| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | Количество контактов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Включить время задержки | Среднеквадратичный ток (Irms) | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Удерживай ток | Обратное напряжение проба | Время включения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Напряжение – выключенное состояние | Ток — удержание (Ih) | Максимальное напряжение во включенном состоянии | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Схема пересечения нулей | Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) | Статическое dV/dt (мин) | Входной триггерный ток, номинальный | Пиковый импульсный ток |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOC3063TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3062vm-datasheets-5735.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | UL | 1 | 6-ДИП | Триак | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В | 60 мА | 600В | Тип 500 мкА. | Да | 5мА | 600 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C1300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IL4216-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il4216x006-datasheets-2251.pdf | 6-СМД | 6 недель | БСИ, CSA, cUR, ФИМКО, УР | 6 | EAR99 | 1,3 В | 1,5 В | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — выходы триггерного устройства | 300 мА | 300 мА | 60 мА | Триак | 300 мА | 0,3 А | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 200 мкА | 6В | 1,3 В | 300 мА | 600В | 200 мкА | 3В | Нет | Тип 700 мкА. | 10 кВ/мкс | 3А | |||||||||||||||||||||
| IL4118-X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il4118-datasheets-5816.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | BSI, CSA, cUR, FIMKO, UR, VDE | 6 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 1,3 В | 1,5 В | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 | 500мВт | 1 | 300 мА | 300 мА | 60 мА | Триак | 35 мкс | 300 мА | 0,3 А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 200 мкА | 6В | 1,3 В | 300 мА | 800В | 200 мкА | Да | 1,3 мА | 10 кВ/мкс | 0,7 мА | ||||||||||||||||||||
| H11C33S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C43S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C23S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C3300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C3S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C3W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C2W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C2300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C23SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C5300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | Без свинца | УР | 6 | 1 | 1 Вт | 300 мА | 200В | 60 мА | СКР | 300 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 200В | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C1W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT1232AZ | Электромонтажные работы Панасоник | $7,29 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АПТ | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectricworks-apt1212wa-datasheets-5758.pdf | 5-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ЦУР, ВДЕ | 1 | 1 | Оптопара — выходы триггерного устройства | Триак | 100 мкс | 100 мА | 0,02 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 100 мкс (макс.) | 1,21 В | 50 мА | 600В | 2В | 600В | 100 мА | Да | 10 мА | 500 В/мкс | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| H11C43SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C6 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО4254Д | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo4256hx007t-datasheets-6250.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 17 недель | cUR, ФИМКО, УР | 6 | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 600мВт | 1 | 6-ДИП | 300 мА | 400В | 300 мА | 60 мА | 1,2 В | Триак | 300 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,2 В | 60 мА | 300 мА | 400В | 300 мА | Нет | 1,6 мА | 5кВ/мкс | |||||||||||||||||||||
| 4Н39 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 50 мкс (макс.) | 1,1 В | 60 мА | 200В | 1 мА | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C13S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C2300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н40СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 50 мкс (макс.) | 1,1 В | 60 мА | 400В | 1 мА | 300 мА | Нет | 14 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C2SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3082 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-fodm3082-datasheets-2495.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | кУЛ, УЛ | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 60 мА | 800В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Да | 10 мА | 600 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C1S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н40300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 50 мкс (макс.) | 1,1 В | 60 мА | 400В | 1 мА | 300 мА | Нет | 14 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н40С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 50 мкс (макс.) | 1,1 В | 60 мА | 400В | 1 мА | 300 мА | Нет | 14 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC3023TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3023tm-datasheets-2497.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | UL | 1 | 6-ДИП | Триак | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 60 мА | 400В | Тип 100 мкА. | Нет | 5мА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.