Аналоговые оптические датчики – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Напряжение Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Подкатегория Выходная мощность Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Особенности монтажа Время подъема Осень (тип.) Высота тела Длина или диаметр тела Ширина тела Тип завершения Жилье Расстояние внедрения Диапазон измерения-Макс. Диапазон измерения-мин. Тип датчиков/преобразователей Выходной диапазон Выходное напряжение-Макс. Обратное напряжение проба Максимальное напряжение проба Обратное напряжение Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Пиковая длина волны Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) VCEsat-Макс
CNB13020S CNB13020S Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -25°С Соответствует RoHS 1999 год /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb13020r-datasheets-6246.pdf Осевой Светоотражающий 3,4 мм 1,5 мм 2,7 мм Без свинца 20 мкс, 20 мкс 1,3 В Фототранзистор 20 мкс 0,039 (1 мм) 30 В 20 мА 50 мА 30 В 20 мА
GP2S24BCJ00F GP2S24BCJ00F Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -25°К~85°К Трубка 3 (168 часов) Соответствует RoHS 2006 г. /files/sharpmicroelectronics-gp2s24bj000f-datasheets-6203.pdf 4-СМД Светоотражающий неизвестный е2 Олово/Медь (Sn/Cu) НЕТ 1,4 В 20 мкс, 20 мкс Фототранзистор КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ 1,7 мм 4 мм 3 мм ПАЙКА ПЛАСТИК 0,028 (0,7 мм) 0,7 мм ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 0,02-0,04 мА 50 мА 35В 20 мА
CNZ2153 CNZ2153 Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 2008 год /files/panasonicelectroniccomComponents-cnz2153-datasheets-6466.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий да 0,50 В, ВКЭ НЕТ 1,5 В 1,2 В 1 6 мкс, 6 мкс Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики Фототранзистор 6 мм 10,6 мм 4 мм ПАЙКА 0,118 (3 мм) 3 мм 3 мм ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 30 В 50 мА 30 В 20 мА 0,5 В
OPB607B ОПБ607Б ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb607a-datasheets-5398.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 1,7 В 10 недель 4 НПН 20 мА 1,7 В Фотодарлингтон 0,050 (1,27 мм) 15 В 15 В 15 В 125 мА 50 мА 935 нм 15 В 125 мА
CNB23010R CNB23010R Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 2008 год /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb2301-datasheets-6312.pdf Светоотражающий 150 мкс, 150 мкс Фотодарлингтон 0,039 (1 мм) 50 мА 20 В 30 мА
OPB744W ОПБ744W ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb744w-datasheets-6382.pdf Модуль предварительно смонтированный Светоотражающий 4 20 мА 1,8 В Фототранзистор 0,150 (3,81 мм) 30 В 30 В 40 мА 890 нм 30 В
OPB755N ОПБ755Н ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb755n-datasheets-6476.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 4 40 мА 1,8 В Фототранзистор 0,220 (5,59 мм) 24В 24В 30 мА 50 мА 890 нм 24В 30 мА
CNB13020R0LF CNB13020R0LF Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 2005 г. /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb13020r0lf-datasheets-6391.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 20 мкс, 20 мкс Фототранзистор 0,039 (1 мм) 50 мА 30 В 20 мА
OPB743W ОПБ743W ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb744w-datasheets-6382.pdf Модуль предварительно смонтированный Светоотражающий 4 100мВт 1 20 мА 1,8 В Фототранзистор 0,150 (3,81 мм) 30 В 30 В 40 мА 890 нм 30 В
GP2L24CJ00F ГП2Л24КДЖ00Ф Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) Соответствует RoHS Монтаж на печатной плате Светоотражающий Без свинца 80 мкс, 70 мкс Фотодарлингтон 0,028 (0,7 мм) 35В 50 мА 50 мА
TCND3000 ТКНД3000 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ХАЛИОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) СМД/СМТ 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2004 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcnd3000-datasheets-6484.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 4,83 мм 50 мА 2,21 мм 2,54 мм Без свинца Неизвестный 4 180мВт 1 180мВт 5,6 мкА 50 мА 1,3 В PIN-фотодиод 0,394–0,787 (10–20 мм) РЕГУЛИРОВКА 50 мА 885 нм 885 нм
OPB609AX ОПБ609AX ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж, сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -25°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb609ax-datasheets-6404.pdf Осевой Светоотражающий 20 мА Без свинца 4 1 75мВт 1 30 В 50 мА 1,7 В Фототранзистор 2,79 мм 30 В 30 В 50 мА 50 мА 940 нм 30 В 50 мА
OPB709 ОПБ709 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2009 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb745-datasheets-5011.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 1,7 В 10 недель 4 Нет 100мВт 1 40 мА 1,7 В Фотодарлингтон 0,150 (3,81 мм) 15 В 15 В 40 мА 935 нм 15 В
OPB740W ОПБ740W ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb744w-datasheets-6382.pdf Модуль предварительно смонтированный Светоотражающий 4 20 мА 1,8 В Фототранзистор 0,150 (3,81 мм) 30 В 30 В 40 мА 890 нм 30 В
CNB10010HL CNB10010HL Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) 85°С -25°С Соответствует RoHS 2003 г. /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb10010rl-datasheets-5991.pdf 4-СМД Светоотражающий 3,4 мм 1,5 мм 2,7 мм Без свинца 4 30 мкс, 40 мкс 1,2 В Фототранзистор 30 мкс 0,039 (1 мм) 35В 35В 20 мА 50 мА 35В 20 мА
EE-SY124 EE-SY124 Omron Electronics Inc., подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2005 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy124-datasheets-6427.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий Без свинца 4 неизвестный 75мВт 35 мкс, 25 мкс 1 10 В 20 мА 1,2 В Фототранзистор 35 мкс 25 мкс 3 мм ПАЙКА 0,039 (1 мм) ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 0,005–0,003 мА 30 В 30 В 20 мА 50 мА 950 нм
OPB732W ОПБ732W ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. Модуль предварительно смонтированный Светоотражающий 50 мА Нет СВВК 4 50 мА 1,8 В Фототранзистор 3 (76,2 мм) 30 В 30 В 50 мА 50 мА 850 нм 30 В 50 мА
CNB10010WL CNB10010WL Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) 85°С -25°С Соответствует RoHS 2003 г. /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb10010rl-datasheets-5991.pdf 4-СМД Светоотражающий 3,4 мм 1,5 мм 2,7 мм Без свинца 4 30 мкс, 40 мкс 1,2 В Фототранзистор 30 мкс 0,039 (1 мм) 35В 35В 20 мА 50 мА 35В 20 мА
GP2L24BCJ00F GP2L24BCJ00F Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) 85°С -25°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/sharpmicroelectronics-gp2l24j0000f-datasheets-6166.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий Без свинца 4 80 мкс, 70 мкс 20 мА 1,2 В Фотодарлингтон 80 мкс 70 мкс 0,028 (0,7 мм) 35В 35В 50 мА 50 мА 950 нм 35В 50 мА
OPB609RA ОПБ609РА ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb609ax-datasheets-6404.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 20 мА Без свинца 4 75мВт 1 30 В 20 мА 1,7 В Фототранзистор 2,79 мм 30 В 30 В 50 мА 50 мА 940 нм 30 В 50 мА
CNB10010LL CNB10010LL Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) 85°С -25°С Соответствует RoHS 2003 г. /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb10010rl-datasheets-5991.pdf 4-СМД Светоотражающий 3,4 мм 1,5 мм 2,7 мм Без свинца 4 30 мкс, 40 мкс 1,2 В Фототранзистор 30 мкс 0,039 (1 мм) 35В 35В 20 мА 50 мА 35В 20 мА
GP2L26 ГП2Л26 Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gp2l24-datasheets-6084.pdf 4-СМД Светоотражающий 4 2 В ВЦЭ неизвестный е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 100мВт 80 мкс, 70 мкс 1 50 мА 50 мА 1,2 В Фотодарлингтон 400 мкс 400 мкс 0,031 (0,8 мм) 0,7 мм 0,7 мм ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 35В 35В 50 мА
QRE00034 QRE00034 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) 2001 г. /files/onsemiconductor-qre00034-datasheets-6366.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 10 мкс, 50 ​​мкс Фототранзистор 0,157 (4 мм) 50 мА 30 В
QRB1134 QRB1134 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2009 год Модуль предварительно смонтированный Светоотражающий 40 мА 1,7 В Без свинца Нет СВВК 4 100мВт 8 мкс, 8 мкс 1 30 В 40 мА 1,7 В Фототранзистор 8 мкс 8 мкс 0,150 (3,81 мм) 30 В 30 В 20 мА 50 мА 940 нм
OPB608R ОПБ608Р ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2004 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb608v-datasheets-5063.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 12 мА 1,9 В Без свинца 10 недель Нет СВВК 4 1 100мВт 30 В 25А 50 мА 1,7 В Фототранзистор 0,050 (1,27 мм) 30 В 30 В 30 В 25 мА 50 мА 650 нм 850 нм 30 В 25 мА
GP2S27T2J00F ГП2С27Т2ДЖ00Ф Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°К~85°К Разрезанная лента (CT) 5 (48 часов) Соответствует RoHS 1997 год /files/sharpmicroelectronics-gp2s27tj000f-datasheets-6147.pdf 4-СМД Светоотражающий Без свинца 4 неизвестный е2 Олово/Медь (Sn/Cu) 100мВт 20 мкс, 20 мкс 1 20 мА 1,2 В Фототранзистор 20 мкс 20 мкс 3 мм ПАЙКА 0,028 (0,7 мм) ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 35В 35В 35В 20 мА 50 мА 950 нм
GP2S27T6J00F ГП2С27Т6ДЖ00Ф Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -25°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 2006 г. /files/sharpmicroelectronics-gp2s27tj000f-datasheets-6147.pdf 4-СМД Светоотражающий 20 мкс, 20 мкс Фототранзистор 0,028 (0,7 мм) 50 мА 35В 20 мА
GP2S27T3J00F ГП2С27Т3ДЖ00Ф Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°К~85°К Разрезанная лента (CT) 5 (48 часов) Соответствует RoHS 1998 год /files/sharpmicroelectronics-gp2s27t-datasheets-6093.pdf 4-СМД Светоотражающий Без свинца 4 неизвестный 100мВт 20 мкс, 20 мкс 1 75мВт 50 мА 1,2 В Фототранзистор 100 мкс 100 мкс 3 мм ПАЙКА 0,028 (0,7 мм) ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 35В 35В 35В 20 мА
SFH 9201 СФХ 9201 Опто-полупроводники OSRAM
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh9201-datasheets-6122.pdf 6-СМД Светоотражающий 50 мкс, 50 ​​мкс Фототранзистор 0,197 (5 мм) 50 мА 30 В 10 мА
GP2S40JJ000F ГП2С40ДЖ000Ф Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2006 г. Монтаж на печатной плате Светоотражающий Без свинца 4 50 мкс, 50 ​​мкс 20 мА 1,2 В Фототранзистор 50 мкс 50 мкс 0,138 (3,5 мм) 35В 35В 20 мА 50 мА 950 нм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.