Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули ИК-трансиверов(156)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | мощность | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Тип интерфейса микросхемы | Прямой ток | Особенности монтажа | Время подъема | Осень (тип.) | Напряжение питания1-ном. | Стандарты | Длина волны | Длина волны – пик | Размер | Тип оптоволоконного устройства | Рабочая длина волны-ном. | Ток холостого хода, тип. при 25°С | Диапазон связи, собственная мощность | Неисправность |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АСДЛ-3212-021 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2006 г. | 3,6 В | 6 | 14 недель | 6 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | НЕТ | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 6 | 40 | 1152 Мбит/с (МИР) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 870 нм | 7,00 мм х 1,64 мм х 2,93 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ872-H12E4 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm872h12e4a-datasheets-2147.pdf | Модуль | 3,6 В | Вид сверху | ДА | 2В~3,6В | Оптоволоконные трансиверы | 115,2 Кбит/с (SIR) | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ИК-порт 1.2 | 8,00 ммx3,00 ммx2,92 мм | ТРАНСИВЕР | 870 нм | 75 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ841-H16E4A3 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | СМД/СМТ | 3,6 В | 14 недель | Вид сверху | Нет | 2,4 В~3,6 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 6,80 мм х 1,70 мм х 2,15 мм | 90 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ971-H14E3A | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm971h14e3a-datasheets-2265.pdf | Модуль | 3,6 В | 8 | 9 | да | Вид спереди | 1 | НЕТ | 2,4 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | НЕУКАЗАНО | 3В | Р-XSMA-X8 | 4 Мбит/с (FIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 3В | ИК-порт 1.4 | 870 нм | 8,0 мм х 2,9 мм х 2,2 мм | 1 мА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ872-H12E4A | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm872h12e4a-datasheets-2147.pdf | Модуль | 3,6 В | 9 | Вид сверху | Нет | ДА | 2В~3,6В | Оптоволоконные трансиверы | 115,2 Кбит/с (SIR) | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ИК-порт 1.2 | 870 нм | 8,00 ммx3,00 ммx2,92 мм | ТРАНСИВЕР | 870 нм | 75 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ871-H12E4 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm871h12e4a-datasheets-2225.pdf | Модуль | 3,6 В | да | Вид сверху | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,6 В~3,6 В | 225 | НЕ УКАЗАН | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 8,00 ммx3,00 ммx2,92 мм | 73 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ872-Е2А | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm872e2a-datasheets-2156.pdf | Модуль | 3,6 В | 8 | 8 | Вид сверху | Нет | 1 | НЕТ | 2В~3,6В | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 3В | 115,2 Кбит/с (SIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 3В | ИК-порт 1.2 | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ872-Е4А | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm872e2a-datasheets-2156.pdf | Модуль | 3,6 В | 8 | Вид сверху | Нет | 2В~3,6В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТФДУ4300А | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | СМД/СМТ | 5,5 В | Вид спереди | 2,4 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИрФИЗ 1.0 | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 75 мкА | 70 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ882-H7E2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | Модуль | 3,6 В | 2,4 В~3,6 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 8,00 ммx3,00 ммx2,92 мм | 80 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ960-H14E3A | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm960h14e3a-datasheets-2176.pdf | СМД/СМТ | 3,6 В | да | Вид спереди | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | 225 | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.3 | 870 нм | 8,00 мм х 2,90 мм х 2,40 мм | 440 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ973-H16E4A | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohmsemiconductor-rpm973h16e4a-datasheets-2300.pdf | Модуль | 3,6 В | Без свинца | 7 | да | Вид сверху | Нет | 8541.40.80.00 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | 4 Мбит/с (FIR) | ИК-порт 1.4 | 7,60 мм х 1,70 мм х 2,13 мм | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ841-H16E4A2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohm-rpm841h16e4a2-datasheets-7706.pdf | Модуль | 3,6 В | 7 | да | Вид сверху | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | 225 | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 6,80 мм х 1,70 мм х 2,15 мм | 90 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ972-H14E3A | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm972h14e3a-datasheets-2311.pdf | Модуль | 3,6 В | Без свинца | 8 | Нет | ДА | 2,4 В~3,6 В | Оптоволоконные трансиверы | 4 Мбит/с (ПИ) | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ИК-порт 1.4 | 8,0 мм х 2,2 мм х 2,9 мм | ТРАНСИВЕР | 890 нм | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТФДУ6103-ТТ3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | КМОП | 4,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu6103tr3-datasheets-1932.pdf | Модуль | 4,7 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 8 | да | Вид сверху | Нет | 1 | 500мВт | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~5,5 В | ОДИНОКИЙ | Л ИЗГИБ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 8 | 40 | 4 Мбит/с (FIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 125 мА | 40 нс | 40 нс | 3,3 В | ИрФИЗ 1.4 | 886 нм | 9,7 мм х 4,7 мм х 4,0 мм | 1м | Да | |||||||||||||||||||||
| РПМ873-Е4 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm873e2a-datasheets-2088.pdf | Модуль | 3,6 В | Вид спереди | 2В~3,6В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU6301-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu6301tt3-datasheets-2041.pdf | 3,6 В | 8 | Вид спереди | 2,4 В~3,6 В | 4 Мбит/с (FIR) | ИрФИЗ 1.4 | 886 нм | 8,5 мм х 3,1 мм х 2,5 мм | 1,8 мА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU5307-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu5307tr1-datasheets-1884.pdf | 5,5 В | 8 | Вид спереди | 2,7 В~5,5 В | 1152 Мбит/с (МИР) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 550 мкА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ882-H14E2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm882h14e2a-datasheets-1778.pdf | Модуль | 3,6 В | 9 | да | Вид спереди | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | 225 | НЕ УКАЗАН | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 890 нм | 8,00 мм х 2,90 мм х 2,40 мм | 80 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU5307-TT1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu5307tr1-datasheets-1884.pdf | 5,5 В | 8 | Вид сверху | 2,7 В~5,5 В | 1152 Мбит/с (МИР) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 550 мкА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ873-Е2А | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm873e2a-datasheets-2088.pdf | Модуль | 3,6 В | 17 недель | 8 | да | Вид спереди | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2В~3,6В | 225 | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU8108-TT3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 0°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu8108tt3-datasheets-1978.pdf | Вид сверху | 2,7 В~5,5 В | 16 Мбит/с (VFIR) | ИрФИЗ 1.4 | 9,7 мм х 4,7 мм х 4,0 мм | 2мА | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU8108-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 0°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 100°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu8108tt3-datasheets-1978.pdf | 5,5 В | 8 | Вид спереди | Нет | 2,7 В~5,5 В | 16 Мбит/с (VFIR) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 9,7 мм х 4,7 мм х 4,0 мм | 2мА | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТФДУ4300-ТТ3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu4300tt3-datasheets-1880.pdf | СМД/СМТ | Без свинца | 5,5 В | 2,4 В | 8 | Вид сверху | 2,4 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | 100 нс | 100 нс | ИрФИЗ 1.0 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | 75 мкА | 70 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ873-Е2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm873e2a-datasheets-2088.pdf | Модуль | 3,6 В | Без свинца | 8 | да | Вид спереди | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2В~3,6В | 225 | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 870 нм | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТФДУ8108 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 0°К~100°К | Трубка | 4 (72 часа) | 100°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu8108tt3-datasheets-1978.pdf | 5,5 В | 8 | Универсальный | 2,7 В~5,5 В | 16 Мбит/с (VFIR) | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 9,7 мм х 4,7 мм х 4,0 мм | 2мА | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ873-Е4А | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-rpm873e2a-datasheets-2088.pdf | Модуль | 3,6 В | Без свинца | 8 | Вид спереди | Нет | 2В~3,6В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИК-порт 1.2 | 7,60 мм х 2,72 мм х 2,00 мм | 75 мкА | 20см 60см | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W3270XP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2w3270xp0f-datasheets-1812.pdf | Модуль | 3,6 В | 9 | Вид сверху | 2,4 В~3,6 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИрФИЗ 1.4 | 890 нм | 8,3 мм х 2,1 мм х 1,7 мм | 70 мкА | 20 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFDU6300-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu6300tt3-datasheets-2084.pdf | СМД/СМТ | 8,5 мм | 3,1 мм | 2,5 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 8 | да | Вид спереди | Нет | 1 | 500мВт | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~3,6 В | ОДИНОКИЙ | Л ИЗГИБ | 260 | 3,3 В | 8 | 40 | 4 Мбит/с (FIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 40 нс | 40 нс | ИрФИЗ 1.4 | 886 нм | 8,5 мм х 3,1 мм х 2,5 мм | 1,8 мА | 70 см | |||||||||||||||||||||||
| TFDU5307-TT3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu5307tr1-datasheets-1884.pdf | 8,5 мм | Нет СВХК | 8 | да | Вид сверху | неизвестный | 1,1 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | Оптоволоконные трансиверы | 1152 Мбит/с (МИР) | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ИрФИЗ 1.4 | 900 нм | 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм | ТРАНСИВЕР | 550 мкА | 70 см | Да |
