11C2SD На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-SMD, кргло В 1 6-SMD Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
FODM3082 FODM3082 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-fodm3082-datasheets-2495.pdf 4-SMD, крхло Кул, ул 1 4-SMD Триак 3750vrms 1,5 В 60 май 800 300 мкарип 70 май В дар 10 май 600 -мкс
H11C1S H11C1S На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-SMD, кргло В 1 6-SMD Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
4N40300 4N40300 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 2001 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) Я 1 6-Dip Скрип 5300vrms 50 мкс (MMAKS) 1,1 В. 60 май 400 1MA 300 май Не 14ma 500 -мкс
4N40S 4n40s На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-SMD, кргло В 1 6-SMD Скрип 5300vrms 50 мкс (MMAKS) 1,1 В. 60 май 400 1MA 300 май Не 14ma 500 -мкс
MOC3023TM MOC3023TM На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-moc3023tm-datasheets-2497.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) UL 1 6-Dip Триак 4170vrms 1,15 В. 60 май 400 100 Мкарип Не 5 май
4N40 4n40 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rershym uluheEnjaina https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) 3 В в дар Ear99 Сообщите E3 Олово (sn) Не Одинокий 1 1 R-PSFM-T3 Скрип Кремни Сингл Соузроннммиди Псевдон N-канал 235 Вт 400 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 5300vrms 50 мкс (MMAKS) 1,1 В. 60 май 400 1MA 300 май Не 14ma 500 -мкс 23 а 92A
H11C4 H11C4 На то, чтобы $ 5,73
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) В 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 400 300 май Не 20 май 500 -мкс
4N40W 4n40w На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 2001 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) В 1 6-Dip Скрип 5300vrms 50 мкс (MMAKS) 1,1 В. 60 май 400 1MA 300 май Не 14ma 500 -мкс
4N393SD 4n393sd На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-SMD, кргло Я 1 6-SMD Скрип 5300vrms 50 мкс (MMAKS) 1,1 В. 60 май 200 1MA 300 май Не 30 май 500 -мкс
H11C13SD H11C13SD На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-SMD, кргло Я 1 6-SMD Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C1 H11C1 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) В 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 20 май 500 -мкс
H11C5 H11C5 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) В 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 400 300 май Не 20 май 500 -мкс
4N39300 4N39300 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) Я 1 6-Dip Скрип 5300vrms 50 мкс (MMAKS) 1,1 В. 60 май 200 1MA 300 май Не 30 май 500 -мкс
H11C3 H11C3 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) В 1 6-Dip Скрип 5300vrms 1,2 В. 60 май 200 300 май Не 30 май 500 -мкс

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.