Симисторные оптоизоляторы — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по продаже электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Входной ток Без свинца Срок выполнения заказа на заводе Масса Утверждающее агентство Количество контактов Код Pbfree Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Номинальное входное напряжение Достичь соответствия кода Максимальное входное напряжение Код JESD-609 Терминальные отделки Рабочая температура (мин) Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Поставщик пакета оборудования Максимальный выходной ток Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Напряжение запуска Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-макс. Максимальное Конфигурация Напряжение – изоляция Удерживай ток Обратное напряжение проба Время включения Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Выходной ток на канале Напряжение – выключенное состояние Ток — удержание (Ih) Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Схема пересечения нулей Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Статическое dV/dt (мин) Входной триггерный ток, номинальный Пиковое напряжение в выключенном состоянии-мин.
MOC3010FR2M МОК3010ФР2М ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Триак 7500Впик 60 мА 250В Тип 100 мкА. Нет 15 мА
TLP160G(DMT7-TPL,F ТЛП160Г(ДМТ7-ТПЛ,Ф Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Симисторный выход оптопара
TLP160G(T7-TPL,U,F TLP160G(T7-TPL,U,F Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки)
TLP160G(T7-TPR,U,F TLP160G(T7-TPR,U,F Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки)
TLP160J(V4T7,U,C,F TLP160J(V4T7,U,C,F Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки)
MOC3020 МОК3020 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Трубка 1 (без блокировки) 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3020-datasheets-2579.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 6-ДИП Триак 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мА 400В 100 мкА Нет 30 мА
TLP161J(TPL,U,C,F) TLP161J(ТПЛ,У,К,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 85°С -25°С Соответствует RoHS 2010 год 4 Медь, Золото, Серебро, Олово 1,15 В 1,3 В 1 70 мА 50 мА 1,3 В 2,5 кВ 50 мА
TLP160J(V4OM5TRUCF TLP160J(V4OM5TRUCF Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки)
H11C6SD H11C6SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
S11ME5 S11ME5 Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Трубка Непригодный Не соответствует требованиям RoHS 1997 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-s21me6iy-datasheets-2412.pdf ОКУНАТЬ УЛ ПРИЗНАЛ неизвестный е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) -30°С 1 1 Симисторный выход оптопара 0,05 А 5000В ОДИНОКИЙ 100 мкА 100 мА 10 мА 400В
MOC3010FVM MOC3010FVM ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Трубка 1 (без блокировки) 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Триак 7500Впик 60 мА 250В Тип 100 мкА. Нет 15 мА
4N403SD 4Н403СД ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР, ВДЕ 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 400В 1 мА 300 мА Нет 14 мА 500 В/мкс
MOC3010TM MOC3010TM ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3023tm-datasheets-2497.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) UL 1 6-ДИП Триак 4170 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 60 мА 250В Тип 100 мкА. Нет 15 мА
H11C6S H11C6S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C5SD H11C5SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C5W H11C5W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C63S H11C63S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР, ВДЕ 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
MOC3010SVM МОК3010СВМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3023tm-datasheets-2497.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 810мг МЭК/ЭН/ДИН, УЛ 6 да 1,15 В 1,5 В 1 330мВт 1 60 мА Триак 4170 В (среднеквадратичное значение) 100 мкА 250В Тип 100 мкА. Нет 15 мА
H11C5300 H11C5300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C4300 H11C4300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C3300W H11C3300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C1300W H11C1300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C3SD H11C3SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C4300W H11C4300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР, ВДЕ 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C33SD H11C33SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР, ВДЕ 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
VO4157M ВО4157М Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo4157h-datasheets-1914.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 10 мА 6 недель cUR, ФИМКО, УР 6 Нет 1,2 В 1,4 В 1 600мВт 1 6-ДИП 300 мА 700В 300 мА 60 мА 1,2 В Триак 5300 В (среднеквадратичное значение) 500 мкА 1,2 В 60 мА 300 мА 700В 500 мкА 300 мА Да 3мА 5кВ/мкс
H11C4S H11C4S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
H11C1SD H11C1SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-СМД, Крыло Чайки УР 1 6-СМД СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 200В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс
4N39W 4Н39В ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 50 мкс (макс.) 1,1 В 60 мА 200В 1 мА 300 мА Нет 30 мА 500 В/мкс
H11C4W H11C4W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) УР 1 6-ДИП СКР 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мА 400В 300 мА Нет 20 мА 500 В/мкс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.