Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэвниваф Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колист КОД ECCN Доленитейн Ая МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Пефер Терминала Терминаланая Надо Терминал ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Колист КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп Органихая Шirina pamayti Плотпеф Rerжimdepapa
MT18JSF51272AZ-1G6K1 MT18JSF51272AZ-1G6K1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно 30,5 мм Rohs3 2015 /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72az1g6d1-datasheets-0712.pdf 240 лет 133,35 мм 1,5 В. 240 3 nede 1575 1.425V 240 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1,6 -е 1 Дон NeT -lederStva 1,5 В. 1 ММ Коммер 18 4 гб DDR3 SDRAM 72b 1600 м/с 512MX72 72 38654705664 БИТ Дюно -бандж Страни -в
AL24M72B8BLF8M AL24M72B8BLF8M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24M72Y8BLK0M AQ24M72Y8BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AL24M72L8BLK0S AL24M72L8BLK0S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В Модул 6 8 gb
AY24M7228BLH9S AY24M7228BLH9S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Minirdimm 6 8 gb
AL24M72L8BLK0M AL24M72L8BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В Модул 6 8 gb
MTA9ADF1G72PZ-2G6D1 MTA9ADF1G72PZ-2G6D1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CMOS Синжронно 18,9 мм 288-RDIMM 133,35 мм 3,9 мм 288 16 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX Сообщите 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 8 gb DDR4 SDRAM 2666 мт/с 1GX72 72 77309411328 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MTA18ASF2G72PZ-2G6D1 MTA18ASF2G72PZ-2G6D1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 31,4 мм Rohs3 2017 /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pz2g3b1-datasheets-0708.pdf 288-RDIMM 133,35 мм 3,9 мм 288 5 nedely 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 8542.32.00.36 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 16 гр DDR4 SDRAM 2666 мт/с 2GX72 72 154618822656 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MTA16ATF2G64HZ-3G2J1 MTA16ATF2G64HZ-3G2J1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 30,13 мм Rohs3 260-Sodimm 69,6 ММ 3,7 мм 260 6 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 95 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N260 16 гр DDR4 SDRAM 3,2GT/с 2GX64 64 137438953472 БИТ Дюно -бандж Страни -в
AQ24P72E8BLH9S AQ24P72E8BLH9S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24M72Y8BLH9S AQ24M72Y8BLH9S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24P72Y8BLK0M AQ24P72Y8BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AL24P72B8BLF8S AL24P72B8BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AW24M64F8BLF8MW AW24M64F8BLF8MW ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 240 лет 6 8 gb DDR3 SDRAM 1066mt/s
MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pz2g3b1-datasheets-0708.pdf 4 neDe 16 гр DDR4 SDRAM
MTA18ASF2G72PDZ-2G6E1 MTA18ASF2G72PDZ-2G6E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pdz2g6b1-datasheets-0698.pdf 288-RDIMM 5 nedely 16 гр DDR4 SDRAM 2666 мт/с
AQ24P72E8BLK0M AQ24P72E8BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
MTA18ASF2G72HZ-2G6E1 MTA18ASF2G72HZ-2G6E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72hz2g3b1-datasheets-0692.pdf 4 neDe
AQ24M72E8BLF8M AQ24M72E8BLF8M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24P72Y8BLK0S AQ24P72Y8BLK0S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В Модул 6 8 gb
AQ24M72E8BLF8S AQ24M72E8BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24P72Y8BLH9S AQ24P72Y8BLH9S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24M72Y8BLF8S AQ24M72Y8BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
MTA16ATF2G64HZ-3G2E1 MTA16ATF2G64HZ-3G2E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CMOS Синжронно 30,13 мм /files/microntechnologyinc-mta16atf2g64hz2g6b1-datasheets-0701.pdf 260-Sodimm 69,6 ММ 3,7 мм 260 26 nedely 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX Сообщите 1 Не Я NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 R-xzma-N260 16 гр DDR4 SDRAM 3200 м/с 2GX64 64 137438953472 БИТ Дюно -бандж Страни -в
75.B83E8.G020C 75.b83e8.g020c Apacer Memory America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 204-Sodimm 2 nede 4 гб DDR3 SDRAM 1,6 -gb/s
AY24P7228BLH9S AY24P7228BLH9S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Minirdimm 6 8 gb
AW24P64F8BLK0MW AW24P64F8BLK0MW ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 240 лет 6 8 gb DDR3 SDRAM 1600 м/с
A4C08QE8BLPBME A4C08QE8BLPBME ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 288-й 6 8 gb DDR4 SDRAM 2133mt/s
SFUI008GJ1AE1TO-I-DB-2A1-STD SFUI008GJ1AE1TO-I-DB-2A1-STD Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА U-500 Neprigodnnый Rohs3 Модул 4 neDe 8 gb Flash - nand (SLC)
AY24M7228BLK0S AY24M7228BLK0S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Minirdimm 6 8 gb

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.