Симисторные оптоизоляторы — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по продаже электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Входной ток Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Утверждающее агентство Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Номинальное входное напряжение Достичь соответствия кода Максимальное входное напряжение Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Максимальный выходной ток Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Включить время задержки Среднеквадратичный ток (Irms) Максимальный ток во включенном состоянии Материал транзисторного элемента Конфигурация Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Напряжение – изоляция Удерживай ток Обратное напряжение проба Время включения Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Выходной ток на канале Напряжение – выключенное состояние Ток — удержание (Ih) Максимальное напряжение во включенном состоянии Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Схема пересечения нулей Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Статическое dV/dt (мин) Входной триггерный ток, номинальный Пиковый импульсный ток Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM)
H11C3300W H11C3300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C1300W H11C1300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C3SD H11C3SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C4300W H11C4300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C33SD H11C33SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР, ВДЕ 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
VO4157M ВО4157М Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo4157h-datasheets-1914.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 10 мА 6 недель cUR, ФИМКО, УР 6 Нет 1,2 В 1,4 В 1 600мВт 1 6-ДИП 300 мА 700В 300 мА 60 мА 1,2 В Триак 5300 В (среднеквадратичное значение) 500 мкА 1,2 В 60 мА 300 мА 700В 500 мкА 300 мА Да 3мА 5кВ/мкс
H11C4S H11C4S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C1SD H11C1SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
4N39W 4Н39В ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 200В 1 мА 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C4W H11C4W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C4SD H11C4SD ОН Полупроводник $5,19
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
MOC3063TM MOC3063TM ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3062vm-datasheets-5735.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) UL 1 6-ДИП Триак 4170 В (среднеквадратичное значение) 1,3 В 60 мА 600В Тип 500 мкА. Да 5мА 600 В/мкс
H11C1300 H11C1300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
IL4216-X009T IL4216-X009T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il4216x006-datasheets-2251.pdf 6-СМД 6 недель БСИ, CSA, cUR, ФИМКО, УР 6 EAR99 1,3 В 1,5 В е3 Матовый олово (Sn) 1 300мВт 1 Оптопара — выходы триггерного устройства 300 мА 300 мА 60 мА Триак 300 мА 0,3 А 5300 В (среднеквадратичное значение) 200 мкА 1,3 В 300 мА 600В 200 мкА Нет Тип 700 мкА. 10 кВ/мкс
4N40300 4Н40300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 400В 1 мА 300 мА Нет 14 мА 500 В/мкс
4N40S 4Н40С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 400В 1 мА 300 мА Нет 14 мА 500 В/мкс
MOC3023TM MOC3023TM ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3023tm-datasheets-2497.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) UL 1 6-ДИП Триак 4170 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 60 мА 400В Тип 100 мкА. Нет 5мА
4N40 4Н40 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 3 УР да EAR99 совместимый е3 Олово (Вс) НЕТ ОДИНОКИЙ 1 1 Р-ПСФМ-Т3 СКР КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛЬНЫЙ 235 Вт 400В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 400В 1 мА 300 мА Нет 14 мА 500 В/мкс 23А 92А
H11C4 H11C4 ОН Полупроводник $5,73
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
4N40W 4N40W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 400В 1 мА 300 мА Нет 14 мА 500 В/мкс
4N393SD 4Н393СД ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР, ВДЕ 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 200В 1 мА 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C13SD H11C13SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР, ВДЕ 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C1 H11C1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C5 H11C5 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
4N39300 4Н39300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 200В 1 мА 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C3 H11C3 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
APT1211SZ АПТ1211СЗ Электромонтажные работы Панасоник 1,43 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать АПТ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectricworks-apt1212wa-datasheets-5758.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 4,3 мм 2 мм 4,4 мм Без свинца 10 недель ЦУР, ВДЕ 4 ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ 1,3 В 350 мВт 1 1 Оптопара — выходы триггерного устройства 50 мА 50 мА Триак 100 мкс 0,05 А ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 300 мкА 100 мкс (макс.) 1,21 В 50 мА 600В 3,5 мА 2,5 В 600В Да 10 мА 500 В/мкс 10 мА 0,6А
H11C2S H11C2S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C2 H11C2 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 10 мА Без свинца УР 6 1 1 Вт 300 мА 200В 60 мА СКР 300 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 200В Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C1W H11C1W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.