Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Опрегионн Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Опресагионе Колист Верна - Колист. Балаво Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец МАКСИМАЛАНА HTS -KOD Колист Пефер Терминала Терминаланая Надо ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп Органихая Шirina pamayti Плотпеф Rerжimdepapa
A4C16QW8BNRCSE A4C16QW8BNRCSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 288-й 6 16 гр DDR4 SDRAM 2400 м/с
MTA16ATF4G64HZ-2G6B3 MTA16ATF4G64HZ-2G6B3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta16atf4g64hz2g6b3-datasheets-0509.pdf
AY24M7298MNH9M AY24M7298MNH9M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Minirdimm 6 8 gb
MMM-3082-DSL MMM-3082-DSL Terasic Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/terasicinc-mmm3082dsl-datasheets-0510.pdf 260-Sodimm 8 16 гр DDR4 SDRAM
AY24P7228BLF8S AY24P7228BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Minirdimm 6 8 gb
AW48P64F8BNH9M AW48P64F8BNH9M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 240-й днаний 6 16 гр DDR3 SDRAM 1600 м/с
78.C1GM4.4010B 78.c1gm4.4010b Apacer Memory America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 288-й 2 nede 8 gb DDR4 SDRAM 2133 gb/s
AQ24P64B8BLF8M AQ24P64B8BLF8M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
SFUI016GJ1AB1TO-C-QT-211-STD SFUI016GJ1AB1TO-C-QT-211-STD Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА U-400 1 (neograniчennnый) Rohs3 Модул 17 16 гр Flash - nand (SLC)
SFUI016GJ1AE1TO-C-QC-2A1-STD SFUI016GJ1AE1TO-C-QC-2A1-STD Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА U-500 Neprigodnnый Rohs3 Модул 4 neDe 16 гр Flash - nand (SLC)
MT36KSF1G72PZ-1G6K1 MT36KSF1G72PZ-1G6K1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2013 /files/microntechnologyinc-mt36ksf1g72pz1g6m1-datasheets-1353.pdf 240-RDIMM 3 nede 240 1,6 -е 8 gb DDR3L SDRAM 72b 1600 м/с
MTA18ASF4G72PDZ-2G9B2 MTA18ASF4G72PDZ-2G9B2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf4g72pdz3g2b2-datasheets-0470.pdf
A4K16Q28BNPBSE A4K16Q28BNPBSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 288-Miniudimm 6 16 гр DDR4 SDRAM 2400 м/с
MT18KDF1G72PZ-1G6P1 MT18KDF1G72PZ-1G6P1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 240-RDIMM 3 nede 240 8 gb DDR3L SDRAM 1600 м/с
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2 MTA18ADF4G72AZ-2G6B2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18adf4g72az3g2b3-datasheets-0483.pdf
MTA36ASF4G72PZ-2G6E4 MTA36ASF4G72PZ-2G6E4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g9e6-datasheets-0468.pdf
A4D16Q28BNPBSE A4D16Q28BNPBSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 16 гр DDR4 SDRAM 2133mt/s
MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf4g72hz3g2b1-datasheets-0475.pdf
MT18KSF1G72HZ-1G6P1 MT18KSF1G72HZ-1G6P1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно 30,15 мм Rohs3 2015 /files/microntechnologyinc-mt18ksf1g72hz1g4e2-datasheets-1776.pdf 204-Sodimm 67,6 ММ 204 5 nedely 204 1 Ear99 Арто/Скамооблани; Wd-max; ТАКАКОТА ЗOLOTO 800 мг 1 Я NeT -lederStva 1,35 В. Коммер 1,45 1.283V 8 gb DDR3L SDRAM 72b 1600 м/с 1GX72 72 77309411328 БИТ Дюно -бандж Страни -в
MTA8ATF2G64HZ-2G6E1 MTA8ATF2G64HZ-2G6E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta8atf2g64hz3g2e1-datasheets-0335.pdf
AY24M7278MNH9M AY24M7278MNH9M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Miniudimm 6 8 gb
MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf4g72az2g6b1-datasheets-0471.pdf
MTA18ASF4G72PDZ-2G9B1 MTA18ASF4G72PDZ-2G9B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta18asf4g72pdz3g2b2-datasheets-0470.pdf
75.B93E4.G020B 75.b93e4.g020b Apacer Memory America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 204-Sodimm 2 nede 4 гб DDR3 SDRAM 1,6 -gb/s
AY24M7298MNK0M AY24M7298MNK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Minirdimm 6 8 gb
SQR-SD4I-16G2K1SNB SQR-SD4I-16G2K1SNB Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2016 260-Sodimm 4 neDe 16 гр DDR4 SDRAM 2133 мБ/с
A4C16QE8BNPBSE A4C16QE8BNPBSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 288-й 6 16 гр DDR4 SDRAM 2400 м/с
MT16HTF25664HZ-800M1 MT16HTF25664HZ-800M1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно 30,15 мм Rohs3 2014 /files/microntechnologyinc-mt16htf51264hz800c1-datasheets-0204.pdf 200-sodimm 67,6 ММ 1,8 В. 200 10 nedely 200 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 400 мг 8542.32.00.36 1 Не Я NeT -lederStva 1,8 В. Коммер 1,9 1,7 2 гр DDR2 SDRAM 64b 800 м/с 256mx64 64 17179869184 БИТ Дюно -бандж Страни -в
AY24P7278MNF8M AY24P7278MNF8M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Miniudimm 6 8 gb
75.B83CG.G040B 75.b83cg.g040b Apacer Memory America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 204-Sodimm 2 nede 4 гб DDR3 SDRAM 1333 gb/s

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.