Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАналоговые оптические датчики(318)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Глубина | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Код HTS | Количество функций | Терминальные отделки | Полярность | Код дела (метрика) | Код корпуса (имперский) | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Расстояние внедрения | Диапазон измерения-Макс. | Диапазон измерения-мин. | Тип датчиков/преобразователей | Выходной диапазон | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Выходной ток-Макс. | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Текущий коэффициент передачи | Длина волны | Пиковая длина волны | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | VCEsat-Макс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ705 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb703wz-datasheets-5004.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 17,78 мм | 40 мА | 22,86 мм | 5,08 мм | 1,7 В | 12 недель | Неизвестный | 4 | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 40 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 2В | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 25 мА | 40 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С60А | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 5 (48 часов) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | Без свинца | 16 недель | 4 | Золото | Нет | 1 | 100мВт | 20 мкс | 1 | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 20 мкс | 0,028 (0,7 мм) | 6В | 35В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 6В | 950 нм | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ707А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 15 В | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb706a-datasheets-5522.pdf | 15 В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 20 мА | 4,7 мм | 6,1 мм | 1,7 В | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВВК | 4 | Пластик | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 15 В | 50 мА | 1,7 В | Фотодарлингтон | 100 мкА | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 2В | 15 В | 15 В | 125 мА | 50 мА | 2В | 935 нм | 15 В | 125 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 7070 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh7070-datasheets-5618.pdf | 6-СМД, без свинца | Светоотражающий | 10 недель | 56нс | Фотодиод | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕАИТРДА6 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eaitrda6-datasheets-5623.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 15 недель | 8541.40.80.00 | 15 мкс, 15 мкс | Фототранзистор | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ607А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb607a-datasheets-5398.pdf | 15 В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 20 мА | 1,7 В | 12 недель | Нет СВВК | 4 | 1 | 75мВт | 1 | 15 В | 50 мА | 1,7 В | Фотодарлингтон | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 15 В | 2В | 15 В | 15 В | 125 мА | 50 мА | 2В | 935 нм | 15 В | 125 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70 юаней | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny70-datasheets-5507.pdf | 32В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 7 мм | 50 мА | 6 мм | 7 мм | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 5В | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 100°С | 85°С | 50 мА | 32В | 50 мА | 1,25 В | Фототранзистор | 0,197 (5 мм) | 5В | 5В | 32В | 32В | 50 мА | 50 мА | 5В | 5 % | 940 нм | 32В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ740 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb745-datasheets-5011.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 1,7 В | 12 недель | 4 | НПН | 100мВт | 1 | 20 мА | 1,8 В | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 2В | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 40 мА | 890 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХСДЛ-9100-024 | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 4-СМД | Светоотражающий | 7,1 мм | 2,4 мм | 2,75 мм | 1,5 В | 16 недель | 1,65 В | 4 | EAR99 | Нет | 6 мкс, 6 мкс | Фотодиод | 50 нс | 50 нс | 2,35 мм | ПАЙКА | 0,197 (5 мм) | 60 мм | ДАТЧИК БЛИЗОСТИ,ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ | 0,01 мА | 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRE1113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-qre1113gr-datasheets-4881.pdf | 4-ДИП (0,157, 4,00 мм) | Светоотражающий | 3,6 мм | 50 мА | 1,7 мм | 2,9 мм | Без свинца | 14 недель | 62мг | Нет СВВК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 5 часов назад) | да | EAR99 | Олово | 1 | 75мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики | 30 В | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 20 мкс | 2,7 мм | ПАЙКА | 0,197 (5 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 5В | 940 нм | 0,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ706А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb706a-datasheets-5522.pdf | 30 В | 4-DIP-модуль | Светоотражающий | 20 мА | 4,7 мм | 6,1 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВВК | 4 | Пластик | Нет | 75мВт | 1 | 24В | 20 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 2В | 24В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 2В | 935 нм | 935 нм | 24В | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY113 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy113-datasheets-5426.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 30 мА | 15,2 мм | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | 100мВт | 30 мкс, 30 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мкс | 30 мкс | 6 мм | 6,2 мм | ПАЙКА | 0,173 (4,4 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAITRCA6 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eaitrca6-datasheets-5530.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | 15 недель | 8541.40.80.00 | 1 | 80 мкс, 70 мкс | Фототранзистор | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ОДИНОКИЙ | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS4010C | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~80°К | 5А (24 часа) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtrs4010c-datasheets-5438.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 6 недель | Фотодиод | 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC50CNP06RP | Карло Гавацци Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -20°К~60°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/carlogavazziinc-pc50cnp06rp-datasheets-5440.pdf | Модуль, выводы проводов | Светоотражающий | 10 недель | 25 мс | 236,2 (6м) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ739RWZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb739rwz-datasheets-5448.pdf | Модуль, выводы проводов | Светоотражающий | 10 недель | 0,3 мс | 40 мА | 2В | Фототранзистор | 300 мкс | 300 мкс | 0,015–0,045 (0,38–1,14 мм) РЕГУЛИРОВКА | 2В | 30 В | 30 В | 250 мкА | 650 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ750Н | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb755tz-datasheets-5310.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 40 мА | 1,8 В | 8 недель | Нет СВВК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 24В | 50 мА | 1,8 В | Фототранзистор | 0,220 (5,59 мм) | 2В | 24В | 2В | 24В | 24В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 24В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS6660DSM | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~80°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtrs6660dsm-datasheets-5468.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 12 недель | Фотодиод | 0,059 (1,5 мм) | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS6014C | Марктех Оптоэлектроника | $35,88 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~80°К | 5А (24 часа) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtrs6014c-datasheets-5470.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 6 недель | Фотодиод | 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПР-220ПК30Н | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 4-DIP-модуль | Светоотражающий | 6,4 мм | 6,5 мм | 4,9 мм | Без свинца | 4 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 80мВт | 3,8 В | 1 | 100мВт | Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики | 20 мА | 3,5 В | Фототранзистор | 10 мкс | 10 мкс | 0,236 (6 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,08-0,80 мА | 30 В | 0,8 мА | 30 В | 30 мА | 5В | 470 нм | 0,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ608А | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Проволока | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb608v-datasheets-5063.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 20 мА | 1,7 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВВК | 4 | Пластик | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 20 мА | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS0012C | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~80°К | 5А (24 часа) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtrs0012c-datasheets-5487.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 6 недель | Фотодиод | 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ608Б | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb608v-datasheets-5063.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 8 недель | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 50 мА | 30 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS5116C | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~80°К | 5А (24 часа) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtrs5116c-datasheets-5503.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 6 недель | Фотодиод | 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS9520DSM | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~80°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtrs9520dsm-datasheets-5505.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 12 недель | Фотодиод | 0,059 (1,5 мм) | 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRD1313 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-qrd1313-datasheets-5290.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | нет | 1,10 В, ВКЭ | НЕ УКАЗАН | НЕТ | 1,7 В | Фотодарлингтон | 4,65 мм | 6,1 мм | 4,39 мм | ПАЙКА | ПЛАСТИК | 0,050 (1,27 мм) | 1,27 мм | 1,27 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 50 мА | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY199 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 5 (48 часов) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy199-datasheets-5202.pdf | 1206 (3216 Метрическая единица) | Светоотражающий | 3,2 мм | 1,1 мм | Без свинца | 1,7 мм | 10 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 1,4 В | 3216 | 1206 | 100мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | Транзисторный выход оптопара | 20 мкс | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,039 (1 мм) | 6В | 35В | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ748WZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb745-datasheets-5011.pdf | Модуль, выводы проводов | Светоотражающий | 10 недель | 4 | 20 мА | 2,6 В | Транзистор, резистор база-эмиттер | 0,300 (7,62 мм) | 2В | 30 В | 30 В | 40 мА | 645 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ755ТЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb755tz-datasheets-5310.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 40 мА | 10 недель | Нет СВВК | 4 | 100мВт | 1 | 24В | 40 мА | 1,8 В | Фототранзистор | 0,220 (5,59 мм) | 2В | 24В | 2В | 24В | 24В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 24В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ733ТР | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb733tr-datasheets-5178.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | Без свинца | 8 недель | Нет СВВК | 4 | Нет | 130 мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 20 мА | 15 мкс | 15 мкс | 1 (25,4 мм) | 5В | 30 В | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 5В | 890 нм | 30 В | 20 мА |
