Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колист КОД ECCN Доленитейн Ая МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Пефер Терминала Терминаланая Надо Терминал ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Колист КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп Органихая Шirina pamayti Плотпеф Rerжimdepapa
MTA16ATF2G64AZ-3G2J1 MTA16ATF2G64AZ-3G2J1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 288-й 6 16 гр DDR4 SDRAM 3,2GT/с
SQR-UD4N16G2K4SEBB SQR-UD4N16G2K4SEBB Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 13
AL24M72L8BLF8M AL24M72L8BLF8M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
SQR-SD4N16G2K4SEBB SQR-SD4N16G2K4SEBB Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 260-Sodimm 13 16 гр DDR4 SDRAM 2133 мБ/с
AY24P7228BLK0S AY24P7228BLK0S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Minirdimm 6 8 gb
MT18KDF51272PDZ-1G6K1 MT18KDF51272PDZ-1G6K1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С Rohs3 2015 /files/microntechnologyinc-mt18kdf51272pdz1g4m1-datasheets-1324.pdf 240-RDIMM 1,35 В. 3 nede 1,45 1.283V 240 1,6 -е 18 4 гб DDR3L SDRAM 72b 1600 м/с
AL24P72L8BLH9M AL24P72L8BLH9M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
MMM-3026-DSL MMM-3026-DSL Terasic Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1 066 ГОГ Rohs3 204-Sodimm 1,5 В. 8 204 8 gb DDR3 SDRAM 1066mt/s
AL24P72B8BLH9M AL24P72B8BLH9M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQD-D3L8GR13-SG AQD-D3L8GR13-SG Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2013 /files/advantechcorp-aqdd3l8gr13sg-datasheets-0425.pdf 240-RDIMM 2 nede 8 gb DDR3L SDRAM 1333 МБ/С.
AT28L64Z8BHC4M AT28L64Z8BHC4M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 2015 6 1 год DDR SDRAM
AQ24P72Y8BLF8M AQ24P72Y8BLF8M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AL24M72B8BLH9S AL24M72B8BLH9S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
MT18JSF51272AZ-1G6K1 MT18JSF51272AZ-1G6K1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно 30,5 мм Rohs3 2015 /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72az1g6d1-datasheets-0712.pdf 240-й днаний 133,35 мм 1,5 В. 240 3 nede 1575 1.425V 240 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1,6 -е 1 Дон NeT -lederStva 1,5 В. 1 ММ Коммер 18 4 гб DDR3 SDRAM 72b 1600 м/с 512MX72 72 38654705664 БИТ Дюно -бандж Страни -в
AL24M72B8BLF8M AL24M72B8BLF8M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AQ24M72Y8BLK0M AQ24M72Y8BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AL24M72L8BLK0S AL24M72L8BLK0S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В Модул 6 8 gb
AY24M7228BLH9S AY24M7228BLH9S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 204-Minirdimm 6 8 gb
AL24M72L8BLK0M AL24M72L8BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В Модул 6 8 gb
MTA9ADF1G72PZ-2G6D1 MTA9ADF1G72PZ-2G6D1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА CMOS Синжронно 18,9 мм 288-RDIMM 133,35 мм 3,9 мм 288 16 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX Сообщите 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 8 gb DDR4 SDRAM 2666 мт/с 1GX72 72 77309411328 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
AL24M72L8BLF8S AL24M72L8BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
MTA18ASF2G72PZ-3G2E1 MTA18ASF2G72PZ-3G2E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 31,4 мм Rohs3 288-RDIMM 133,35 мм 3,9 мм 288 3 nede 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 R-XDMA-N288 16 гр DDR4 SDRAM 3,2GT/с 2GX72 72 154618822656 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MT9KSF51272AZ-1G6P1 MT9KSF51272AZ-1G6P1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 30,5 мм Rohs3 /files/microntechnologyinc-mt9kdf51272az1g6p1-datasheets-1784.pdf 240-й днаний 133,35 мм 2,7 ММ 240 3 nede 240 1 Ear99 Арто/Скамооблани; Wd-max; ТАКАКОТА 1 Не Дон NeT -lederStva 1,35 В. 1 ММ Коммер 70 ° С 1,45 1.283V 4 гб DDR3L SDRAM 1600 м/с 512MX72 72 38654705664 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
AL24P72B8BLK0M AL24P72B8BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В Модул 6 8 gb
AL24P72B8BLH9S AL24P72B8BLH9S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
A4C08QY8BLPBME A4C08QY8BLPBME ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 288-й 6 8 gb DDR4 SDRAM 2133mt/s
A4F08QG8BLPBME A4F08QG8BLPBME ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 260-й 6 8 gb DDR4 SDRAM 2133mt/s
AL24M72B8BLF8S AL24M72B8BLF8S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AL24M72B8BLH9M AL24M72B8BLH9M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
AL24P72B8BLK0S AL24P72B8BLK0S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В Модул 6 8 gb

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.