Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Вернояж Тела Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль На PakeT / KORPUES Делина Шyrina Колист Верна - Колист Имен Плетня Колист КОД ECCN Доленитейн Ая DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Naprayeseee Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ Скороп UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Органихая Шirina pamayti Плотпеф Соберите аъектив ТИП ИК ПАМЕЙТИ Rerжimdepapa МАКПЕРА
AQ24M64B8BLK0S AQ24M64B8BLK0S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В Модул 6 8 gb
SFUI8192J1AB2TO-C-MS-211-STD SFUI8192J1AB2TO-C-MS-211-STD Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА U-400 Neprigodnnый Rohs3 Модул 17 8 gb Flash - nand (SLC)
AQ24P64B8BLF8S AQ24P64B8BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AT28L7228BHC4M AT28L7228BHC4M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 2015 6 1 год DDR SDRAM
A4G08QE8BLPBSE A4G08QE8BLPBSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 260-й 6 8 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с
MTEDCBE008SAJ-1N2IT MtedCBE008SAJ-1N2IT МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS 5,9 мм Rohs3 2013 /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf Модул 36,9 мм 26,6 ММ 10 USB 64 -й 8542.31.00.01 В дар НЕВЕКАНА NeT -lederStva Nukahan Промлэнно 85 ° С -40 ° С Nukahan R-xxma-n10 8 gb Flash - nand (SLC) Вторинак -конроллр -веду, на 30 марта / с
AL24M72B8BLMAM AL24M72B8BLMAM ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb DDR3L SDRAM 1866mt/s
AQ24M64B8BLH9M AQ24M64B8BLH9M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24M6418BLF8S AQ24M6418BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24P6418BLF8S AQ24P6418BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
MTA18ASF2G72PDZ-2G6J1 MTA18ASF2G72PDZ-2G6J1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pdz2g6j1-datasheets-0342.pdf
78.B1GM4.4020B 78.b1gm4.4020b Apacer Memory America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 288-й 2 nede 4 гб DDR4 SDRAM 2133 gb/s
MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 MTA18ASF2G72AZ-2G6E2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72az2g6e2-datasheets-0343.pdf
75.A73AR.G100C 75.A73AR.G100C Apacer Memory America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 200-sodimm 2 nede 2 гр DDR2 SDRAM 667 мБ/с
MTA9ASF1G72PZ-3G2E1 MTA9ASF1G72PZ-3G2E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 31,4 мм Rohs3 288-RDIMM 133,35 мм 3,9 мм 288 5 nedely 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 8 gb DDR4 SDRAM 3,2GT/с 1GX72 72 77309411328 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
A4D08Q38BNRCSE A4D08Q38BNRCSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с
MTA18ASF2G72HBZ-3G2E1 MTA18ASF2G72HBZ-3G2E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72hbz3g2e1-datasheets-0344.pdf Сообщите
MTA18ASF2G72PZ-2G6J1 MTA18ASF2G72PZ-2G6J1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pz2g6e1-datasheets-0334.pdf
AL12P72L8BKK0M AL12P72L8BKK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/atpelectronicsinc-al12p72l8bkk0m-datasheets-0345.pdf 240-RDIMM 6 240 4 гб DDR3L SDRAM 1600 м/с
MTA18ASF2G72PDBZ-3G2E1 MTA18ASF2G72PDBZ-3G2E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pdbz3g2e1-datasheets-0362.pdf
MTA8ATF2G64AZ-3G2E1 MTA8ATF2G64AZ-3G2E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta8atf2g64az2g6e1-datasheets-0337.pdf
MTA18ASF2G72PZ-3G2E2 MTA18ASF2G72PZ-3G2E2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pz2g6e1-datasheets-0334.pdf
MTA9ASF2G72PZ-3G2B1 MTA9ASF2G72PZ-3G2B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CMOS Синжронно 31,4 мм /files/microntechnologyinc-mta9asf2g72pz3g2b1-datasheets-0347.pdf 133,35 мм 3,9 мм 288 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX Сообщите 1 Не Дон NeT -lederStva Drugoй 95 ° С R-XDMA-N288 2GX72 72 154618822656 БИТ DDR DRAM МОДУЛ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
AQ24M64B8BLF8M AQ24M64B8BLF8M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24M72E8BLMAM AQ24M72E8BLMAM ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb DDR3 SDRAM 1866mt/s
MTA9ADF2G72AZ-3G2B1 MTA9ADF2G72AZ-3G2B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА
A4B08QD8BNPBSE A4B08QD8BNPBSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с
MTA8ATF2G64HZ-3G2E1 MTA8ATF2G64HZ-3G2E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CMOS Синжронно /files/microntechnologyinc-mta8atf2g64hz3g2e1-datasheets-0335.pdf 260 1 Арто/Скамооблани Сообщите 1 Не Дон NeT -lederStva Drugoй 95 ° С R-XDMA-N260 2GX64 64 137438953472 БИТ В дар DDR DRAM МОДУЛ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
A4D08QB8BLPBSE A4D08QB8BLPBSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с
MTA18ASF2G72PZ-2G9E6 MTA18ASF2G72PZ-2G9E6 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pz2g6e1-datasheets-0334.pdf

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.