Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули ИК-трансиверов(156)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Тип телекоммуникационных микросхем | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Тип интерфейса микросхемы | Прямой ток | Время подъема | Осень (тип.) | Логическая функция | Напряжение питания1-ном. | Стандарты | Длина волны | Длина волны – пик | Пиковая длина волны | Размер | Ток холостого хода, тип. при 25°С | Диапазон связи, собственная мощность | Неисправность |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GP2W1001YP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -10°С~70°С | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 70°С | -10°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2w1001yp-datasheets-1319.pdf | Модуль | 10,1 мм | 3,83 мм | 3,53 мм | Содержит свинец | 5,5 В | 2,7 В | 11 | Вид спереди | 2,7 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | Трансивер | ИрФИЗ 1.4 | 880 нм | 10,0 мм х 4,4 мм х 3,5 мм | 200нА | 20см 1м | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFBS4711-TR3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfbs4711tr1-datasheets-0952.pdf | СМД/СМТ | 6 мм | 3 мм | 1,9 мм | 5,5 В | Без свинца | 6 | 7 недель | 6 | да | Вид спереди | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 75А | е4 | Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером | 2,7 В~5,5 В | ОДИНОКИЙ | НЕУКАЗАНО | 255 | 5В | 0,95 мм | 6 | 10 | 115,2 Кбит/с (SIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 80 мА | 300 нс | 300 нс | 5В | ИрФИЗ 1.2 | 900 нм | 6,0 мм х 3,0 мм х 1,9 мм | 75 мкА | 1м | ||||||||||||||||||
| CND0215A | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnd0215a-datasheets-1011.pdf | Модуль | 4,5 В | 8 | 8 | Вид сверху | неизвестный | 1 | НЕТ | 2,8 В~4,5 В | ОДИНОКИЙ | НЕУКАЗАНО | 260 | 3,2 В | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 115,2 Кбит/с (SIR) | 7,2 мм х 1,6 мм х 2,6 мм | 200нА | 40 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЖХ1810МВ115ТТР | Зилог | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/zilog-zhx1810mv115thtr-datasheets-7584.pdf | Модуль | 9,1 мм | 2,73 мм | 3,8 мм | 5,5 В | Содержит свинец | 6 | нет | Вид спереди | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 2,4 В~5,5 В | ОДИНОКИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 6 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-XSMA-X6 | 115,2 Кбит/с (SIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ИрФИЗ 1.4 | 870 нм | 9,1 мм х 3,8 мм х 2,7 мм | 90 мкА | 1м | Да | ||||||||||||||||||||||||||
| TFBS4711-TR1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfbs4711tr1-datasheets-0952.pdf | СМД/СМТ | 6 мм | 3 мм | 1,9 мм | Без свинца | 6 | 7 недель | Неизвестный | 6 | да | Вид спереди | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 600 мкА | е4 | Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером | 2,7 В~5,5 В | ОДИНОКИЙ | НЕУКАЗАНО | 255 | 5В | 0,95 мм | 6 | 10 | 115,2 Кбит/с (SIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 300 нс | 300 нс | 5В | ИрФИЗ 1.2 | 900 нм | 6,0 мм х 3,0 мм х 1,9 мм | 75 мкА | 1м | |||||||||||||||||||
| TFDU4301-TT1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Диги-Рил® | 4 (72 часа) | КМОП | 3,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu4301tt1-datasheets-0938.pdf | СМД/СМТ | 2,5 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | Вид сверху | Нет | 1 | 70 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,4 В~5,5 В | ОДИНОКИЙ | НЕУКАЗАНО | 260 | 5В | 0,95 мм | 8 | 115,2 Кбит/с (SIR) | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 5В | ИрФИЗ 1.0 | 900 нм | 2,5 мм | 100 мкА | 70 см | Да |
